ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА Российский патент 1994 года по МПК H01L21/00 

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ.

Целью изобретения является уменьшение габаритов и увеличение мощности.

На фиг. 1 изображена интегральная схема, продольный разрез, где 1 - диэлектрическая плата, 2 - металлизация лицевой стороны платы 1, 3 - металлизация обратной стороны платы 1, 4 - полупроводниковые кристаллы, 5 - соединительные проводники, 6 - металлизированные отверстия, 7 - металлическое основание 7, 8 - ступенчатая выемка, 9 - связующее вещество, 10 - контактные площадки полупроводниковых кристаллов 4; на фиг.2 - та же схема в плане.

Расстояние между кристаллами 4 выбрано равным 20-100 мкм. Расстояние между плоскостью лицевой поверхности 11 кристалла 4 и плоскостью 12 среза ступенчатой выемки 8 выбрано равным 1-20 мкм.

Размещение кристаллов 4 в ступенчатой выемке 8 позволяет уменьшить длину проводников 5 и, как следствие, их индуктивность. Это позволяет расширить частотный диапазон работы схемы. Соединение металлизированными отверстиями 6 с металлизацией 3 платы 1 и основания кристалла 4 позволяет улучшить теплоотвод.

Таким образом, применение изобретения позволяет улучшить теплоотвод и уменьшить габариты схемы.

Сущность изобретения: в схеме выполнена металлизированная ступенчатая выемка, в которой расположены кристаллы. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

1. ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая диэлектрическую плату с разводкой, экранной металлизацией и вертикальными металлизированными отверстиями, полупроводниковые кристаллы, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения габаритов и улучшения электрических параметров, в плате выполнена ступенчатая выемка с металлизированным дном, в которой над металлизированными отверстиями установлены полупроводниковые кристаллы, при этом расстояние между кристаллами 20 - 100 мкм, а расстояние между плоскостями лицевой поверхности полупроводниковых кристаллов и среза выемки 1 - 20 мкм. 2. Интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что суммарная площадь металлизированных отверстий равна 10 - 70% площади дна ступенчатой выемки.