МАЛОШУМЯЩИЙ СВЧ-ГЕНЕРАТОР Российский патент 2000 года по МПК H03B5/18 H03B7/14 H01P7/06 

Описание патента на изобретение RU2161367C1

Изобретение относится к технике СВЧ, в частности к полупроводниковым СВЧ-генераторам.

Была поставлена задача разработки полупроводникового СВЧ-генератора с очень низким уровнем частотных шумов не более минус (130-150) дБ/Гц в полосе частот анализа 10-100 кГц и высокой долговременной стабильностью частоты 10-6-10-8 в режиме фазовой автоподстройки частоты, где в качестве эталона используется опорный кварцевый генератор.

Указанными параметрами обладает схема малошумящего СВЧ-генератора /1/, являющаяся прототипом предлагаемого изобретения.

Эта схема содержит биполярный транзистор, базовый вывод которого соединен с общей шиной, управляющий варикап и отрезки микрополосковых линий (шлейфы), расположенные на диэлектрической подложке со слоем металлизации на другой ее стороне, а также высокодобротный цилиндрический резонатор, выполненный в виде объемного или размещенного в экране цилиндрического диэлектрического резонатора, и блок фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ), причем первый микрополосковый (МПЛ) шлейф подключен к эмиттеру транзистора, а второй МПЛ шлейф подключен к коллектору транзистора. К первому МПЛ шлейфу подключен третий МПЛ шлейф, разомкнутый на конце, второй МПЛ шлейф электромагнитно связан с высокодобротным резонатором через щель связи, выполненную в слое металлизации подложки и расположенную перпендикулярно второму МПЛ шлейфу и оси резонатора, вдоль радиуса одного из его торцов на расстоянии, равном четверти длины волны в МПЛ от коллектора транзистора, к второму МПЛ шлейфу подключен четвертый МПЛ шлейф, разомкнутый на конце, к месту соединения первого и третьего МПЛ шлейфов подключен согласованный резистор величиной, 50 Ом, выход СВЧ-генератора подключен к месту соединения второго и четвертого МПЛ шлейфов и соединен с входом системы ФАПЧ, первый выход системы ФАПЧ соединен с управляющим варикапом, один вывод которого через пятый МПЛ шлейф подключен к месту соединения первого и третьего МПЛ шлейфов, второй вывод варикапа заземлен, второй выход системы ФАПЧ соединен с узлом подстройки частоты, выполненным в виде электромагнита и расположенным на другом торце высокодобротного цилиндрического резонатора, представляющем упругую мембрану, выполненную с возможностью прогиба при помощи сердечника электромагнитного узла подстройки частоты.

Однако недостатком такой конструкции является повышенная чувствительность частотных шумов СВЧ-генератора к внешним виброакустическим воздействиям, которые всегда присутствуют при эксплуатации данного устройства. Это подтверждается приведенными на фиг. 1 зависимостями частотных шумов СВЧ-генератора от частоты отстройки от несущей при разных уровнях акустического воздействия (кривые 1, 2, 3).

На фиг. 1 по горизонтальной оси отложена частота акустического воздействия (в герцах), а по вертикальной оси отложен уровень частотного шума генератора (в децибелах) относительно уровня мощности несущей частоты, пересчитанный в полосе частот 1 Гц. Кривая 1 - фоновый уровень акустического давления, кривая 2 - акустическое давление равно 90 дБ, кривая 3 - акустическое давление равно 110 дБ. При этом основным источником повышенного частотного шума генератора являются механические колебания мембраны высокодобротного резонатора на частотах от 200 Гц до 5 кГц, которые модулируют частоту сигнала СВЧ-генератора и тем самым вызывают увеличение частотного шума в указанном диапазоне. Настоящее изобретение направлено на дальнейшее снижение частотных шумов высокостабильного малошумящего СВЧ-генератора путем подавления собственных резонансных колебаний мембраны стабилизирующего высокодобротного резонатора.

Предлагается малошумящий СВЧ-генератор, содержащий биполярный транзистор, базовый вывод которого соединен с общей шиной, вывод коллектора соединен через первый отрезок МПЛ с выходом, вывод эмиттера подсоединен к одному из концов второго отрезка МПЛ и управляющий варикап, расположенные на диэлектрической подложке со слоем металлизации, блок фазовой автоподстройки частоты, а также высокодобротный цилиндрический резонатор, выполненный в виде объемного или размещенного в экране диэлектрического резонатора, который электромагнитно связан с первым отрезком МПЛ через щель в слое металлизации, расположенную перпендикулярно первому отрезку МПЛ и оси высокодобротного резонатора и вдоль радиуса одного из его торцов на расстоянии λ/4 от коллектора транзистора, где λ - длина волны в МПЛ, при этом другой конец второго отрезка МПЛ соединен с первым разомкнутым МПЛ отрезком и согласованным резистором и через третий отрезок МПЛ подключен к первому выводу управляющего варикапа, второй вывод которого соединен с общей шиной, а к выходному концу первого отрезка МПЛ подсоединены второй разомкнутый отрезок МПЛ и вход блока фазовой автоподстройки частоты, первый выход которого подключен к первому выводу управляющего варикапа, второй выход соединен с узлом подстройки частоты, выполненным в виде электромагнита и расположенным на другом торце высокодобротного резонатора, представляющем собой упругую мембрану, выполненную с возможностью прогиба при помощи сердечника электромагнита, отличающейся тем, что мембрана выполнена двухслойной, причем один слой, ограничивающий объем высокодобротного резонатора, является металлическим, а второй слой, расположенный между металлическим слоем и корпусом электромагнита, представляет собой консистентную смазку.

Выполнение мембраны высокодобротного резонатора двухслойной из слоя тонкого металла и слоя смазки дает возможность устранить противоречение, всегда возникающее при создании изделий такого типа и такого применения. Для того чтобы подстраивать частоту, надо, чтобы хотя бы одна стенка резонатора имела возможность многократно изгибаться под действием приложенного к ней небольшого усилия, а следовательно, должна быть по возможности более тонкой.

В то же время при различных внешних виброакустических воздействиях, неизбежно возникающих в условиях эксплуатации в различной, например, в бортовой аппаратуре, тонкие стенки мгновенно реагируют на эти воздействия, изменяя свое положение, резонируя на различных частотах, вследствие чего изменяется частота высокодобротного резонатора и происходит частотная модуляция сигнала СВЧ-генератора, что резко увеличивает уровень частотных шумов генератора вблизи несущей. Поэтому в реальных конструкциях приходилось идти на компромисс при выборе толщины мембраны и обеспечении необходимого диапазона перестройки частоты. То есть для получения приемлемой характеристики по виброакустоустойчивости приходилось делать более толстую мембрану резонатора, а при заданной мощности цепи управления перемещением мембраны это приводило к значительному уменьшению диапазона перестройки частоты резонатора.

Предлагаемая схема СВЧ-генератора свободна от этого недостатка, так как в двухслойной мембране металлический слой мембраны можно делать более тонким, увеличивая при этом диапазон перестройки частоты резонатора, одновременно устраняя механические резонансы в мембране и их влияние на частоту СВЧ-генератора.

Двухслойная мембрана, имея тонкий металлический слой, сохраняет возможность прогиба на заданную величину при помощи электромагнитного узла подстройки частоты, но любые возникающие в результате внешних воздействий паразитные собственные колебания мембраны демпфируются в ней благодаря наличию сил внутреннего трения в слое вязкой смазки.

Изобретение поясняется чертежами. На фиг. 1 показаны зависимости частотных шумов известного СВЧ-генератора (прототипа) от частоты отстройки от несущей при различных условиях акустического воздействия. На фиг. 2 показана принципиальная схема СВЧ-генератора. На фиг. 3 приведена топология цепей предлагаемого СВЧ-генератора. На фиг. 4 - конструкции возможных вариантов выполнения высокодобротного резонатора с узлом подстройки частоты (фиг. 4a - объемный резонатор; фиг. 4b - диэлектрический резонатор в экране). На фиг. 5 приведены зависимости частотных шумов СВЧ-генераторов от частоты отстройки от несущей (кривая 1 - для прототипа, кривая 2 - для предложенного генератора).

В малошумящем СВЧ-генераторе (фиг. 2, 3) эмиттер транзистора 1 подключен к первому МПЛ шлейфу 2, к концу которого подключен третий МПЛ шлейф 3, разомкнутый на конце, причем к месту соединения первого и третьего МПЛ шлейфов подключен согласованный резистор (50 Ом) 4, второй МПЛ шлейф 5 подключен к коллектору транзистора 1 и электромагнитно связан с высокодобротным резонатором 6 через щель связи 7 в слое на подложке 8, расположенной на торцевой поверхности резонатора 6, причем щель связи 7 расположена перпендикулярно второму МПЛ шлейфу 5 и оси высокодобротного резонатора 6 вдоль его радиуса, щель связи 7 отстоит на расстояние, равное четверти длины волны в МПЛ от коллектора транзистора 1, к концу второго МПЛ шлейфа 5 подключен четвертый МПЛ шлейф 9, разомкнутый на конце, выход СВЧ-генератора подключен в месте соединения второго 5 и четвертого 9 МПЛ шлейфов и соединен с входом системы ФАПЧ 10, первый выход системы ФАПЧ 10 подключен к управляющему варикапу 11, первый вывод которого через пятый МПЛ шлейф 12 подключен в место соединения первого 2 и третьего 3 МПЛ шлейфов, второй вывод варикапа заземлен, второй выход системы ФАПЧ 10 соединен с узлом подстройки частоты, выполненным в виде электромагнита 13.

В генераторе реализован метод комбинированной параметрической и электрической стабилизации. Параметрическая стабилизация обеспечивается высокодобротным резонатором (например, объемным на типе волны H012, собственная добротность Q0 = 20000) в режиме затягивания частоты генератора под частоту резонатора. Электрическая стабилизация осуществляется подстройкой частоты генератора системой ФАПЧ с высокостабильным опорным генератором (например, кварцевым).

В генераторе использованы два элемента электрической подстройки частоты: электромагнитного типа и варикап. Электромагнитное устройство расположено на торцевой поверхности высокодобротного резонатора, выполненной в виде упругой мембраны, и обеспечивает грубую подстройку его частоты в полосе до 10 МГц с помощью прогиба упругой мембраны при подаче тока управления в обмотку электромагнита. Точность установки частоты при этом составляет приблизительно десятки килогерц. Включение в схему генератора варикапа обеспечивает точную быструю перестройку частоты, что позволяет получить стабильность частоты выше 10-6.

Включение высокодобротного резонатора в коллекторную цепь транзистора по схеме двухполюсника обеспечивает глубокую параметрическую стабилизацию, а включение варикапа в эмиттерную цепь транзистора обеспечивает уменьшение рассеиваемой на нем СВЧ мощности.

Такое построение схемы СВЧ-генератора позволяет получить высокую долговременную стабильность частоты не хуже 10-6 и уровень частотных шумов не более (-130 дБ/Гц) на частоте анализа 10 кГц.

Проблема повышенной чувствительности частотных шумов СВЧ-генератора к внешним виброакустическим воздействиям решена путем выполнения мембраны высокодобротного резонатора двухслойной, один из слоев при этом представляет собой вязкую консистентную смазку. Конструкции возможных вариантов выполнения высокодобротного резонатора с узлом подстройки частоты показаны на фиг. 4a и 4b. (Фиг. 4a - высокодобротный резонатор выполнен в виде объемного цилиндрического резонатора на типе волны H012;
Фиг. 4b - высокодобротный резонатор выполнен в виде диэлектрического резонатора, размещенного в цилиндрическом экране).

В конструкции фиг. 4a вторая торцевая поверхность высокодобротного резонатора 6 выполнена в виде упругой мембраны 14, состоящей из металлического слоя 15, например, из сплава 32НКД (суперинвар), и слоя 16 вязкой консистентной смазки, например, марки "Циатим-221". На металлическом слое 15 в центральной части мембраны 14 укреплен ферромагнитный цилиндр 17 (Якорь), размещенный напротив неподвижного сердечника 18, совмещенного с корпусом 19 электромагнита 13, имеющего обмотку 20.

В конструкции фиг. 4b высокодобротный резонатор выполнен в виде диэлектрического резонатора 6, размещенного на торцевой поверхности цилиндрического экрана 21, имеющего щель электромагнитной связи 7. Вторая торцевая поверхность цилиндрического экрана 21 выполнена в виде упругой мембраны 14, состоящей из металлического слоя 15, например, из сплава 32НКД (суперинвар), и слоя 16 вязкой консистентной смазки "Циатим-221". На металлическом слое 15 в центральной части мембраны 14 укреплен ферромагнитный цилиндр 17 (Якорь), размещенный напротив неподвижного сердечника 18, совмещенного с корпусом 19 электромагнита 13, имеющего обмотку 20. Между металлическим слоем 15 мембраны 14 и диэлектрическим резонатором 6 имеется зазор 22.

При подаче в обмотку 20 электромагнита 13 электрического тока в неподвижно закрепленном сердечнике 18 создается магнитное поле, под действием которого к сердечнику 18 притягивается ферромагнитный цилиндр (Якорь), а вместе с ним притягивается к сердечнику 18 и скрепленный с цилиндром 17 металлический слой 15 двухслойной мембраны 14.

Металлический слой 15 изгибается, из-за чего изменяется частота высокодобротного резонатора, т.к. в конструкции 4a при изгибе металлического слоя 15 изменяется объем высокодобротного резонатора 6, одной из стенок которого является металлический слой 15, а в конструкции 4b при изгибе металлического слоя 15 изменяется зазор 22, влияющий на поля рассеяния диэлектрического резонатора, которые в свою очередь влияют на резонансную частоту.

Изменяя величину электрического тока в обмотке 20, с высокой точностью подстраивают частоту высокодобротного резонатора 6 на заданное значение и таким образом компенсируют уходы частоты высокодобротного резонатора 6.

При изменении положения (прогиба) металлического слоя 15 двухслойной мембраны 14 в слое 16 вязкой смазки, который сжимается между металлическим слоем 15 и неподвижным сердечником 18 электромагнита 13, возникают силы внутреннего вязкого трения, которые демпфируют собственные резонансные механические колебания металлического слоя 15 мембраны 14, возникающие из-за внешних виброакустических воздействий. Это делает генератор в целом устойчивым к внешним механическим воздействиям.

Таким образом, выполнение мембраны 14 двухслойной из тонкого металлического слоя 15 и слоя 16 вязкой смазки дает возможность легко избавиться от паразитных изменений частоты резонатора, возникающих из-за внешних виброакустических воздействий, т. к. все возникающие паразитные колебания металлического слоя поглощаются в слое вязкой смазки.

Полученный результат подтверждается показанными на фиг. 5 характеристиками частотных шумов СВЧ-генератора при отстройке от несущей на 1-10 кГц.

Из фиг. 5 видно, что предложенная конструкция СВЧ-генератора позволяет снизить уровень частотных шумов на 10-20 дБ в диапазоне отстроек от несущей (200 Гц-4 кГц) по сравнению с прототипом (в условиях внешних виброакустических воздействий).

Данная конструкция СВЧ-генераторов позволяет расширить область их применения, а именно позволяет использовать такие генераторы в различной аппаратуре, когда требования по уровню виброакустических внешних воздействий отличаются значительно - от менее жестких требований к аппаратуре, работающей в лабораторных условиях, до более жестких требований к аппаратуре бортового назначения, что весьма выгодно экономически. Примененный технический прием - создание двухслойной мембраны - прост и дешев, не требует затратных высоких технологий. Предложенная конструкция обеспечивает уменьшение частотных шумов сигнала СВЧ-генератора. Это позволяет создать СВЧ-генераторы, устойчивые к внешним механическим воздействиям.

Источник информации
1. Патент РФ N 2068616, МКИ6 H 03 B 5/12, опубл. 27.10.96, бюл. N 30.

Похожие патенты RU2161367C1

название год авторы номер документа
МАЛОШУМЯЩИЙ СВЧ ГЕНЕРАТОР 1993
  • Зырин С.С.
  • Котов А.С.
  • Пелевин А.И.
RU2068616C1
МАЛОШУМЯЩИЙ СВЧ-ГЕНЕРАТОР 2020
  • Котов Александр Сергеевич
  • Поляков Анатолий Васильевич
  • Тимошенко Сергей Викторович
  • Гришина Евгения Александровна
RU2758283C1
МАЛОШУМЯЩИЙ СВЧ-ГЕНЕРАТОР 1991
  • Зырин С.С.
  • Котов А.С.
RU2024181C1
ГЕНЕРАТОР СВЧ 1990
  • Сергиенко А.М.
  • Бродуленко И.И.
  • Лебедев В.Н.
RU2022445C1
Генератор СВЧ, управляемый напряжением 2019
  • Геворкян Владимир Мушегович
  • Михалин Сергей Николаевич
  • Кочемасов Виктор Неофидович
  • Казанцев Юрий Алексеевич
RU2733204C1
ПОЛОСКОВЫЙ ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЕЛИТЕЛЬ 2006
  • Ивко Юрий Васильевич
RU2324266C2
СВЧ приемный модуль 1991
  • Муравьев Валентин Владимирович
  • Тамело Александр Арсеньевич
  • Коровенков Александр Васильевич
  • Годун Геннадий Алексеевич
SU1811008A1
ГЕНЕРАТОР, УПРАВЛЯЕМЫЙ НАПРЯЖЕНИЕМ 2004
  • Касаткин В.А.
RU2262796C1
ГЕНЕРАТОР, УПРАВЛЯЕМЫЙ НАПРЯЖЕНИЕМ 2005
  • Касаткин Владимир Александрович
RU2298279C1
ВЫСОКОСТАБИЛЬНЫЙ ИМПУЛЬСНЫЙ СВЧ-ПЕРЕДАТЧИК 2001
  • Иванов В.Э.
  • Кудинов С.И.
RU2212090C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 161 367 C1

Реферат патента 2000 года МАЛОШУМЯЩИЙ СВЧ-ГЕНЕРАТОР

Малошумящий СВЧ-генератор содержит биполярный транзистор, первый, второй и третий отрезки микрополосковой линии (МПЛ), управляющий варикап, расположенные на диэлектрической подложке со слоем металлизации, блок фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ), высокодобротный цилиндрический резонатор в виде объемного или размещенного в экране диэлектрического резонатора, электромагнитно связанного с первым отрезком МПЛ через щель, первый выход блока ФАПЧ подключен к первому выводу управляющего варикапа, второй выход соединен с узлом подстройки частоты, выполненным в виде электромагнита и расположенным на другой торцевой поверхности резонатора, представляющей собой упругую мембрану, выполненную с возможностью прогиба при помощи сердечника электромагнита. Мембрана выполнена двухслойной, причем один слой, ограничивающий объем резонатора, является металлическим, а второй слой, расположенный между металлическим слоем и корпусом электромагнита, представляет собой консистентную смазку, в качестве которой может быть использован "Циатим-221". Технический результат заключается в снижении частотных шумов, основным источником которого являются механические колебания мембран. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Формула изобретения RU 2 161 367 C1

1. Малошумящий СВЧ-генератор, содержащий биполярный транзистор, базовый вывод которого соединен с общей шиной, вывод коллектора соединен через первый отрезок микрополосковой линии с выходом, вывод эмиттера подсоединен к одному из концов второго отрезка микрополосковой линии, и управляющий варикап, расположенные на диэлектрической подложке со слоем металлизации, блок фазовой автоподстройки частоты, а также высокодобротный цилиндрический резонатор, выполненный в виде объемного или размещенного в экране диэлектрического резонатора, который электромагнитно связан с первым отрезком микрополосковой линии через щель в слое металлизации, расположенную перпендикулярно первому отрезку микрополосковой линии и оси высокодобротного резонатора и вдоль радиуса одной из его торцевых поверхностей на расстоянии λ/4 от коллектора транзистора, где λ - длина волны в микрополосковой линии, при этом другой конец второго отрезка микрополосковой линии соединен с первым разомкнутым отрезком и согласованным резистором и через третий отрезок микрополосковой линии подключен к первому выводу управляющего варикапа, второй вывод которого соединен с общей шиной, а к выходному концу первого отрезка микрополосковой линии подсоединены второй разомкнутый отрезок микрополосковой линии и вход блока фазовой автоподстройки частоты, первый выход которого подключен к первому выводу управляющего варикапа, второй выход соединен с узлом подстройки частоты, выполненным в виде электромагнита и расположенным на другой торцевой поверхности высокодобротного резонатора, представляющей собой упругую мембрану, выполненную с возможностью прогиба при помощи сердечника электромагнита, отличающийся тем, что мембрана выполнена двухслойной, причем один слой, ограничивающий объем высокодобротного резонатора, является металлическим, а второй слой, расположенный между металлическим слоем и корпусом электромагнита, представляет собой консистентную смазку. 2. Малошумящий СВЧ-генератор по п.1, отличающийся тем, что второй слой упругой мембраны выполнен из консистентной смазки марки "Циатим-221".

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2000 года RU2161367C1

МАЛОШУМЯЩИЙ СВЧ ГЕНЕРАТОР 1993
  • Зырин С.С.
  • Котов А.С.
  • Пелевин А.И.
RU2068616C1
МАЛОШУМЯЩИЙ СВЧ-ГЕНЕРАТОР 1991
  • Зырин С.С.
  • Котов А.С.
RU2024181C1
Генератор 1988
  • Гассанов Лев Гассанович
  • Ковальчук Анатолий Иосифович
  • Назаренко Леонид Степанович
  • Нарытник Теодор Николаевич
  • Потиенко Валерий Петрович
  • Якименко Юрий Иванович
SU1614094A1
Генератор СВЧ 1986
  • Петраковский Герман Антонович
  • Патрин Геннадий Семенович
  • Соснин Виктор Михайлович
  • Смокотин Эдуард Михайлович
  • Васильев Александр Анатольевич
SU1415409A1
СВЧ-генератор 1991
  • Мирный Сергей Васильевич
  • Почерняев Виталий Николаевич
  • Скрыпник Леонид Васильевич
SU1775838A1
Техника средств связи, Сер
"Радиоизмерительная техника", 1983, вып.2, с.79, 80
Обзоры по элекронной технике, Сер.1, Электроника СВЧ, вып.5, с.31
A.PODCAMENI and all, Design of Microwave Oscillators and filtres using transmission-mode dielectric resonators coupled microstip lines, IEEE Trans
on Mic rowave and tehniques, vol.MTT-33, N 12, Dec.1985.

RU 2 161 367 C1

Авторы

Ештокин В.Н.

Котов А.С.

Русакова А.К.

Даты

2000-12-27Публикация

1999-12-15Подача