Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при разработке корпусов гибридных интегральных схем, монолитных интегральных полупроводниковых схем и полупроводниковых приборов С и других диапазонов.
Известен керамический корпусированный полупроводниковый прибор, например транзистор, в котором благодаря проволочной связи, металлизированным поверхностям и соединительным контактным поверхностям в схеме значительно уменьшено число паразитных элементов, предпочтительно и общего сопротивления истока транзистора. Проволочное соединение выводится одним или несколькими проводами или полосами от контактов истока кристалла на металлизированную поверхность или металлическую раму, на которой монтируется с помощью припоя из золота крышка. Металлизация выполнена в виде параллельной полосы по ширине кристалла и не расширяется в виде трапеции, в результате чего значительно уменьшается емкость связи от металлизации истока к контактной поверхности стока и контактной поверхности затвора. С помощью СВЧ-разрядников уменьшаются максимальное усилие и минимальный коэффициент шума дискретно закрытого транзистора [1]
Недостатком данного технического решения являются недостаточно высокие электрические, массогабаритные и теплорассеивающие характеристики корпуса.
Наиболее близким техническим решением является герметичный корпус полупроводниковой интегральной схемы СВЧ, содержащий диэлектрическую подложку с микрополосковыми линиями, образующими СВЧ-выводы корпуса и металлическое основание, в котором с целью расширения частотного диапазона используемого корпуса путем уменьшения рассогласования СВЧ-вывода корпуса и микрополосковых линий СВЧ-тракта и увеличения развязки между СВЧ-выводами корпуса, он снабжен копланарными линиями с центральными проводниками и с окружающей их заземляющей поверхностью, расположенными на одной из сторон диэлектрической подложки с возможностью соединения с полупроводниковой схемой СВЧ, при этом центральные проводники копланарных посредством металлических проводников, проходящих через диэлектрическую подложку, соединены с внешними выводами корпуса, расположенными на другой стороне диэлектрической подложки.
Цель изобретения улучшение электрических, массогабаритных и теплорассеивающих характеристик, а также расширение рабочего диапазона частот использования корпуса.
Поставленная цель достигается тем, что в известной конструкции корпуса гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащей металлическое основание, диэлектрическую пластину, с микрополосковыми линиями на одной стороне, которые посредством металлических проводников, проходящих через диэлектрическую пластину соединены с внешними выводами, расположенными на другой ее стороны, и крышку, герметично соединенную с поверхностью диэлектрической пластины, в центре диэлектрической пластины выполнено отверстие для размещения интегральной схемы, причем размер отверстия обеспечивает расстояние между схемой и краем отверстия 0 oC 250 мкм, а толщина пластины обеспечивает расположение поверхности схемы и поверхности пластины с микрополосковыми линиями в одной плоскости, диаметр сечения металлических проводников, проходящих через пластину, составляет 0,1 oC 1,0 от ширины микрополосковой линии, металлическое основание совместно с системой выводов корпуса и имеет толщину 0,03 oC 1,2 мм и перекрывает отверстие в диэлектрической пластине на величину 0,1 oC 1,5 мм и герметично соединено с ней.
Крышка может быть выполнена металлической, а боковая поверхность диэлектрической пластины частично металлизирована за исключением мест вокруг выводов, причем расстояние от вывода до металлизации боковой поверхности пластины равно 0,9 oC 1,1 ширины вывода.
Между крышкой и диэлектрической пластиной может быть расположена диэлектрическая рамка, металлизированная по внешней боковой и верхней прилегающей к крышке поверхности, герметично соединения с ними, причем ширина рамки обеспечивает перекрытие мест прохождения металлических проводников через диэлектрическую пластину на величину 0 oC 1 мм.
Крышка может быть выполнена плоской, из диэлектрического материала, причем толщина крышки может быть выбрана из соотношения где h - толщина крышки, l длина волны, 4 e диэлектрическая проницаемость материала крышки, а в отверстии пластины на металлическом основании может быть расположена и закреплена пластина из тепло- и электропроводящего материала.
Расположение микрополосковых линий на периферийной части диэлектрической пластины позволило выполнить отверстие в центральной части пластины для расположения схемы, что в свою очередь позволяет уменьшить высоту корпуса и тем самым улучшить массогабаритные характеристики, а также закрепить схему на металлическом основании и тем самым улучшить теплорассетвающие характеристики.
Ограничение размера отверстия в диэлектрической пластине снизу позволяет максимально близко расположить схему к микрополосковой линии, расположенной у края отверстия в пластине, а значит, уменьшить длину соединительных проводников и тем самым снизить паразитную индуктивность и улучшить электрические характеристики, а сверху значительно удалить проводник, а значит, и увеличить паразитную индуктивность и тем самым ухудшить электрические характеристики.
Толщина пластины, обеспечивающая расположение поверхности пластины с микрополосковыми линиями в одной плоскости с поверхностью схемы, позволяет снизить длину соединительных проводников, соединяющих контактные площадки и микрополосковые линии на диэлектрической пластине, а значит, снизить паразитные индуктивности выводов и тем самым улучшить электрические характеристики.
Совмещенные металлического основания с системой выводов корпуса ( с выводной рамкой) позволяет упростить конструкцию, а ограничение толщины основания, а в данном случае и толщина выводов снизу объясняется снижением прочности и жесткости конструкции корпуса и выводов, а сверху увеличением теплового сопротивления основания, а значит, ухудшением теплорассеивающих характеристик.
Выполнение крышки металлической и наличие металлизации на боковой поверхности диэлектрической пластины за исключением мест вокруг выводов обеспечивают электро радиоэкранировку схемы, расположенной в корпусе, а расстояние от вывода до металлизации ограничено снизу влиянием металлизации пластины на сигнал, проходящей по сигнальному проводнику (выводу), а сверху - ухудшением электрорадиогерметичности корпуса.
Расположение между крышкой и диэлектрической пластиной с микрополосковыми линиями диэлектрической рамки, металлизированной по внешней боковой поверхности и герметично соединенной с ними, позволяет уменьшить длину и ширину корпуса за счет выноса мести соединения крышки в другую плоскость и тем самым улучшить массогабаритные характеристики за счет увеличения полезно используемой площади, а кроме того, позволит повысить герметичность за счет уплотнения мест прохождения через диэлектрическую пластину, а металлизация ее на внешней боковой стороне способствует электро- и радиогерметичности корпуса.
Перекрытие рамкой мест прохода проводников через диэлектрическую пластину ограничено снизу условиями повышения герметичности, а сверху увеличением размеров корпуса, а значит, ухудшением массогабаритных характеристик.
Выполнение крышки плоской и из диэлектрического материала и выбор толщины их приведенного соотношения позволяют улучшить массогабаритные характеристики при минимальном влиянии крышки на электрическую схему.
Размещение на основании корпуса тепло- и электропроводящей прокладки позволяет выравнить по высоте схему и диэлектрическую пластину и снизить длину соединительных проводников, тем самым уменьшить паразитную индуктивность, а значит, улучшить электрические характеристики.
На фиг. 1-2 представлен разрез, вид сверху (без крышки) и вид снизу предлагаемого корпуса, где показаны диэлектрическая пластина 1; микрополосковые линии 2; металлические проводники 3; внешние выводы 4; металлическое основание 5; крышка 6; отверстие в диэлектрической плате 7; металлизация боковой поверхности платы 8.
На фиг. 3 изображен разрез и вид сверху (без крышки) корпуса для интегральной схемы СВЧ, где показаны диэлектрическая рамка 9; металлизация рамки 10.
На фиг. 4 изображен разрез корпуса в плоской диэлектрической крышкой, где показана пластина из тепло- и электропроводного материала 11.
Пример. Корпус интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащий диэлектрическую пластину 1, например, из алюмоксидной керамики 22хC или поликора размером 9х9 ММ х 0,5 мм, с микрополосковыми линиями 2 со структурой, например, паста Pd/Au или Ti (100 Ом/) Pd (0,2 мкм) Au (3 мкм) и шириной 0,5 мм, на одной стороне, с металлическими проводниками 3,например, в виде отверстия, заполненного металлизационной пастой, или металлизированного отверстия заполненное проемом Au Si или гальванически заращенного медью. Проводники 3 проходят через отверстия в диэлектрической пластине 1, соединены с внешними выводами 4, например, выполненными из сплава МД-50 толщиной 100 мкм с покрытием Ni (0,5 мкм) Au (3 мкм), расположенными на другой стороне пластины 1. Металлическое основание 5 выполнено, например, МД-50 толщиной 100 мкм с покрытием Ni (0,5 мкм) А (3 мкм). Крышка выполнена, например, также из МД-50 толщиной 100 мкм с покрытием Ni (0,5 мкм) и Au (3 мкм), высотой 2 мм. Микрополосковые линии 2 расположены на периферийной части диэлектрической пластины 1 в пределах, например, 2 мм от края. В центре пластины 1 выполнено отверстие 7 размером 5,1х5,1 мм для размещения интегральной схемы, например гибридной интегральной схемы размером 5х5-0,5 мм. Расстояние между схемой и краем отверстия равно 50 мкм. Диаметр сечения металлических проводников 3, проходящих через пластину 1, составляет 0,9 от ширины микрополосковой линии, т. е. 0,4 мм. Металлическое основание 5 выполнено в составе выводной рамки, т. е. совмещено с системой выводов корпуса, и выбрано, например, толщиной 50 мкм. Перекрытие отверстия 7 в диэлектрической пластине 1 металлическим основанием составляет величину; например, 0,3 мм. Основание герметично соединено с диэлектрической пластиной, например, методом, указанным в [3] или припаяно припоем Au Si эвтектического состава к предварительно металлизированной поверхности диэлектрической пластины, например, покрытой металлизационной пастой Pd/Au с последующим отжигом. Боковая поверхность 8 диэлектрической пластины 1 может быть частично металлизирована, например, покрыта металлизационной пастой Pd/Au за исключением мест вокруг выводов на расстоянии 0,5 мм от выводов.
Между крышкой 6 и диэлектрической пластиной 1 может быть расположена диэлектрическая рамка 9, например из керамики 22хc размером 9х9х0,5 мм, метеллизированная по внешней боковой поверхности 10, металлизированной пастой.
Рамка 9 герметично соединена с диэлектрической пластиной 1, например, спрессована или соединена стеклом, а с крышкой спаяна по предварительно металлизированной поверхности. Ширина рамки 9 обеспечивает перекрытие мест прохождения металлических проводников 3 через диэлектрическую пластину 1 на величину, например, 200 мкм. Крышка может быть выполнена плоской, например, из кварца, толщиной 200 мкм. В отверстии 7 на металлическом основании 5 может быть закреплена пластина 11, например, из МД-50. В случае применения рамки 9 отверстие 7 может быть 6,1х6,1 мм, а схема будет размером 6х6х0,5 мм.
Устройство работает следующим образом. Сигнал поступает по выводам корпуса, через микрополосковые линии и соединительные проводники и гибридной интегральной схеме, проходит соответствующую обработку (усиление, преобразование частоты, смещение, переключение на разные выводы, ограничение и т.п.). Преобразованный сигнал снимается с выходных выводов корпуса. Теплота, выделяемая схемой, отводится через металлическое основание, а такие через диэлектрическую пластину и плоскую крышку. Таким образом создаются лучшие условия для теплорассеивания.
Использование предлагаемого корпуса позволит по сравнению с прототипом улучшить электрические характеристики за счет коротких соединительных проводников и согласования микрополосковых линий и внешних выводов; улучшить массогабаритные характеристики за счет уменьшения веса и габаритных размеров; улучшить теплорассеивающие характеристики за счет исключения под схемой диэлектрической пластины и уменьшения толщины металлического основания, а значит, снижения теплового сопротивления.
Источники информации
1. Патент ГДР N 240029, кл. H 01 L 29/76, 21,58, 21/60, приоритет 05.08.85 г. публикация 15.10.86 г.
2. А.с. СССР N 1393259, приоритет 22.09.86 г. кл. H 01 L 23/56.
3. Патент Японии 1-50448, кл. H 01 L 23/02, 23/08, 23/34, публикация 27.02.89 г.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ГЕРМЕТИЧНЫЙ КОРПУС ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ | 1989 |
|
RU2012172C1 |
ГИБРИДНОЕ ИНТЕГРАЛЬНОЕ ВАКУУМНОЕ МИКРОПОЛОСКОВОЕ УСТРОЙСТВО | 1994 |
|
RU2073936C1 |
МНОГОСЛОЙНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ И КВЧ ДИАПАЗОНОВ | 1992 |
|
RU2088057C1 |
МНОГОСЛОЙНАЯ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ | 1992 |
|
RU2071646C1 |
ГЕРМЕТИЧНЫЙ КОРПУС ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА ИЛИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА | 2011 |
|
RU2489769C1 |
КОРПУС СВЧ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ | 2018 |
|
RU2690092C1 |
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА | 2010 |
|
RU2450388C1 |
СВЧ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА | 1994 |
|
RU2076473C1 |
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА | 1991 |
|
RU2067363C1 |
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА | 2005 |
|
RU2302056C1 |
Область использования изобретения: изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения заключается в том, что в корпусе для интегральной схемы СВЧ-диапазона, содержащей металлическое основание 5 корпуса, расположенную на нем одной своей стороной с внешними выводами диэлектрическую пластину 1 с микрополосковыми линиями 2 на ее противоположной стороне по периферии, которые электрически соединены с внешними выводами 4 посредством сквозных металлических проводников в диэлектрической пластине 1, интегральную схему СВЧ-диапазона 4, размещенную на диэлектрической пластине 1 и электрически соединенную с ее микрополосковыми линиями 2, и крышку 6 корпуса, герметично соединенную по периметру с диэлектрической пластиной 1, в центре диэлектрической пластины 1 выполнено отверстие 2, диаметр поперечного сечения сквозных металлических проводников 3 диэлектрической пластины 1 составляет 0,1 - 1,0 от ширины микрополосковой линии 2 диэлектрической пластины 1, металлическое основание 5 корпуса расположено в одной плоскости с внешними выводами, выполнено толщиной 0,03 - 1,5 мм с возможностью перекрытия отверстия 7 диэлектрической платины 1, величина которого составляет 0,1 - 1,5 мм, и герметично соединено с диэлектрической пластиной 1, причем интегральная схема СВЧ-диапазона размещена в отверстии 7 диэлектрической пластины 1 с зазором между ней и стенками отверстия, величина которого составляет не более 250 мкм, заподлицо с поверхностью диэлектрической пластины 1 с микрополосковыми линиями 2 с возможностью теплового контакта с основанием 5 корпуса. 6 з.п. ф., 4 ил.
где h толщина крышки, м;
l - длина волны, м;
ε - диэлектрическая проницаемость материала крышки.
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
УСИЛИТЕЛЬ ПОСТОЯННОГО ТОКА | 0 |
|
SU240029A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Авторское свидетельство СССР N 1393259, кл | |||
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Насадка для гидравлического бурения | 1961 |
|
SU150448A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1997-05-20—Публикация
1992-12-31—Подача