СПОСОБ ОБРАБОТКИ ДРАГОЦЕННЫХ КАМНЕЙ Российский патент 1996 года по МПК B28D5/00 

Изобретение относится к технологии обработки драгоценных камней, преимущественно алмазов, при изготовлении ювелирных изделий.

Известен способ обработки алмаза, заключающийся в том, что обработку алмаза осуществляют путем его контактирования при 600-1800^oС с шаблоном, выполненным из металла или сплава, растворяющего углерод алмаза при температуре контактирования (Авторское свидетельство СССР N 1571916, кл. B 28 D 5/00, 1990 г.).

Недостатком данного способа обработки является низкое качество и невысокая точность обработки.

Наиболее близким по совокупности существенных признаков является способ обработки драгоценных камней, преимущественно алмазов, путем контактирования поверхностей обрабатываемых камней (Авторское свидетельство СССР N 1445060, кл. B 28 D 5/00, 1987 г.).

Недостатками данного способа являются его ограниченные функциональные возможности, позволяющие производить лишь шлифование поверхности обрабатываемого камня, и низкая точность обработки, обусловленная анизотропностью свойств камня и постепенным неоднородным изнашиванием камня, выполняющего в данной системе функцию инструмента.

Задачей изобретения является расширение функциональных возможностей способа, повышение производительности и качества обработки драгоценных камней.

Решение поставленной задачи обеспечивается за счет того, что в способе обработки драгоценных камней, преимущественно алмазов, путем контактирования поверхностей обрабатываемых камней, последние закрепляют в параллельных плоскостях и осуществляют относительное перемещение этих плоскостей, при этом обработку осуществляют путем изменения расстояния между плоскостями размещения камней и изменения угловых координат их закрепления.

Относительное перемещение плоскостей с обрабатываемыми камнями может быть осуществлено в виде кругового движения плоскостей вокруг общей оси вращения.

Относительное перемещение плоскостей с обрабатываемыми камнями может быть осуществлено в виде колебательного прямолинейного возвратно-поступательного движения, которое может быть дополнено осциллирующим движением, по меньшей мере, в одной из плоскостей размещения обрабатываемых камней.

Кроме того, дополнительно возможно осуществление вращения камней вокруг их кристаллографической оси.

При этом возникает технический результат, заключающийся в том, что одновременно осуществляется обработка большего количества кристаллов драгоценного камня на одной технологической базе, что позволяет значительно увеличить производительность обработки и к тому же повысить качество получаемой продукции за счет возможности активного контроля процесса и компенсации анизотропии кристаллов.

Сущность изобретения поясняется чертежами, где на фиг.1 представлена общая схема реализации способа при организации кругового движения обрабатываемых камней, на фиг. 2 то же, при организации возвратно-поступательного движения.

Способ реализуется следующим образом.

Обрабатываемые камни 1, например кристаллы алмаза, укрепляют с помощью специальных средств закрепления (на чертежах не показаны) в двух разных параллельных друг другу плоскостях 2. Затем с помощью известных средств обеспечивают перемещение одной совокупности закрепленных камней относительно другой совокупности закрепленных камней, которое может быть организовано в виде вращения вокруг общей оси либо в виде колебательного, в частности, прямолинейного возвратно-поступательного движения. После этого любыми из известных средств обеспечивают сближение двух совокупностей закрепленных камней путем уменьшения расстояния между плоскостями закреплений до взаимодействия поверхностей камней между собой.

При достаточных скоростях относительного перемещения и давлениях контакта происходит самопроизвольное разложение кристаллов и осуществляется одновременная обработка одной из поверхностей на всех контактирующих камнях. Затем камни выводят из контакта, изменяют угловые координаты их закрепления и производят обработку другой из поверхностей опять же одновременно на всех камнях. Указанные операции повторяют до получения требуемых параметров обточки или огранки кристаллов.

Используя различные виды относительного перемещения обрабатываемых камней, а также их комбинации, можно осуществить обточку камней, добиться сколь угодно сложной их огранки, а также произвести шлифовку поверхностей.

Использование: в технологии обработки драгоценных камней, преимущественно алмазов, при изготовлении ювелирных изделий. Сущность изобретения: способ обработки драгоценных камней, преимущественно алмазов, путем контактирования поверхностей обрабатываемых камней, заключается в том, что обрабатываемые камни закрепляют в параллельных плоскостях и осуществляют относительное перемещение этих плоскостей, причем обработку осуществляют путем изменения расстояния между плоскостями размещения камней и изменения угловых координат их закрепления. При этом относительное перемещение плоскостей с обрабатываемыми камнями можно осуществлять в виде кругового движения плоскостей вокруг общей оси вращения или в виде колебательного прямолинейного возвратно-поступательного движения, которое может быть дополнено осциллирующим движением, по меньшей мере, в одной из плоскостей размещения обрабатываемых камней. Кроме того, дополнительно может быть осуществлено вращение камней вокруг их кристаллографической оси. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

1. Способ обработки драгоценных камней, преимущественно алмазов, путем контактирования поверхностей обрабатываемых камней, отличающийся тем, что обрабатываемые камни закрепляют в параллельных плоскостях и осуществляют относительное перемещение этих плоскостей, при этом обработку осуществляют путем изменения расстояния между плоскостями размещения камней и изменением угловых координат их закрепления. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что относительное перемещение плоскостей с обрабатываемыми камнями осуществляют в виде кругового движения плоскостей вокруг общей оси вращения. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что относительное перемещение плоскостей с обрабатываемыми камнями осуществляют в виде колебательного прямолинейного возвратно-поступательного движения. 4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что дополнительно осуществляют осциллирующее движение по меньшей мере в одной из плоскостей размещения обрабатываемых камней. 5. Способ по пп. 1 4, отличающийся тем, что дополнительно осуществляют вращение камней вокруг их кристаллографической оси.