СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН Российский патент 1997 года по МПК H01L21/66 

Изобретение относится к области измерений электрофизических параметров полупроводниковых пластин и структур при производстве интегральных микросхем и может быть использовано для оптимизации технологических процессов.

Известен источник информации, характеризующий способ и устройство для определения диффузионной длины неосновных носителей заряда L [1] Способ включает освещение поверхности полупроводниковой пластины модулированным потоком излучения на длинах волн, соответствующих диапазону коэффициентов поглощения d^-1 < α < w^-1, где d толщина пластины, W толщина области пространственного заряда, регистрацию сигналов фотоЭДС с освещенной области и измерение относительных значений эффективных световых потоков φ = (1 - R)φ_in где φ_in падающий световой поток, R коэффициент отражения, причем потоки выбирают таким образом, чтобы сигналы фотоЭДС были равны при освещении на разных длинах волн, а искомый параметр определяют по точке пересечения графика зависимости φ(α^-1) имеющего вид прямой, с осью абсцисс.

Для реализации способа используют устройство, содержащее перестраиваемый по длине волны источник монохроматического регулируемого и модулированного излучения, включающий монохроматор, лампу накаливания и механический модулятор, датчик фотоЭДС, содержащий прозрачный проводящий электрод емкостной связи и предусилитель, оптический элемент формирования пространственно ограниченного потока, оптическую систему и систему регистрации и управления. Недостатками данного технического решения являются ограниченный диапазон измерения L<(1/4)d и отсутствие информации о свойствах поверхности.

Наиболее близким аналогом, по мнению заявителя, являются способ и устройство для измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в полупроводниках [2] Способ включает освещение локальной области поверхности полупроводниковой пластины монохроматическим модулированным потоком излучения на нескольких длинах волн, соответствующих диапазону коэффициентов поглощения d^-1 < α < w^-1 и измерение сигналов фотоЭДС V, причем световые потоки φ выбираются одинаковыми на всех длинах волны в области линейной зависимости от них сигналов фотоЭДС, а искомый параметр определяется по точке пересечения графика зависимости v^-1(α^-1), имеющего вид прямой, с осью абсцисс.

Для реализации способа используют устройство, содержащее перестраиваемый по длине волны источник монохроматического, регулируемого и модулированного излучения, включающий галогенную лампу, механический узел коммутации интерференционных и нейтрального калиброванного светофильтров, оптический аттенюатор, модулятор излучения, датчик фотоЭДС с прозрачным электродом емкостной связи, оптический элемент формирования пространственно-ограниченного потока в виде линзы, световодную оптическую систему, а также блок регистрации и управления, в состав которого входят компьютер, синхронный детектор и блоки управления механическими узлами. Недостатки ближайшего аналога идентичны недостаткам первого аналога.

Техническим эффектом, получаемым в результате реализации изобретения, является разработка экспресс-метода измерения электрофизических параметров - диффузионной длины неосновных носителей заряда, вплоть до значений, превышающих толщину пластины, скорости поверхностной рекомбинации и устройства его реализации. Способ включает следующие операции: освещение локальной области на первой поверхности полупроводниковой пластины монохроматическими модулированными потоками излучения на длинах волн, соответствующих диапазону коэффициентов поглощения d^-1 < α < w^-1, где d толщина полупроводниковой пластины, W толщина области пространственного заряда; регистрацию сигналов фотоЭДС с освещенной локальной области первой поверхности; выбор потоков на линейном участке зависимости от них сигналов фотоЭДС; измерение сигналов фотоЭДС при выбранных потоках; освещение потоками монохроматического излучения на тех же длинах волн локальной области на противоположной поверхности полупроводниковой пластины, расположенной симметрично локальной области первой поверхности; регистрацию сигналов фотоЭДС с локальной области первой поверхности; выбор потоков на линейном участке зависимости от них сигналов фотоЭДС таким образом, чтобы отношение потоков при освещении локальных областей на первой и второй поверхностях на одной и той же длине волны было одинаковым на всех длинах волн; измерение сигналов фотоЭДС при выбранных потоках; расчет искомых параметров с использованием всех измеренных значений.

При проведении измерений не менее чем на трех длинах волн расчет искомых параметров диффузионной длины L и скорости поверхностной рекомбинации S на второй поверхности пластины -может быть поведен с использованием системы уравнений

где V₁, V'₁ значения сигналов фотоЭДС при освещении локальных областей на первой и второй поверхностях на длинах волн λ_i, α_i - соответствующие значения коэффициентов поглощения, D коэффициент диффузии неосновных носителей заряда, С константа, i l.n, n≥3.

Световые потоки могут быть выбраны таким образом, чтобы их отношения при освещении локальных областей на первой и второй поверхностях на одной и той же длине волны были равны заданному значению r, а искомые параметры определяются с использованием системы уравнений

где , где световые потоки при освещении локальных областей на первой и второй поверхностях на длинах волн λ_i,, i l.m, n≥2.

Световые потоки могут быть выбраны одинаковыми на разных длинах волн при освещении локальных областей и первой и второй поверхностей.

При проведении измерений можно дополнительно измерять относительные световые потоки и контролировать их отношения. Можно дополнительно осветить стационарным потоком участок поверхности, перекрывающий локальную область на второй поверхности. Целесообразно регистрировать сигнал фотоЭДС с области, перекрывающей локальную область на первой поверхности.

Устройство, используемое для реализации способа, содержит предметный столик, выполненный с возможностью перемещений, перестраиваемый по длине волны источник монохроматического, регулируемого и модулированного по интенсивности излучения, оптическую систему передачи излучения, первый оптический элемент формирования пространственно ограниченного потока излучения, расположенный вблизи поверхности столика, датчик фотоЭДС с электродом емкостной связи, расположенным между первым оптическим элементом и поверхностью столика, вторую оптическую систему передачи излучения, второй оптический элемент формирования пространственно ограниченного потока, расположенный со стороны столика, противоположной датчику фотоЭДС, оптический коммутатор, блок регистрации и управления. Предметный столик выполнен с отверстием, источник оптически связан через коммутатор и оптические системы с оптическими элементами формирования пространственно ограниченного потока, выход датчика фотоЭДС электрически связан с входом блока управления и регистрации, выход которого связан с источником монохроматического излучения и оптическим коммутатором.

Источник монохроматического, регулируемого и модулированного по интенсивности излучения может состоять из широкополосного излучателя, монохроматора, модулятора, калиброванного оптического аттенюатора. Вместо монохроматора могут использоваться интерференционные светофильтры. Кроме того, в качестве источника монохроматического излучения можно использовать перестраиваемый по длине волны лазер или набор дискретных по длине волн монохроматических источников, например светодиодов или лазеров.

Оптическая система может состоять из зеркал, линз и световодов.

В качестве оптических элементов формирования пространственно ограниченного потока могут быть использованы линзы, светодиоды, зеркала и диафрагмы.

В качестве оптического коммутатора могут использоваться поворотное зеркало или электрически управляемый дефлектор.

Электрод емкостной связи может быть выполнен в виде прозрачной проводящей пластины, проводящей пластины с отверстием или сетки.

Устройство может дополнительно содержать фотоприемник фотодиод или ФЭУ, оптически связанный с обоими оптическими элементами формирования пространственно ограниченного потока.

Устройство может дополнительно содержать второй источник излучения, оптическую систему и оптический элемент формирования пространственно ограниченного потока, причем характеристики этого источника выбирают в зависимости от исследуемого материала.

Датчик фотоЭДС может дополнительно содержать предусилитель, вход которого находится в непосредственной близости от электрода емкостной связи. Устройство может состоять из более чем одного пространственно разнесенных узлов, каждый из которых состоит из двух расположенных по обе стороны предметного столика оптических элементов формирования пространственно ограниченного потока, связанных через оптический коммутатор с источником излучения, а также датчик фотоЭДС, электрически связанный с блоком регистрации и управления.

Обосновывая существенность признаков, введенных в формулу изобретения, заявитель на основании опыта работы отмечает, что совокупность признаков, введенных им в независимые пункты формулы изобретения, необходимы и достаточны для достижения заявленного технического эффекта. Признаки, введенные в зависимые пункты формулы изобретения, или развивают признаки, введенные в независимые пункты формулы изобретения, или позволяют незначительно усилить заявленный технический эффект.

Изобретение отличается от ближайшего аналога тем, что:
а) потоками монохроматического модулированного излучения освещают вторую локальную область на второй поверхности пластины;
б) вторая локальная область расположена симметрично первой;
в) при освещении второй локальной области сигнал фотоЭДС снимают с первой локальной области;
г) первую и вторую локальные области освещают на одних и тех же длинах волн;
д) для определения искомых параметров используют значения сигналов фотоЭДС при освещении первой и второй локальных областей;
е) при проведении измерений могут дополнительно измеряться значения относительных световых потоков;
ж) предпочтительно, чтобы область поверхности, с которой снимают сигнал фотоЭДС, перекрывала освещаемую.

В области устройства:
а) предметный столик выполнен с отверстием;
б) оно дополнительно содержит второй оптический элемент формирования пространственно ограниченного потока;
в) второй оптический элемент формирования пространственно ограниченного потока расположен с противоположной стороны предметного столика;
г) устройство дополнительно содержит оптический коммутатор;
д) источник излучения посредством оптического коммутатора и оптической системы связан с обоими оптическими элементами формирования пространственно ограниченного потока;
е) устройство может содержать второй источник излучения с оптической системой;
ж) устройство может дополнительно содержать фотоприемник, оптически связанный с обоими оптическими элементами формирования пространственно ограниченного потока.

На фиг. 1 представлена блок-схема устройства; на фиг. 2 графики экспериментальных и расчетных зависимостей отношений сигналов фотоЭДС при освещении областей первой и второй поверхностей от коэффициента поглощения.

Предпочтительный вариант реализации устройства содержит источник 1 монохроматического регулируемого и модулированного по интенсивности излучения, два оптических элемента формирования пространственно ограниченного потока 2 и 3, оптически связанных с источником излучения 1 с помощью световодов 4, 5 и расположенных по обе стороны предметного столика 6 с отверстием, на котором расположена полупроводниковая пластина 7, датчик фотоЭДС 8 с электродом емкостной связи 9 и усилителем 10, вход которого электрически связан с электродом 9. Выход усилителя 10 электрически соединен с блоком регистрации и управления 11. Оптическая связь источника 1 с оптическими элементами 2 и 3 осуществляется с помощью оптического коммутатора 12.

Кроме того, устройство содержит фотоприемник 13, оптически связанный с источником 1 с помощью световодов 14, 15, а электрически соединен с блоком управления и регистрации 11.

Устройство может дополнительно содержать немодулируемый источник света 16 и световод 17.

В качестве источника излучения 1 можно использовать широкополосный источник света, например галогенную лампу с монохроматором, механическим модулятором, калиброванными светофильтрами и оптическим аттенюатором. Вместо монохроматора может быть использован набор сменных интерференционных светофильтров. В качестве источника излучения также может быть использовано несколько монохроматических источников, имеющих один оптический выход, например светодиодов или инжекционных лазеров. Вместо световодов могут быть использованы линзы и зеркала. В качестве фотоприемника может быть использован фотодиод или ФЭУ. Предметный столик может быть выполнен в виде кольца, внутренний диаметр которого меньше диаметра пластины, и, кроме этого, с возможностью перемещений для картографирования параметров. Датчик фотоЭДС представляет собой диск с отверстием, на котором размещен электрод емкостной связи, выполненный в виде прозрачного и проводящего материала, например металлической сетки или стеклянной пластины, на поверхности которой нанесена пленка диоксида олова. Оптический коммутатор может быть выполнен в виде поворотного зеркала или дефлектора. В качестве второго источника может быть использован широкополосный источник с фильтром, а также лазер или светодиод. Кроме того, для того чтобы оперативно получить информацию о распределении параметров по поверхности пластины, устройство может содержать несколько узлов, каждый из которых состоит из двух расположенных по обе стороны предметного столика оптических элементов формирования пространственно ограниченного потока, связанных через оптический коммутатор с источником излучения, датчик фотоЭДС, электрически связанный с блоком управления и регистрации.

Способ реализуют следующим образом: полупроводниковую пластину 7 помещают на столик 6 с отверстием. С помощью источника 1, световода 5 и оптического элемента 3 освещают область 18 на поверхности полупроводниковой пластины 7 модулированным по интенсивности монохроматическим излучением на длине волны λ₁.. Используя датчик фотоЭДС 8, снимают сигнал фотоЭДС со стороны электрода 9, усиливают усилителем 10 и подают на вход блока управления и регистрации 11. Полученное значение сравнивают с сигналом фотоЭДС после ослабления светового потока в k раз с помощью калиброванного нейтрального светофильтра. Если отношение сигналов фотоЭДС не равно k, используя оптический аттенюатор, уменьшают интенсивность излучения до выхода зависимости сигнала фотоЭДС от светового потока на линейный участок. С помощью калиброванного светофильтра проверяют выполнение условия линейности зависимости сигнала фотоЭДС от потока на других длинах волн. Если отношение сигналов фотоЭДС на какой-либо длине не равно k, используя оптический аттенюатор, дополнительно ослабляют световые потоки. При выбранных таким образом световых потоках φ₁..φ_n проводят измерения значений сигналов фото-ЭДС V₁.V_n на длинах волн λ₁..λ_n. Затем, используя оптический коммутатор 12, световод 4 и оптический элемент 2, освещают область 19 второй поверхности пластины 7. Юстируют элемент 2 таким образом, чтобы световое пятно 19 было симметрично пятну 18 относительно пластины 7. С помощью датчика фотоЭДС 8 снимают сигнал фотоЭДС. Используя калиброванные светофильтры, регулируют пропускание оптического аттенюатора таким образом, чтобы выполнялось условие линейной зависимости сигнала фотоЭДС от уровня освещения на всех длинах волн λ₁..λ_n. Пpи выбpанных световых потоках пpоводят измеpения сигналов фото-ЭДС V'₁.V'_n на длиннах волн λ₁..λ_n. При этом отношения световых потоков при освещении первой и второй поверхностей одной и той же длины волны одинаковы для всех длин волн. Используя фотоприемник 13, определяют относительные значения и контролируют выполнение условия .

Учитывая, что отношения световых потоков при освещении первой и второй поверхностей одинаковы, диффузионную длину и скорость поверхностной рекомбинации определяют из системы уравнения (1), в которую не входят световые потоки. Для определения L и S по указанной системе уравнений необходимо, чтобы n ≥ 3.

Если известны коэффициенты отражения первой и второй поверхностей (например, они равны в случае полированных обеих поверхностей пластины) и известны коэффициенты пропускания оптической системы, т.е. световодов 4, 5, оптических элементов 2, 3 и электрода 9, тогда может быть задано отношение потоков , а параметры рассчитывают из системы уравнений (2).

Следует отметить, что для выбора световых потоков на всех длинах волн на линейном участке зависимости от них сигналов фотоЭДС достаточно обеспечить выполнение этого условия для "белого" света с потоком, превышающим монохроматические потоки. С этой целью может быть использован источник, содержащий помимо интерференционных светофильтров нейтральные калиброванные светофильтры и обеспечивающий облучение потоками монохроматического и "белого" излучения.

Стационарную подсветку используют для того, чтобы выделить составляющую скорости поверхностной рекомбинации, связанную с рекомбинационными центрами на поверхности. С этой целью освещают участок второй поверхности, перекрывающий область 19.

При проведении измерений параметров в кремниевых пластинах длины волн выбирают в диапазоне λ_i = 0,8-1,04 мкм. Подсветка может осуществляться на длинах волн λ < 0,8 мкм..

При проведении измерений использовалась установка, в состав которой входит монохроматор МДР-23 с поворотным зеркалом и двумя выходными щелями, механический модулятор, оптические фильтры, лампа накаливания мощностью 40 Вт, световоды, фотодиод ФД-7Г, датчик фотоЭДС с электродом емкостной связи в виде стеклянной пластины с пленкой SnO₂, малошумящий предусилитель. Блок управления и регистрации включает персональный компьютер IBM РС АТ 286, интерфейсную плату, два синхронных детектора.

На фиг. 2 приведены графики экспериментальных (точки) и приближенных к ним теоретических зависимостей (сплошные линии) отношений сигналов фотоЭДС V₁/V'₁ при освещении первой и второй поверхностей от коэффициента поглощения для исходной 20 и окисленной 21 пластин кремния. КДБ-10.

Результаты измерений: исходная пластина кремния L=340 мкм, S 8•10⁴ см/с; окисленная пластина кремния L 110 мкм, S •10³ см/с.

Для окисленной пластины стационарная подсветка приводит к уменьшению скорости поверхностной рекомбинации до 10³ см/с. Указанное значение характеризует концентрацию дефектов на границе окисел полупроводник.

Использование: для измерения электрофизических параметров полупроводниковых пластин и структур при производстве интегральных микросхем, для оптимизации технологических процессов. Сущность изобретения: освещают локальную область поверхности пластины модулированным монохроматическим излучением на разных длинах волн и измеряют сигналы фотоЭДС. Выбирают потоки на линейном участке зависимости сигналов фотоЭДС от них и измеряют сигналы фотоЭДС на выбранных потоках. Освещают симметричную область на обратной стороне пластины модулированным монохроматическим излучением на тех же длинах волн. Выбирают потоки на линейном участке зависимости сигналов фотоЭДС на исходной стороне пластины таким образом, чтобы отношение потоков на каждой длине волны было одинаковым, и измеряют сигналы фотоЭДС на выбранных потоках. Расчет искомых параметров проводят с использованием всех измеренных значений, учитывая толщину пластины и коэффициенты поглощения. Устройство содержит предметный столик с отверстием, перестраиваемый по длине волны источник монохроматического, регулируемого и моделированного по интенсивности излучения, два оптических элемента формирования пространственно ограниченного потока излучения, расположенных по разные стороны от плоскости столика и оптически связанных через две оптические системы передачи излучения, а также через оптический коммутатор с источником излучения, датчик фотоЭДС с электродом емкостной связи, расположенным между одним из птических элементов и плоскостью столика, причем выход датчика фотоЭДС связан со входом блока регистрации и управления, выход которого связан с источником. 2 с. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

1. Способ определения электрофизических параметров полупроводниковой пластины, включающий освещение локальной области на одной поверхности полупроводниковой пластины монохроматическими модулированными потоками излучения на длинах волн, соответствующих диапазону коэффициентов поглощения
d^-1 < α < w^-1,
где d толщина полупроводниковой пластины;
w толщина области пространственного заряда,
регистрацию сигналов фотоЭДС с освещенной локальной области первой поверхности, выбор потоков на линейном участке зависимости от них сигналов фотоЭДС, измерение сигналов фотоЭДС при выбранных потоках и определение искомых параметров расчетным путем, отличающийся тем, что дополнительно освещают потоками монохроматического модулированного излучения на тех же длинах волн локальную область на противоположной поверхности полупроводниковой пластины, расположенную симметрично локальной области первой поверхности, регистрируют сигналы фотоЭДС с локальной области первой поверхности, выбирают потоки на линейном участке зависимости от них сигналов фотоЭДС таким образом, чтобы отношение потоков при освещении локальных областей на первой и второй поверхностях на одной и той же длине волны было одинаковым для всех длин волн, при выбранных потоках проводят измерения сигналов фотоЭДС, а расчет искомых параметров проводят с использованием всех измеренных значений, учитывая толщину пластины. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что проводят измерения не менее чем на трех длинах волн, а искомые параметры диффузионную длину L, см, и скорость поверхностной рекомбинации S, см/с, на второй поверхности определяют с использованием системы уравнений

где v_i, v_i' значения сигналов фотоЭДС при освещении локальных областей на первой и второй поверхностях на длине волн λ_i, которым соответствуют коэффициенты поглощения α_i, см^-1,
C константа,
i 1, n; n ≥ 3,
D коэффициент диффузии, см²/с. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что измерения проводят не менее чем на двух длинах волн, световые потоки выбирают таким образом, чтобы их отношения при освещении первой и второй локальных областей на одной длине волны были равны заданному значению r, а искомые параметры определяют с использованием системы уравнений

где световые потоки, используемые при освещении локальных областей на первой и второй поверхностях на длинах волн λ_i, i 1, n; n ≥ 2. 4. Способ по пп.1 3, отличающийся тем, что световые потоки выбирают одинаковыми на разных длинах волн при освещении локальных областей и первой и второй поверхностей. 5. Способ по пп.1 4, отличающийся тем, что дополнительно измеряют относительный световой поток при каждом измерении сигнала фотоЭДС. 6. Способ по пп.1 5, отличающийся тем, что дополнительно при проведении измерений сигналов фотоЭДС освещают стационарным потоком участок поверхности, перекрывающий локальную область на второй поверхности. 7. Способ по пп.1 6, отличающийся тем, что область первой поверхности, с которой снимают сигнал фотоЭДС, перекрывает облучаемую локальную область на ней. 8. Устройство определения электрофизических параметров полупроводниковой пластины, содержащее предметный столик, выполненный с возможностью перемещений, перестраиваемый по длине волны источник монохроматического, регулируемого и модулированного по интенсивности излучения, оптическую систему передачи излучения, первый оптический элемент формирования пространственно-ограниченного потока излучения, расположенный вблизи поверхности столика, датчик фото-ЭДС с электродом емкостной связи, расположенным между оптическим элементом и поверхностью столика, блок регистрации и управления, причем источник через оптическую систему связан с оптическим элементом, а выход датчика фотоЭДС соединен с блоком регистрации и управления, выход которого соединен с источником, отличающееся тем, что устройство дополнительно содержит второй оптический элемент формирования пространственно ограниченного потока, расположенный со стороны столика, противоположной датчику фотоЭДС, вторую оптическую систему передачи излучения, оптический коммутатор, предметный столик, выполненный с отверстием, причем источник оптически связан через коммутатор и оптические системы передачи излучения с обоими оптическими элементами формирования пространственно-ограниченного потока, выход блока управления и регистрации связан с оптическим коммутатором. 9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что источник монохроматического, регулируемого и модулированного по интенсивности излучения содержит широкополосный излучатель, монохроматор, модулятор, калиброванный оптический аттенюатор. 10. Устройство по п.8, отличающееся тем, что источник монохроматического, регулируемого и модулированного по интенсивности излучения содержат широкополосный излучатель, набор интерференционных светофильтров, модулятор, калиброванный оптический аттенюатор. 11. Устройство по п.8, отличающееся тем, что в качестве источника монохроматического, регулируемого и модулированного по интенсивности излучения использован перестраиваемый по длине волны лазер. 12. Устройство по п.8, отличающееся тем, что источник монохроматического, регулируемого и модулированного по интенсивности излучения содержит набор дискретных по длине волны монохроматических источников, имеющих общий оптический выход. 13. Устройство по п.12, отличающееся тем, что в качестве источника излучения использован светодиод с фильтрами. 14. Устройство по п.12, отличающееся тем, что в качестве источника излучения использован инжекционный лазер. 15. Устройство по пп.8 11, отличающееся тем, что оптическая система выполнена из дискретных элементов линз и зеркал. 16. Устройство по пп.8 11, отличающееся тем, что оптическая система выполнена из световода. 17. Устройство по пп.8 15, отличающееся тем, что в качестве оптического элемента формирования пространственно-ограниченного потока излучения использована линза. 18. Устройство по пп.8 16, отличающееся тем, что в качестве оптического элемента формирования пространственно-ограниченного потока излучения использован световод с диафрагмой. 19. Устройство по пп.8 16, отличающееся тем, что в качестве оптического элемента формирования пространственно-ограниченного потока излучения использовано зеркало с диафрагмой. 20. Устройство по пп.8 19, отличающееся тем, что в качестве оптического коммутатора использовано поворотное зеркало. 21. Устройство по пп.8 19, отличающееся тем, что в качестве оптического коммутатора использован электрически управляемый дефлектор. 22. Устройство по пп.8 21, отличающееся тем, что электрод емкостной связи выполнен в виде прозрачной и проводящей пластины. 23. Устройство по пп.8 21, отличающееся тем, что электрод емкостной связи выполнен в виде проводящей пластины с отверстием. 24. Устройство по пп.8 21, отличающееся тем, что электрод емкостной связи выполнен в виде проводящей сетки. 25. Устройство по пп.8 21, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит фотоприемник, оптически связанный с обоими оптическими элементами формирования пространственно-ограниченного потока. 26. Устройство по п.25, отличающееся тем, что в качестве фотоприемника использован фотодиод. 27. Устройство по п.25, отличающееся тем, что в качестве фотоприемника использован фотоэлектронный умножитель. 28. Устройство по пп.8 27, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит второй источник излучения, оптическую систему и оптический элемент формирования пространственно-ограниченного потока излучения. 29. Устройство по пп.8 28, отличающееся тем, что датчик фотоЭДС содержит предусилитель, вход которого расположен в непосредственной близости от электрода емкостной связи. 30. Устройство по п.8, отличающееся тем, что оно содержит комбинации из более чем одного пространственно-разнесенных узлов, каждый из которых состоит из двух расположенных по обе стороны предметного столика оптических элементов формирования пространственно-ограниченного потока, связанных через оптический коммутатор с источником излучения, а также датчика фотоЭДС, электрически связанного с блоком регистрации и управления.