ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ ДЛЯ НАБОРНЫХ ЭКРАНОВ Российский патент 1997 года по МПК H01J17/49 

Изобретение относится к газоразрядной технике и может быть использовано при создании индикаторных устройств коллективного пользования для отображения знакографической и видеоинформации.

Наиболее близким устройством того же назначения к предложенному является газоразрядная индикаторная панель для наборных экранов, содержащая перекрещивающиеся системы электродов, образующих ячейки индикации, расположенные между имеющими одинаковое направление продольных осей верхней и нижней диэлектрическими пластинами, верхняя из которых имеет большую ширину и длину, причем пластин расположены одна над другой, образуя краевыми частями по периметру панели уступ, в котором размещен внешний шов герметизации. (SU 886655, кл. H 01 Z 17/49, 1955).

К недостаткам данной ГИП, принятой за прототип, относится то, что в этой конструкции шов герметизации, находящийся на боковой стороне панели, экранирует излучения, проходящего через боковую грань верхней пластины. Таким образом, угол обзора крайних ячеек индикации остается меньше угла обзора ячеек, расположенных по полю индикатора.

Основной задачей изобретения является создание конструкции ГИП с высоким качеством отображения информации на наборном экране путем увеличения угла обзора крайних ячеек индикации, обеспечивающего уменьшение видимости шва герметизации.

Указанный технический результат достигается тем, что в известной газоразрядной индикаторной панели для наборных экранов, содержащей перекрещивающиеся системы электродов, образующих ячейки индикации, расположенные между имеющими одинаковое направление продольных осей верхней и нижней диэлектрическими пластинами, верхняя из которых имеет большую ширину и длину, причем пластины расположены одна над ругой, образуя краевыми частями по периметру панели уступ, в котором размещен внешний шов герметизации, при этом ширина стороны уступа, образованная верхней пластиной /t/ определятся согласно выражения:
1/3 t_ст< t < t_ст
где t_ст толщина верхней диэлектрической пластины.

В предлагаемой конструкции ГИП визуально уменьшена видимость шва герметизации за счет увеличения угла обзора крайних ячеек в результате использования верхней пластины с большими размерами, чем у нижней пластины. Выбор размеров пластин согласно предлагаемому выражению позволяет исключить наличие герметизирующего материала на боковых частях верхней пластины, в результате чего выступающие части верхней пластины пропускают по стеклу излучение из крайних ячеек индикации одной панели до соседнего индикатора, увеличивая угол обзора крайних элементов отображения до величин угла обзора элементов отображения, расположенных посередине поля индикатора. Изменение конструкции шва герметизации, не снижая его прочности, упрощает технологический процесс герметизации индикаторов.

Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации и выявление источников, содержащих сведения об аналогах изобретения, позволил установить, что заявителем не обнаружен аналог, характеризующийся признаками, идентичными всем существенным признакам изобретения, а определение из перечня выявленных аналогов, прототипа, как наиболее близкого по совокупности признаков аналога, позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков в предложенном объекте, изложенных в формуле изобретения.

Следовательно, изобретение соответствует требованию "новизна" по действующему законодательству.

Для проверки соответствия изобретения требованию изобретательского уровня заявитель провел дополнительный поиск известных решений, с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками изобретения, результаты которого показывают, что изобретение не следует для специалиста явным образом из известного уровня техники, так как не выявлено техническое решение, в котором увеличение угла обзора достигалось за счет выполнения его лицевой пластины большего размера, чем нижней пластины, с обеспечением предлагаемого соотношения между ними.

Следовательно, изобретение соответствует требованию "изобретательский уровень" по действующему законодательству.

На фиг. 1 представлен один из вариантов ГИП с узким внешним швом герметизации схемой распространения излучения из крайних ячеек ГИП; на фиг. 2 зависимость яркости излучения крайних ячеек ГИП от угла обзора панели: а) в предлагаемой конструкции; б) в известной конструкции ГИП с узким внешним швом герметизации, например в ГИП по авт. св. СССР N 1074301.

ГИП (фиг. 1) содержит верхнюю диэлектрическую пластину 1 с системами взаимно перекрещивающихся анодов 2 и катодов 3 и нижнюю диэлектрическую пластину 4 с люминофором 5 на ее внутренней поверхности и разделительными элементами 6, выполненными в виде взаимно перпендикулярных систем барьеров, причем ГИП герметизируется внешним узким швом герметизации 7, который размещен в уступе 8, формируемым боковой поверхностью нижней пластины и узким нижним краем верхней пластины.

ГИП работает следующим образом. При подаче импульсов напряжения на электроды в соответствующих ячейках зажигается разряд, отображающий нужную информацию. Если верхняя пластина ГИП, имеющая большие, чем у нижней пластины длину и ширину, выступает по краям относительно последней на величину, определяемую из выражений
1/3 t_ст< t < t_ст
где t_ст толщина верхней диэлектрической пластины,
то излучение из крайних ячеек распространяется сквозь стекло лицевой стеклопластины во все стороны, не встречая преграды по краям обзора, как и по полю индикатора до 70 80^o (фиг. 2а). Угол обзора известных ГИП с узким боковым швом герметизации не превышает 45^o (фиг. 2б).

Если ширина уступа t=1,0 t_ст, то угол обора крайних ячеек ГИП достигает максимальной величины 70 80^o. При дальнейшем возрастании t не происходит увеличение угла обзора крайних ячеек. Однако увеличивается нежелательное удаление крайних ячеек индикации стыкуемых панелей друг от друга, приводящее к искажению информации.

При t < 1/3 t_ст угол обзора крайних ячеек ГИП снижается до 45^o и становится равным углу обзора ГИП с узким внешним швом герметизации, увеличивая видимость герметизирующего шва в месте стыковки панелей.

Технический эффект увеличение угла обзора обеспечивается в ГИП независимо от способа возбуждения разряда переменным или постоянным током.

В ГИП, выполненной согласно изобретению, содержащей 4096 ячеек информации размером 3х3 мм с катодами и анодами из проволоки 47 НД ⊘ 0,12 мм и наполненной смесью e + 30% He + 30% Xe при давлении 105 мм рт. ст. верхняя пластина сделана больше нижней на 2 мм. При толщине применяемого стекла t_ст= 2,5 мм ширина стороны уступа t=1 мм, что составляет 0,4 t_ст и равно 0,33 d_эл. Яркость свечения крайних ячеек с люминофором ФГИ 520-1 составляет 150 кд/м² и практически не изменяется при наблюдении под углом обзора до 75^o.

Таким образом, предлагаемая ГИП для наборных экранов, используемая для воспроизведения знакографической и телевизионной информации, позволит улучшить восприятие информации с экранов коллективного использования за счет увеличения угла обзора крайних ячеей панели.

Изобретение относится к газоразрядной технике и может быть использовано при создании индикаторных устройств коллективного пользования для отображения знакографической и видеоинформации. Увеличение угла обзора крайних ячеек индикации панели обеспечивается за счет того, что верхняя пластина ГИП, имеющая большую ширину и длину, чем нижняя пластина, выступает относительно нижней пластины по всему периметру панели на величину, определяемую согласно соотношений 1/3 t_ст< t < t_ст; где: t_ст - толщина верхней диэлектрической пластины. 2 ил.

Газоразрядная индикаторная панель для наборных экранов, содержащая перекрещивающиеся системы электродов, образующих ячейки индикации, расположенные между двумя имеющими одинаковое направление продольных осей диэлектрическими пластинами, верхняя из которых имеет большую ширину и длину, причем пластины расположены одна над другой, образуя краевыми частями по периметру панели уступ, в котором размещен внешний шов герметизации, отличающаяся тем, что ширина t стороны уступа, образованной верхней пластиной определяется согласно выражению
1/3 t_с т < t < t_с т,
где t_с т толщина верхней диэлектрической пластины.