СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТОРА Российский патент 1996 года по МПК H01L43/08 

Описание патента на изобретение RU2066899C1

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в приборостроении.

Известен способ изготовления магниторезисторов, когда его чувствительный элемент напыляется в виде тонкой ферромагнитной пленки на твердое основание (Г. И. Котенко. Гальваномагнитные преобразователи и их применение. Л. Энергоиздат, 1982, с.13 16).

Такой магниторезистор обладает низкой чувствительностью к магнитному полю.


Известен также способ, взятый за прототип (патент США N 3949346, кл. 338/32), где магниторезистор представляет собой меандр (магниторезистивная решетка) на твердой и гибкой подложке, изготовленный с помощью фотолитографии из тонкой напыленной пленки или фольги.

Такой магниторезистор также не обладает высокой чувствительностью к магнитному полю. Магниторезистор, выполненный по этому способу, например, из никеля, изменяет свое сопротивление при внесении в магнитное поле напряженностью 500 Э на 1% Для датчиков с высокой точностью такая чувствительность недостаточна.

Цель изобретения повышение чувствительности магниторезистора к магнитному полю.

Цель достигается, что нити решетки подвергают линейной деформации, причем нити, предназначенные для расположения параллельно магнитным силовым линиям, подвергают деформации сжатия, а нити, предназначенные для расположения перпендикулярно силовым линиям, подвергают деформации растяжения.

Способ можно понять из приведенной ниже таблицы относительного изменения сопротивления магниторезисторов в зависимости от деформации нитей при внесении их в магнитное поле напряженностью 500 Э.

Как видно из таблицы, нити, параллельные магнитным силовым линиям, наиболее чувствительны к магнитному полю при деформации сжатия. При этом изменение сопротивления (-21200 мкОм/Ом) в 2 раза больше, чем изменение сопротивления на недеформированной нити (-11300 мкОм/Ом). Нити, перпендикулярные магнитным силовым линиям, наиболее чувствительны к магнитному полю при деформации растяжения. При этом увеличение сопротивления (+21200 мкОм/Ом) в 2 раза больше, чем изменение сопротивления у недеформированной нити.

Для реализации способа изготавливают магниторезисторы известными способами, т. е. с помощью фотолитографии формируют магниторезистивную решетку. Тонкопленочные магниторезисторы сразу напыляют на твердое основание, а фольговые магниторезисторы на гибкой подложке наклеивают на твердое основание. Твердое основание затем подвергают деформации растяжения или сжатия.

Похожие патенты RU2066899C1

название год авторы номер документа
Магниторезистивный датчик магнитного поля 2019
  • Водеников Сергей Кронидович
  • Байтеряков Сергей Викторович
  • Лебедев Константин Валерьевич
  • Максимов Олег Тимофеевич
RU2738998C1
Преобразователь магнитного поля с повышенной чувствительностью на анизотропных тонкопленочных магниторезисторах (варианты) 2016
  • Дюжев Николай Алексеевич
  • Юров Алексей Сергеевич
  • Мазуркин Никитва Сергеевич
  • Преображенский Роман Юрьевич
  • Чиненков Максим Юрьевич
RU2635330C1
ТЕНЗОРЕЗИСТОР 1992
  • Володин Николай Михайлович
RU2029229C1
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК ПЕРЕМЕЩЕНИЙ 1990
  • Володин Н.М.
RU2031354C1
ФОЛЬГОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР 1992
  • Володин Николай Михайлович
RU2029228C1
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ 1997
  • Левашов В.И.
  • Матвеев В.Н.
  • Волков В.Т.
  • Старков В.В.
RU2128819C1
Полупроводниковый магниторезистор и способ его изготовления 1990
  • Горбачук Николай Тихонович
SU1728903A1
ВИБРОДАТЧИК 2013
  • Абдуев Марат Хаджи-Муратович
  • Беспалов Владимир Александрович
  • Дюжев Николай Алексеевич
  • Юров Алексей Сергеевич
RU2535646C2
УСТРОЙСТВО НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ ДЕТАЛИ ПУТЕМ АНАЛИЗА МАГНИТНОГО ПОЛЯ УТЕЧКИ 2007
  • Де Сме Мари-Анн
RU2439549C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛОЖЕНИЯ ПРЕДМЕТА ИЗ МАГНИТОПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА 1995
  • Юров А.С.
  • Требушков Ю.В.
  • Басманов О.А.
  • Крупчанский В.А.
RU2083992C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 066 899 C1

Реферат патента 1996 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТОРА

Использование: в измерительной технике, в приборостроении. Сущность изобретения: после нанесения металлических нитей решетки на диэлектрическую подложку эти нити подвергают деформации. Причем нити, предназначенные для расположения параллельно магнитным силовым линиям, сжимают, а нити, предназначенные для перпендикулярного расположения к магнитным силовым линиям, растягивают. Указанная последовательность операций повышает чувствительность магниторезистивной решетки к магнитному полю.

Формула изобретения RU 2 066 899 C1

Способ изготовления магниторезистора, включающий формирование на диэлектрической подложке металлических нитей магниторезистивной решетки, отличающийся тем, что нити решетки подвергают линейной деформации, причем нити, предназначенные для расположения параллельного магнитным силовым линиям подвергают деформации сжатия, а нити предназначенные для расположения перпендикулярно магнитным силовым линиям подвергают деформации растяжения.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1996 года RU2066899C1

Патент США N 3949346, кл
Чемодан с сигнальным замком 1922
  • Глушков В.Т.
SU338A1

RU 2 066 899 C1

Авторы

Володин Николай Михайлович

Даты

1996-09-20Публикация

1992-08-21Подача