ИНТЕГРАЛЬНАЯ СВЧ-СХЕМА Российский патент 1996 года по МПК H05K1/18 

Описание патента на изобретение RU2067362C1

Изобретение относится к конструированию и изготовлению интегральных схем, в частности к конструированию и изготовлению СВЧ интегральных схем.

Цель изобретения упрощение конструкции и улучшение массогабаритных характеристик.

На чертеже показана конструкция интегральной СВЧ схемы в двух ортогональных проекциях.

Интегральная СВЧ схема содержит корпус в виде основания 1 и крышки 2 размещенные на основании 1 сосредоточенные пассивные элементы 3 7, диэлектрическую плату 8 с отверстием 9. Основание 1 выполнено в виде металлизированной со стороны размещения элементов диэлектрической платы, а диэлектрическая плата 8 с отверстием 9 металлизирована с нижней стороны и соединена с металлизированной стороной основания 1. Элементом 3 7 соответственно являются бескорпусной полевой транзистор 3, резистор 4, разделительный конденсатор 6 и микрополоска 7, на основании 1 выполнена металлизация 10, на основании 1 размещена золотая проволока 11 и проводники 12.

Расположение металлизации диэлектрической платы 8 и основания 1 в одной плоскости позволяет улучшить конструкцию интегральной схемы.

Основание 1 выполнено из поликора. При изготовлении сначала напыляют резистивный слой из хрома ( ρ 100 Ом/см2) и проводящий слой из алюминия толщиной 0,5 мкм и формируют резистор 4 и нижние обкладки конденсаторов 5 и 6. Затем напыляют диэлектрический слой из алюминия толщиной 0,3 мкм и формируют в нем окна для соединения нижних обкладок конденсаторов 5 и 6 и резистора 4 со схемой. После этого напыляют второй слой металлизации из алюминия толщиной 4 мкм и формируют проводники 12, верхние обкладки конденсаторов 5, 6 и металлизацию 10. На основании 1 устанавливают бескорпусной полевой транзистор 3 и соединяют его электроды (исток-сток-затвор) со схемой, выполненной на основании 1 золотой проволокой 11. Диэлектрическую плату 8 с отверстием 9 металлизируют с нижней стороны. После этого основание 1 с помощью электропроводящего клея (К-12А), металлизацией 10 приклеивают к металлизации диэлектрической платы и соединяют с микрополоском 7 золотой проволокой 11.

Изобретение обеспечивает исключение необходимости формирования металлизированных отверстий в подложке, либо металлизацию боковой поверхности подложки для вывода металлизации в верхнюю плоскость. Изобретение обеспечивает уменьшение числа проволочных соединений, улучшает повторяемость ВЧ-характеристик.

Похожие патенты RU2067362C1

название год авторы номер документа
ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СТРУКТУРА 1982
  • Темнов А.М.
  • Темнова С.Л.
  • Крутов А.В.
RU2067361C1
СВЧ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА 1994
  • Темнов А.М.
  • Наумов В.Л.
RU2076473C1
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ 1989
  • Иовдальский В.А.
  • Молдованов Ю.И.
  • Ануфриев А.Н.
SU1694021A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО ПРИБОРА СВЧ 1987
  • Темнов А.М.
  • Темнова С.Л.
  • Зверева Г.В.
RU2076396C1
ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СТРУКТУРА 1982
  • Темнов А.М.
  • Темнова С.Л.
RU2076476C1
МНОГОСЛОЙНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ 1992
  • Иовдальский В.А.
  • Яшин А.А.
  • Кандлин В.В.
  • Буданов В.Н.
RU2071646C1
ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ СТРУКТУРА 1980
  • Темнов А.М.
RU2076475C1
МНОГОСЛОЙНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ 1992
  • Иовдальский В.А.
  • Буданов В.Н.
  • Яшин А.А.
  • Кандлин В.В.
RU2088057C1
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА 1991
  • Иовдальский В.А.
  • Буданов В.Н.
RU2067363C1
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА 2002
  • Иовдальскийй В.А.
  • Калинин И.Н.
RU2227345C2

Реферат патента 1996 года ИНТЕГРАЛЬНАЯ СВЧ-СХЕМА

Использование: в радиоэлектронике при конструировании и изготовлении интегральных схем. Сущность изобретения: в интегральной СВЧ схеме, содержащей корпус в виде основания 1 и крышки 2, размещенные на основании 1 сосредоточенные пассивные элементы 3 - 7, диэлектрическую плату 8 с отверстием 9, основание 1 выполнено в виде металлизированной со стороны платы, а диэлектрическая плата 8 с отверстием 9 металлизирована с нижней стороны и соединена с металлизированной стороной основания. 1 ил.

Формула изобретения RU 2 067 362 C1

Интегральная СВЧ-схема содержащая корпус, основание и размещенные на нем сосредоточенные пассивные элементы, диэлектрическую плату с отверстием и крышку, отличающаяся тем, что основание выполнено в виде металлизированной со стороны размещения элементов диэлектрической платы, а диэлектрическая плата с отверстием металлизирована с нижней стороны и соединена с металлизированной стороной основания.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1996 года RU2067362C1

Патент США N 4267520, 330-286, 1981.

RU 2 067 362 C1

Авторы

Темнов А.М.

Наумов В.Л.

Крутов А.В.

Лукьянов В.А.

Темнова С.Л.

Даты

1996-09-27Публикация

1983-05-26Подача