ПЛАЗМЕННОЕ УСТРОЙСТВО, ПРЕДНАЗНАЧЕННОЕ ДЛЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ДИСПЛЕЯ Российский патент 1999 года по МПК G02F1/1333 

Настоящее изобретение относится к плазменному устройству, предназначенному для жидкокристаллического дисплея, для возбуждения жидкого кристалла за счет использования плазмы для воспроизведения на экране дисплея "живого" рельефного изображения.

Известный уровень техники
Известно устройство, использующее разрядную плазму в качестве устройства для возбуждения жидкого кристалла дисплея для воспроизведения на экране дисплея рельефного изображения (см., например, выложенную заявку Японии N 265931/1992).

Предложенное устройство, использующее плазму, которое предназначено для жидкокристаллического дисплея, содержит, как показано на фиг. 1, стекло 12 на стороне жидкого кристалла, имеющее множество электродов 11, расположенных параллельно друг другу, стекло основания (подложка) 14, имеющее множество разрядных электродов 13, расположенных параллельно друг другу в положении перпендикулярно к электродам 11, стекло 15 тонкой пластины, установленное между стеклом 12 на стороне жидкого кристалла и стеклом 14 подложки, слой 16 жидкого кристалла между стеклом 12 на стороне жидкого кристалла и стеклом 15 тонкой пластины, множество барьерных ребер 18, образованных на разрядных электродах 13 внутри разрядной камеры 17, образованной между стеклом 14 подложки и стеклом 15 тонкой пластины, и фритту 19 для уплотнения разрядной камеры 17.

Стекло 12 на стороне жидкого кристалла является плоским, непроводящим и достаточно прозрачным с оптической точки зрения. На основной поверхности стекла 12 на стороне жидкого кристалла образовано множество ленточных электродов 11, а слой 16 жидкого кристалла, состоящий из жидкого кристалла, расположен в контакте с электродами 11. В более практическом смысле, множество электродов 11, образованных с заданной шириной на основной поверхности стекла 12 на стороне жидкого кристалла противоположно стеклу 14 подложки, изготовлены из прозрачного проводящего материала, например из окиси индия-олова (1ТО), который является прозрачным с оптической точки зрения. Кроме того, эти электроды 11 расположены параллельно друг другу и, например, в вертикальном направлении экрана дисплея.

Слой 16 жидкого кристалла удерживается тонкой стеклянной пластиной 15, которой является тонкая диэлектрическая, пластина, а между ними расположено стекло 12 на стороне жидкого кристалла. Посредством стекла 12 на стороне жидкого кристалла, слоя 16 жидкого кристалла и стекла 15 тонкой пластины образована так называемая ячейка жидкого кристалла. Это стекло 15 тонкой пластины действует в качестве изолирующего защитного слоя между слоем 16 жидкого кристалла и разрядной камерой 17, которая будет описана.

С другой стороны, стекло 14 подложки, на котором образовано множество разрядных электродов 13 в виде ленточных электродов, и стекло 15 тонкой пластины приспособлены так, что их периферии уплотнены фриттой, которая является герметиком. Кроме того, пространство, образованное между стеклом 14 подложки и стеклом 15 тонкой пластины, служит в качестве разрядной камеры 17 для создания разрядной плазмы.

Соответствующие разрядные электроды 13 расположены на одинаковом расстоянии на стекле 14 подложки. Кроме того, на этих разрядных электродах 13 образованы печатанием, как будет описано, барьерные ребра 18, соответственно служащие в качестве преграды. Разрядная камера 17 разделена этим множеством барьерных ребер 18, таким образом, она разделена на соответствующие плазменные камеры P₁, P₂..., которые образуют, соответственно, независимо разрядные каналы.

В более практическом смысле, множество разрядных электродов 13, образованных на основной поверхности стекла 14 подложки противоположно стеклу 12 на стороне жидкого кристалла, образованы непосредственно на стекле 14 подложки путем печатания с применением проводящей пасты, включающей в себя, например, серебряный порошок. Также эти разрядные электроды 13 расположены параллельно друг другу, причем направление их расположения является перпендикулярным к электродам 11, образованным на описанном стекле 12 на стороне жидкого кристалла. А именно, эти разрядные электроды 13 расположены в горизонтальном направлении относительно экрана дисплея. Таким образом, соответствующие плазменные камеры P₁, P₂... соответствуют, например, соответствующим строкам развертки в пределах изображения на экране дисплея. В соответствующих плазменных камерах P₁, P₂... герметично уплотнен ионизируемый газ. В качестве такого ионизируемого газа применяют гелий, неон, аргон или смеси этих газов.

Барьерные ребра 18 образованы для каждого элемента развертки на ленточных разрядных электродах 13. В более практическом смысле, барьерные ребра 18 образуют путем набивки множества раз, методом укладки в стопу, стеклянной пасты, в которую подмешивают керамику, например, окись алюминия методом набивки, например, посредством трафаретной печати, причем они также служат для ограничения расстояния между стеклом 14 подложки и стеклом 15 тонкой пластины (дальше будет называться как интервал промежутка разрядной камеры 17). Интервал промежутка разрядной камеры 17 можно регулировать путем регулирования операций трафаретной печати во время образования барьерных ребер 18 или количества стеклянной пасты во время каждого печатания. Обычно интервал промежутка составляет примерно 200 мкм.

Разрядные электроды 13 действуют в качестве анодного или катодного электрода, и разрядные электроды состоят из пар таких электродов. В том случае, когда барьерные ребра 18 образованы на разрядных электродах 13, как было описано, то соответствующие одни разрядные электроды 13 обычно применяют со смежными плазменными камерами в соответствующих плазменных камерах P₁, P₂... , разделенных этими барьерными ребрами 18. А именно, например, разрядный электрод 13 между плазменной камерой P₁ и плазменной камерой P₂ служит в качестве разрядного электрода плазменной камеры P₁ и разрядного электрода плазменной камеры P₂.

Теперь будет описан кратко способ изготовления упомянутого плазменного устройства, предназначенного для жидкокристаллического дисплея.

Сначала образуют множество разрядных электродов 13 на стеклянной подложке 14 для изготовления барьерных ребер 18 путем печатания так, чтобы они были уложены в стопу на этих разрядных электродах 13. Затем наносят фритту 19 на периферии барьерных ребер 18 для образования разрядной камеры 17. После этого прикрепляют тонкую стеклянную пластину 15 на верхних участках барьерных ребер 18 для вакуумирования внутренней полости разрядной камеры 17 для заполнения ее затем газом.

При этом толщина тонкой стеклянной пластины 15 составляет примерно 50 мкм. Тонкая стеклянная пластина 15 действует в качестве изолирующего защитного слоя между слоем 16 жидкого кристалла и разрядной камерой, как было описано. В процессе вакуумирования и инжекции газа, как показано на фиг. 1, прилагается большое усилие к участкам Q₁, Q₂ тонкой стеклянной пластины 15, т. е. к участкам Q₁, Q₂, где тонкая стеклянная пластина 15 находится в контакте с кромочными частями барьерных ребер 18. Кроме того, внутри стекла могут присутствовать небольшие трещины, так называемые микротрещины.

Таким образом, в описанном плазменном устройстве, предназначенном для жидкокристаллического дисплея, существует проблема, что микротрещины на участках Q₁, Q₂ тонкой стеклянной пластины 15 будут увеличиваться в размере в результате процесса вакуумирования и инжекции газа, таким образом, стекло 15 тонкой пластины будет растрескиваться или разрушаться.

Ввиду реальных обстоятельств, которые были описаны, целью настоящего изобретения является создание плазменного устройства, предназначенного для жидкокристаллического дисплея, способного исключить растрескивание или повреждение стеклянной тонкой пластины.

Описание изобретения
Плазменное устройство, предназначенное для жидкокристаллического дисплея, в соответствии с настоящим изобретением содержит первую подложку, имеющую множество первых электродов, расположенных по существу параллельно друг другу на одной основной поверхности первой подложки, вторую подложку, имеющую множество вторых электродов, расположенных по существу параллельно друг другу в положении по существу перпендикулярно к первым электродам на основной поверхности противоположно первым электродам на первой подложке, лист диэлектрика, расположенный между первой и второй подложками, слой жидкого кристалла между первой подложкой и листом диэлектрика, множество барьеров, образованных вдоль вторых электродов внутри разрядной камеры, образованной между второй подложкой и листом диэлектрика, и уплотняющий элемент, расположенный так, чтобы уплотнять разрядную камеру. В плазменном устройстве, предназначенном для жидкокристаллического дисплея, расстояние между барьерами и расстояние между барьером, установленным вблизи уплотняющего элемента, и уплотняющим элементом составляет 1,8 мм или меньше.

В этом случае лист диэлектрика имеет толщину 50 мкм или меньше, а барьеры образованы на вторых электродах или между вторыми электродами. Кроме того, вторые электроды состоят из анодного и катодного электродов, причем барьеры образованы соответственно только на анодных электродах.

Также предпочтительно, чтобы расстояние между барьером, установленным вблизи уплотняющего элемента, и уплотняющим элементом равнялось 0,8 мм или меньше.

Краткое описание чертежей
Фиг. 1 - схематический вид в поперечном разрезе, показывающий конструкцию известного плазменного устройства, предназначенного для жидкокристаллического дисплея.

Фиг. 2 - схематический вид в поперечном разрезе, показывающий конструкцию плазменного устройства, предназначенного для жидкокристаллического дисплея, согласно первому варианту выполнения изобретения.

Фиг. 3 - вид спереди, показывающий конструкцию плазменного устройства, предназначенного для жидкокристаллического дисплея.

Фиг. 4 - схематический вид в поперечном разрезе, показывающий существенную часть плазменного устройства, предназначенного для жидкокристаллического дисплея.

Фиг. 5 - схематический вид в поперечном разрезе, показывающий существенную часть плазменного устройства, предназначенного для жидкокристаллического дисплея.

Фиг. 6 - схематический вид в поперечном разрезе, показывающий существенную часть плазменного устройства, предназначенного для жидкокристаллического дисплея, согласно второму варианту воплощения изобретения.

Фиг. 7 - схематический вид в поперечном разрезе, показывающий существенную часть плазменного устройства, предназначенного для жидкокристаллического дисплея, согласно третьему варианту воплощения изобретения.

Оптимальный способ осуществления изобретения
Теперь конкретные исполнения плазменного устройства, предназначенного для жидкокристаллического дисплея, в соответствии с этим изобретением будут описаны со ссылкой на приложенные чертежи.

Плазменное устройство, предназначенное для жидкокристаллического дисплея, в соответствии с настоящим изобретением, содержит, как показано, например, на фиг. 2, стекло 22 на стороне жидкого кристалла, имеющее множество электродов 21, расположенных на одной его основной поверхности по существу параллельно друг другу, стекло 24 подложки, имеющее множество разрядных электродов 23, расположенных по существу параллельно друг другу в положении по существу перпендикулярно к электродам 21 на основной поверхности противоположно электродам 21 на стекле 22 на стороне жидкого кристалла, лист диэлектрика 25 между стеклом 22 на стороне жидкого кристалла и стеклом 24 подложки, слой 26 жидкого кристалла, расположенный между стеклом 22 на стороне жидкого кристалла и листом диэлектрика 25, множество барьерных ребер 28, образованных на разрядных электродах 23 внутри разрядной камеры 27, образованной между стеклом 24 подложки и листом диэлектрика 25, и уплотняющий элемент 29, установленный так, чтобы уплотнять разрядную камеру 27.

Стекло 22 на стороне жидкого кристалла является плоским и непроводящим и достаточно прозрачным с оптической точки зрения. Множество ленточных электродов 21, имеющих заданную ширину, расположены по существу параллельно друг другу на основной поверхности противоположно листу диэлектрика 25.

Направление расположения этих электродов 21 является, например, вертикальным направлением экрана дисплея. Также электроды 21 образованы из прозрачного проводящего материала, например окиси индия-олова (1ТО), которая является прозрачной с оптической точки зрения.

Слой 26 жидкого кристалла состоит, например, из жидкого кристалла, и он расположен между стеклом 22 на стороне жидкого кристалла и листом диэлектрика 25 в положении контакта с электродами 21.

Лист диэлектрика 25 состоит, например, из стекла в форме тонкой пластины. Для обеспечения достаточного электрического соединения между слоем 26 жидкого кристалла и разрядной камерой 27, которая будет описана, стекло в форме тонкой пластины должно иметь толщину, например, 50 мкм. А именно, так называемая ячейка жидкого кристалла образована стеклом 22 на стороне жидкого кристалла, слоем 26 жидкого кристалла и листом диэлектрика 25. Лист диэлектрика 25 действует в качестве изолирующего защитного слоя между слоем 26 жидкого кристалла и разрядной камерой 27.

С другой стороны, на стекле 24 подложки расположено множество разрядных электродов 23 по существу параллельно друг другу в положении по существу перпендикулярно к электродам 21 на основной поверхности противоположно электродам 21 на стекле 22 на стороне жидкого кристалла. А именно, направление расположения множества разрядных электродов 23 является, например, горизонтальным направлением экрана дисплея, и разрядные электроды 23 образованы для каждого элемента развертки. Эти разрядные электроды выполнены непосредственно в форме ленты на стекле 24 подложки путем печатания с применением проводящей пасты, включающей в себя, например, серебряный порошок, таким образом они имеют заданную ширину.

Кроме того, в плазменном устройстве, предназначенном для жидкокристаллического дисплея, имеющем конструкцию, в которой барьерные ребра 28, которые будут описаны, образованы на разрядных электродах 23, как показано на фиг. 2, например, разрядные электроды 23 расположены таким образом, что расстояние между барьерными ребрами 28 и расстояние между барьерным ребром 28 и уплотняющим элементом 29, который будет описан, равны 1,8 мм или меньше. В этом варианте исполнения расстояние между барьерными ребрами 28 равно 0,65 мм, а расстояние между барьерным ребром 28 и уплотняющим элементом 29 равно 1,0 мм.

Стекло 24 подложки, на котором образовано множество разрядных электродов 23 в форме ленточного электрода, уплотнено и поддерживается на его периферии уплотняющим элементом 29, причем оно расположено на заданном расстоянии от листа диэлектрика 25. Уплотняющий элемент 29 образуют путем нанесения, например, порошкообразного стекла (фритта), таким образом, толщина становится равной заданному значению. Обычно толщина уплотняющего элемента 29 равна примерно 200 мм. Также пространство, образованное между стеклом 24 подложки и листом диэлектрика 25, служит в качестве разрядной камеры 27, которая образует разрядные каналы.

Разрядная камера 27, образованная между стеклом 24 подложки и листом диэлектрика 25, разделена вдоль разрядных электродов 23 множеством барьерных ребер 28, которые образованы соответственно на разрядных электродах 23, как показано, например, на фиг. 2, и, следовательно, разделена на плазменные камеры P₁, P₂. .. соответственно независимые. А именно, барьерные ребра 28 также образованы для каждого элемента развертки на соответствующих ленточных разрядных электродах 23. Таким образом, соответствующие плазменные камеры P₁, P₂. . . соответствуют, например, соответствующим строкам развертки в пределах изображения на экране дисплея. Барьерное ребро 28 образуют путем печатания множество раз, способом укладки в стопу, стеклянной пасты, в которую подмешивают керамику, например окись алюминия, методом печати, например трафаретной печати, и, следовательно, оно также служит для ограничения расстояния между стеклом 24 подложки и листом диэлектрика 25. Расстояние между стеклом 24 подложки и листом диэлектрика 25 можно регулировать путем регулирования количества операций трафаретной печати во время образования барьерных ребер 28 или количества стеклянной пасты во время каждого печатания. Обычно такое расстояние равно примерно 200 мкм.

Ионизируемый газ герметично уплотнен в плазменных камерах P₁, P₂..., образованных таким образом. В качестве такого ионизируемого газа применяют гелий, неон, аргон или их смеси.

В плазменном устройстве, предназначенном для жидкокристаллического дисплея, например, видеосигнал подается к электродам 21, расположенным в вертикальном направлении относительно экрана дисплея, и заданное напряжение прилагается через пару разрядных электродов 23 внутри плазменной камеры P₁, соответствующей строке развертки, для образования плазменного разряда в плазменной камере P₁ для воспроизведения на экране дисплея изображения картины.

В более практическом смысле, разрядные электроды действуют в качестве анодного или катодного электрода во время последовательного приложения потенциала. Когда, например, один разрядный электрод 23 заземлен (прилагают напряжение величиной 0 вольт), а ко всем остальным разрядным электродам 23 прилагают отрицательный потенциал, заземленный разрядный электрод 23 становится анодным электродом, и разрядные электроды на обеих сторонах заземленного разрядного электрода 23 становятся катодами. Таким образом, плазменный разряд происходит внутри плазменных камер на обеих сторонах заземленного разрядного электрода 23. Посредством смещения разрядного электрода 23, чтобы он был заземленным, например, синхронно с горизонтальным сканированием видеосигнала, можно переместить плазменные камеры для подвергания разряду синхронно с горизонтальным сканированием.

Также слой 26 жидкого кристалла действует в качестве стробирующего конденсатора аналогового напряжения, прилагаемого к электродам 21, образованным на стекле 22 на стороне жидкого кристалла, а (произвольно выбранная) плазменная камера P₁ действует в качестве переключателя выборки. Таким образом, осуществляется воспроизведение изображения. А именно, слой 26 жидкого кристалла можно рассматривать как модель конденсатора и подвергнуть декомпозиции на емкостную ячейку жидкого кристалла, образованную на участке, где электроды 21 и плазменная камера P₁, перекрывают друг друга.

Допустим теперь, что к разрядному электроду 23 прилагается аналоговое напряжение, напряжение величиной О вольт прилагается к одному разрядному электроду 23 в виде стробирующего импульса и внутри плазменной камеры P₁ находится разрядная плазма, тогда имеет место операция так называемого плазменного переключения. Таким образом, та часть, которая находится в контакте с плазменной камерой P₁, листа диэлектрика 25 и разрядный электрод 23, служащий в качестве анодного электрода, устанавливаются в положение, где они электрически соединяются разрядной плазмой. С точки зрения схемы, достигается состояние, эквивалентное положению, в котором конденсаторный переключатель включен. В результате аналоговое напряжение, прилагаемое к электроду 21, прилагается к модели конденсатора. После этого, когда плазменный разряд прекращается, конденсаторный переключатель выключается. В результате, аналоговое напряжение, которое прилагалось непосредственно до выключения конденсаторного переключателя, хранится в модели конденсатора. Также, после исчезновения разрядной плазмы, в течение периода времени, пока не будет следующий стробирующий импульс, т. е. , например, период времени поля соответствующего изображения картины, остается состояние, когда упомянутое аналоговое напряжение хранится в конденсаторной модели. Когда емкостная ячейка жидкого кристалла возбуждается, то на плазменном жидкокристаллическом дисплее воспроизводится изображение, основанное на видеосигнале.

Теперь будет описана часть способа изготовления упомянутого плазменного устройства, предназначенного для жидкокристаллического дисплея, в котором барьерные ребра образуют на разрядных электродах. Фиг. 3 представляет вид спереди плазменного устройства, предназначенного для жидкокристаллического дисплея. Фиг. 4 - вид в поперечном разрезе в увеличенном масштабе существенной части в плоскости С-С фиг. 3, а фиг. 5 - вид в поперечном разрезе в увеличенном масштабе в плоскости Д-Д фиг. 3.

Как показано на фиг. 4 и 5, сначала набивают проводящую пасту, включающую в себя, например, серебряный порошок, на стекло 24 подложки на заданную ширину и через одинаковые интервалы и затем ее обжигают для образования множества разрядных электродов 23 на стекле 24 подложки. При этом множество разрядных электродов 23 формуют так, чтобы расстояние (интервал) А между барьерным ребром 28, образованным на разрядном электроде 23 на следующей стадии процесса, и уплотняющим элементом 29 и расстояние между барьерными ребрами 28, т.е. интервал шага В барьерного ребра 28, равнялись 1,8 мм или меньше. В более практическом смысле, например, расстояние А устанавливают на 1,0 мм, а интервал шага В устанавливают на 0,65 мм.

Как показано на фиг. 5, на обеих торцевых частях множества разрядных электродов 23 образованы крышки 30 (на фигуре показана только одна) для исключения разряда. Также барьерные ребра 28 образованы на множестве разрядных электродов 23 трафаретной печатью. А именно, стеклянную пасту, в которую примешивают, например, керамику, окись алюминия набивкой, печатают множество раз, в виде укладки в стопу, на разрядных электродах 23 методом трафаретной печати так, чтобы толщина равнялась примерно 200 мкм для образования барьерных ребер 28 с интервалом 0,65 мм. После этого образованные таким образом верхние части множества барьерных ребер подвергают полированию и обжигу.

Затем на периферию барьерных ребер 28 наносят, например, фритту так, чтобы толщина составляла примерно 200 мкм для образования уплотняющего элемента 29. В то же время уплотняющий элемент 29 образуют так, чтобы расстояние А между барьерным ребром 28 и уплотняющим элементом 29 равнялось 1,8 мм или меньше, т.е. 1,0 мм.

После этого на верхние части барьерных ребер 28 прикрепляют лист диэлектрика 25 для образования разрядной камеры 27, состоящей из плазменных камер P₁, P₂... для вакуумирования разрядной камеры 27. Затем вводят ионизируемый газ, например гелий или неон.

При этом толщина листа диэлектрика 25, состоящего из тонкого листового стекла, составляет примерно 50 мкм, как было описано. В процессе вакуумирования и инжекции газа создается большое напряжение на участках Q₁, Q₂ листа диэлектрика 25 в контакте с кромочными частями барьерных ребер 28, как показано на фиг. 2. Однако, поскольку интервал шага В барьерных ребер 28 установлен на 0,65 мм, а расстояние А между барьерным ребром 28 и уплотняющим элементом 29 равно 1,0 мм в этом варианте исполнения так, что эти значения A и B составляют 1,8 мм или меньше, то усилие, прилагаемое к стеклу тонкой пластины, равно 5 кг/см² или меньше.

В результате исключается возможность растрескивания или поломки листа диэлектрика 25. Кроме того, даже если внутри стекла существуют небольшие трещины, так называемые микротрещины, то исключается возможность, что микротрещины станут большими и лист диэлектрика 25 растрескается или поломается. Следует отметить, что хотя расстояние A между барьерным ребром 28 и уплотняющим элементом 29 и интервал шага B барьерного ребра 28 изменяются в зависимости от толщины листа диэлектрика 25, однако более предпочтительно, чтобы они равнялись 0,8 мм или меньше.

Следует отметить, что, хотя в описанном варианте воплощения (далее будет называться первым вариантом исполнения), плазменное устройство, предназначенное для жидкокристаллического дисплея, имеет конструкцию, в которой барьерные ребра 28 образованы на разрядных электродах 23, однако это изобретение не ограничено этим первым вариантом исполнения и его можно применять с плазменными устройствами жидкокристаллических дисплеев, имеющими конструкцию, в которой катодные и анодные электроды расположены соответственно в плазменных камерах.

В более практическом смысле, плазменное устройство, предназначенное для жидкокристаллического дисплея, согласно второму варианту воплощения изобретения, содержит в качестве его существенной части, как показано, например, на фиг. 6 (см. фиг. 2 в связи с элементами, которые не показаны на фиг. 6), стекло 22 на стороне жидкого кристалла, имеющее множество электродов 21, расположенных по существу параллельно друг другу на одной основной поверхности, стекло 24 подложки, имеющее множество анодных электродов 31 и множество катодных электродов 32, расположенных по существу параллельно друг другу в положении по существу перпендикулярно электродам 21 на основной поверхности противоположно электродам 21 на стекле 22 на стороне жидкого кристалла, лист диэлектрика 25, расположенный между стеклом 22 на стороне жидкого кристалла и стеклом 24 подложки, слой 26 жидкого кристалла, расположенный между стеклом 22 на стороне жидкого кристалла и листом диэлектрика 25, множество барьерных ребер 28, образованных на анодных электродах 31 внутри разрядной камеры 27, образованной между стеклом 24 подложки и листом диэлектрика 25, и уплотняющий элемент 29 для уплотнения разрядной камеры 27.

А именно, в плазменном устройстве, предназначенном для жидкокристаллического дисплея, согласно второму варианту исполнения ленточный анодный электрод 31 имеет ширину, подобную ширине разрядного электрода 23 в первом варианте исполнения, но ленточный катодный электрод 32 уже разрядного электрода 23, и барьерные ребра 28 образованы только на анодных электродах 31. Следует отметить, что одни и те же элементы имеют одно обозначение с элементами в первом варианте исполнения плазменного устройства жидкокристаллического дисплея и поэтому подробное их объяснение и работа не даны.

Также в плазменном устройстве, предназначенном для жидкокристаллического дисплея, согласно второму варианту воплощения расстояние A между барьерным ребром 28 и уплотняющим элементом 29 и интервал шага B барьерного ребра 28 установлены на 1,8 мм или меньше и они соответственно составляют 1,0 мм и 0,65 мм. В результате в процессе вакуумирования и инжекции газа исключается возможность растрескивания или поломки.

Кроме того, плазменное устройство, предназначенное для жидкокристаллического дисплея, согласно третьему варианту воплощения изобретения, содержит в качестве его существенной части, как показано, например, на фиг. 7 (см. фиг. 2 в связи с элементами, которые не показаны на этой фигуре), стекло 22 на стороне жидкого кристалла, имеющее множество электродов 21, расположенных параллельно друг другу на одной основной поверхности, стекло 24 подложки, имеющее множество анодных электродов 33 и множество катодных электродов 34, расположенных параллельно друг другу в положении по существу перпендикулярно к электродам 21 на основной поверхности противоположно электродам 21 на стекле 22 на стороне жидкого кристалла, лист диэлектрика 25, расположенный между стеклом 22 на стороне жидкого кристалла и стеклом 24 подложки, слой 26 жидкого кристалла, расположенный между стеклом 22 жидкого кристалла и листом диэлектрика 25, множество барьерных ребер 28, образованных между анодными электродами 33 и катодными электродами 34, которые расположены смежно друг с другом внутри разрядной камеры 27, образованной между стеклом 24 подложки и листом диэлектрика 25, и уплотняющий элемент 29, расположенный так, чтобы уплотнять разрядную камеру 27.

А именно, плазменное устройство, предназначенное для жидкокристаллического дисплея, согласно третьему варианту воплощения имеет конструкцию, в которой пары анодных электродов 33 и катодных электродов 34 расположены соответственно в каждой соответствующей плазменной камере, а барьерные ребра 28 образованы между анодными электродами 33 и катодными электродами 34, которые расположены смежно друг с другом внутри плазменных камер. Следует отметить, что одни и те же элементы плазменного устройства жидкокристаллического дисплея, соответствующие элементам плазменного устройства согласно первому варианту исполнения, имеют одно обозначение и поэтому объяснение их деталей и работы не дано.

Также в плазменном устройстве, предназначенном для жидкокристаллического дисплея, согласно третьему варианту воплощения расстояние A между барьерным ребром 28 и уплотняющим элементом 29 и интервал шага B барьерного ребра 28 установлены на 1,8 мм или меньше, например, они соответственно составляют 1,0 мм и 0,65 мм. В результате, во время процесса вакуумирования и инжекции газа исключается возможность растрескивания или поломки листа диэлектрика 25.

Промышленная применимость
Как ясно из представленного описания, плазменное устройство, предназначенное для жидкокристаллического дисплея, в соответствии с настоящим изобретением выполнено так, что расстояние между множеством преград и расстояние между барьером, установленным вблизи уплотняющего элемента, и уплотняющим элементом составляет 1,8 мм или меньше, тем самым позволяя исключить возможность растрескивания или поломки листа диэлектрика во время стадии процесса вакуумирования и инжекции газа во время изготовления плазменного устройства, предназначенного для жидкокристаллического дисплея. Таким образом так называемый выход можно улучшить до большой степени в сравнении с известным устройством.

Плазменное устройство содержит первую подложку, имеющую множество первых электродов, вторую подложку, имеющую множество вторых электродов, множество преград или барьеров, образованных на вторых электродах, внутри разрядной камеры, образованной между второй подложкой и листом диэлектрика, и уплотняющий элемент. Расстояние между барьерами и расстояние между барьером, расположенным ближе всего к уплотняющему элементу, и уплотняющим элементом равно 1,8 мм или меньше. Технический результат - исключение возможности растрескивания листа диэлектрика. 6 з.п.ф-лы, 7 ил.

1. Плазменное устройство, предназначенное для жидкокристаллического дисплея, содержащее первую подложку, имеющую множество первых электродов, расположенных по существу параллельно друг другу на одной основной поверхности первой подложки, вторую подложку, имеющую множество вторых электродов, расположенных по существу параллельно друг другу в положении по существу перпендикулярно первым электродам на основной поверхности противоположно первым электродам на первой подложке, лист диэлектрика, расположенный между первой и второй подложками, слой жидкого кристалла, размещенный между первой подложкой и листом диэлектрика, множество барьеров, образованных вдоль вторых электродов внутри разрядной камеры, образованной между второй подложкой и листом диэлектрика, и уплотняющий элемент, расположенный так, чтобы уплотнять разрядную камеру, в которой расстояние между барьерами и расстояние между барьером, расположенным ближе всего к уплотняющему элементу, и уплотняющим элементом равно 1,8 мм или меньше. 2. Плазменное устройство по п.1, в котором барьеры образованы на вторых электродах. 3. Плазменное устройство по п. 1, в котором барьеры образованы между вторыми электродами. 4. Плазменное устройство по п.1, в котором второй электрод состоит из анодного электрода и катодного электрода, барьеры расположены соответственно между анодными и катодными электродами. 5. Плазменное устройство по п.1, в котором второй электрод состоит из анодного и катодного электродов, при этом барьеры образованы только на анодных электродах. 6. Плазменное устройство по п.1, в котором расстояние между барьерами и расстояние между барьером, расположенным ближе всего к уплотняющему элементу, и уплотняющим элементом равно 0,8 мм или меньше. 7. Плазменное устройство по п.1, отличающееся тем, что лист диэлектрика имеет толщину 50 мкм или меньше.