УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОК Российский патент 1994 года по МПК G01B7/06 

Изобретение относится к технике неразрушающих методов контроля и может быть использовано для измерения толщины электропроводящего покрытия на диэлектрическом основании и толщины диэлектрического покрытия на электропроводящем основании.

Цель изобретения - расширение диапазона измерения за счет использования схемы включения генератора сигнала, в которой эффективно проявляются усилительные свойства транзистора.

На чертеже приведена блок-схема устройства.

Устройство содержит источник 1 питания, генератор 2 сигналов, в состав которого входят резисторы 3, 4, 5, 6, 7 конденсаторы 8, 9, 10, 11, 12, 13, диоды 14, 15, транзистор 16, индуктивный датчик 17, дроссель 18, а также индикатор 19 и шину 20 нулевого потенциала. Выводы датчика 17 подключены к конденсатору 9, резонансная частота полученного параллельного колебательного контура определяет частоту сигнала генератора 2, выход которого подключен к индикатору 19.

Устройство работает следующим образом.

Электромагнитное поле индуктивности датчика 17, по которому протекает переменный ток, взаимодействуя с электропроводящим объектом, изменяет полное электрическое сопротивление датчика 17 и напряжение на резонансном контуре, подключенном к базе транзистора 16. Это изменение переменного напряжения пропорционального толщине электропроводящего объекта. Для выделения приращения переменного напряжения при воздействии на датчик 17 электропроводящего объекта и преобразования результата к виду, удобному для регистрации, эмиттерная цепь транзистора 16 выполнена так, что постоянный ток коллектора протекает через дроссель 18 и резистор 4, а переменная составляющая тока усиленная транзистором 16, протекает через параллельные цепи, образованные диодом 14, конденсатором 11 и диодом 15, конденсатором 12, преобразуется в постоянную составляющую и с резистора 5 подается на индикатор 19. Конденсаторы 11, 12 совместно с резистором 5 выполняют роль сглаживающего фильтра.

Изобретение относится к технике неразрушающих методов контроля и может быть использовано для измерения толщины электропроводящего покрытия на диэлектрическом основании и толщины диэлектрического покрытия на электропроводящем основании. С целью расширения диапазона измерения толщин пленок в устройстве, содержащем источник 1 питания, генератор 2 сигналов, резисторы 3 . . . 7, конденсаторы 8 ... 13, диоды 14, 15, транзистор 16, индуктивный датчик 17, дроссель 18, индикатор 19, шину 20 нулевого потенциала, использована схема генератора 2, позволяющая эффективно использовать усилительные свойства транзистора 16 при преобразовании амплитуды возникающих колебаний в постоянный сигнал, подаваемый на индикатор 19 с выхода амплитудного детектора, реализованного на диодах 14, 15 и резисторе 5. 1 ил.

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ПЛЕНОК, содержащее источник питания, транзистор, индуктивный датчик, два диода, три резистора, четыре конденсатора, индикатор, шину нулевого потенциала, первый вывод источника питания подключен к первому выводу первого резистора, первый вывод индуктивного датчика подключен к первому выводу первого конденсатора, первый вывод второго конденсатора подключен к аноду первого диода и катоду второго диода, катод первого диода через второй резистор подключен к аноду второго диода, первый вывод третьего конденсатора подключен к шине нулевого потенциала, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона измерения, в него введены дроссель, два дополнительных резистора и два дополнительных конденсатора, второй вывод первого резистора подключен к коллектору транзистора, эмиттер которого подключен к первому выводу второго конденсатора, второму выводу третьего конденсатора и через последовательно соединенные дроссель и третий резистор - к шине нулевого потенциала и первым выводом первого и второго дополнительного конденсаторов, вторые выводы которых подключены соответственно к катоду первого диода, первому входу индикатора и аноду второго диода, второму входу индикатора, второй вывод индуктивного датчика подключен к второму выводу первого конденсатора и через четвертый конденсатор - к второму выводу второго конденсатора, базе транзистора и первым выводам первого и второго дополнительных резисторов, вторые выводы которых подключены соответственно к первому выводу источника питания и первому выводу конденсатора, шина нулевого потенциала подключена к второму выводу источника питания и первому выводу первого конденсатора.