СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ РАСТЕНИЙ В ЗАЩИЩЕННОМ ГРУНТЕ Российский патент 1995 года по МПК A01G7/00 A01G7/04 

Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к способам выращивания растений, преимущественно рассады огурцов и томатов, в сооружениях защищенного грунта и может быть использовано для других сельскохозяйственных культур.

Известны способы, в которых производится регулирование факторов внешней среды выращивания путем измерения биоэлектрического потенциала (БЭП) растений.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому способу является способ, в котором производится обработка поливной воды (раствора) в магнитном поле (МП) при неизменной величины индукции (В), кратности обработки, скорости воды. В этом способе также производится досвечивание рассады при постоянной норме освещенности.

Наиболее известными недостатками этого способа являются излишний расход электроэнергии при наличии дополнительного стимулирующего действия поливной воды, обработанной в МП, а также отсутствие обоснования режима, необходимого для наиболее эффективного выращивания, и контроля за режимом в процессе выращивания в зависимости от химического состава воды.

Задачей изобретения является обоснование наиболее экономического режима, необходимого для выращивания, и обеспечение контроля за режимом в зависимости от химического состава поливной воды.

Данный результат достигается тем, что в предлагаемом способе режим обработки воды в МП (величина индукции, Тл) выбирают в зависимости от величины биоэлектрического потенциала (БЭП), измеряемого между основанием и верхней частью растения до и после полива, а норму освещения при досвечивании снижают на 20%.

Предлагаемый способ имеет совокупность признаков, сходных с прототипом. Это обработка поливной воды в МП и досвечивание.

В отличие от прототипа выбор режима обработки поливной воды в МП в зависимости от величины БЭП между основанием и верхней частью растения. Кроме того, снижена норма освещенности на 20%.

Контроль режима и выбора режима возможны благодаря способности растений измерять свою биоэлектрическую активность под воздействием внешних факторов. При этом относительное увеличение БЭП свидетельствует о благотворном влиянии. За счет стимулирующего фактора воздействия активизируются метаболические и фотосинтетические механизмы, что позволяет при относительном снижении освещенности сохранять нормальный режим роста.

Сущность изобретения поясняется фиг.1 и 2, где изображены регулируемый магнитный аппарат 1, хлорсеребряные электроды 2, высокоомный вольтметр 3, светотехническая аппаратура 4, растение 5. В представленной табл.1 проиллюстрирован выбор режима обработки воды в МП.

Использование предлагаемого способа позволяет по сравнению с известными способами повысить урожайность на 10% и снизить срок выращивания рассады на 2-3 дня; снизить потребление электроэнергии при досвечивании на 20%, а также повысить воспроизводимость результатов.

П р и м е р. Непосредственно перед поливом на каждом выбранном растении измеряют начальную величину БЭП. Десятидневную рассаду томатов поливают водой, обработанной в МП. Обработку производят для четырех групп растений. Для каждой группы из восьми растений устанавливают свой режим: первый - 50 мТл, второй - 150 мТл, третий - 250 мТл, четвертый - контроль (0 мТл).

У всех групп на выбранных растениях одновременно измеряют величину БЭП между основанием растения и ее верхней частью. Полученные величины U_макс в милливольтах (мВ) и U_контр для каждого растения подставляют в формулу
Δ U_N = U_макс - U_контр
Из всех полученных величин Δ U_N выбирают наибольшее отклонение, которому и соответствует необходимый режим обработки магнитным полем, соответствующий обработке воды, используемой для полива.

При снятии биометрических показателей тридцати дневных растений обнаружено, что их вес при выбранном режиме наибольший по сравнению с остальными режимами и контролем. Стимулируя развитие растений поливной водой, обработанной в МП, снижают уровень облученности на 20%, например, с 5 до 4 клк.

Для получения статистически достоверного результата производят испытания с повторностями.

При анализе табл.2 можно отметить, что растения, выращенные при большей норме облученности (5 клк), но без обработанной поливной воды в МП, по весовым показателям соответствуют растениям, выращенным при пониженной норме облученности (4 клк) с поливом водой, обработанной в МП-режиме, выбранном по наибольшему отклонению Δ U_N.

Использование: выращивание растений в закрытом грунте. Сущность изобретения: контрольные растения поливают водой, отработанной магнитным полем. После этого регистрируют разность биопотенциалов между основанием растения и его верхней частью. Для каждого растения определяют величину отклонения этой разности от соответствующей разности для растения, которое поливают водой, необработанной магнитным полем. Далее выбирают режим полива, соответствующий режиму обработки для растения с максимальной величиной указанного отклонения и уменьшают величину уровня досветки на 20 %. 2 ил. 2 табл.

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ РАСТЕНИЙ В ЗАЩИЩЕННОМ ГРУНТЕ, включающий посадку рассады, полив ее водой, обработанной магнитным полем, и досвечивание в процессе выращивания, отличающийся тем, что для каждого контрольного растения задают величину магнитного поля, воздействующего на поливную воду, после чего регистрируют разность биопотенциалов между основанием и верхней частью этого растения и определяют для каждого растения отклонение этой разности от разности потенциалов у растения, полив которого осуществлялся без магнитной обработки воды, после чего выбирают режим обработки магнитным полем, соответствующий обработке воды, используемой для полива растений, с максимальной величиной упомянутого отклонения, а уровень освещенности в процессе досвечивания снижают на 20%.