ДИОДНЫЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ Российский патент 2004 года по МПК H01P1/15 

Описание патента на изобретение RU2234767C1

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в различных устройствах СВЧ диапазона.

Известны диодные СВЧ выключатели, состоящие из входной и выходной линий передач с включенным в них последовательно или параллельно переключательным СВЧ диодом и устройства управления для подачи управляющего сигнала на переключательный СВЧ диод (Хижа Г.С., Вендик И.Б., Серебрякова Е.А. СВЧ фазовращатели и переключатели. - М.: Радио и связь, 1984 г., с.20-23; СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет/ Под ред. Мальского И.В., Сестрорецкого Б.В. - М.: Сов. Радио, 1969, с.538, 549; Патент Франции №2034620, кл. Н 01 Р 1/00, 08.01.71).

Недостатком таких выключателей является малое ослабление СВЧ сигнала в режиме запирания, обусловленное конечным значением минимального сопротивления открытого переключательного СВЧ диода для параллельной схемы включения диода в линию передачи и конечным значением максимального сопротивления закрытого переключательного СВЧ диода для последовательной схемы включения диода в линию передачи.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому положительному эффекту к предлагаемому является диодный выключатель, состоящий из диэлектрической пластины, на которой расположены входная и выходная разомкнутые на концах микрополосковые линии передачи, между которыми включен переключательный СВЧ диод, подсоединенный к устройству управления (СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет / Под ред. Мальского И.В., Сестрорецкого Б.В. - М.: Сов. Радио, 1060, с.549).

Недостатком такого выключателя является малое ослабление СВЧ сигнала в режиме запирания, обусловленное конечным значением максимального сопротивления закрытого переключательного СВЧ диода.

Поставлена задача увеличить ослабление СВЧ сигнала в режиме запирания.

Поставленная задача решается за счет того, что в выключатель, состоящий из диэлектрической пластины, на которой расположены входная разомкнутая на конце микрополосковая линия передачи и выходная линия передачи, между которыми включен переключательный СВЧ диод, подсоединенный к устройству управления, дополнительно введен второй переключательный СВЧ диод, а выходная линия выполнена в виде симметричной щелевой линии (СЩЛ) передачи, короткозамкнутой на конце и расположенной так, что плоскости симметрии микрополосковой и щелевой линий передач совпадают, причем переключательные СВЧ диоды включены между концом микрополосковой линии и разными полуплоскостями щелевой линии на расстоянии от короткозамкнутого конца щелевой линии, где Λ - длина волны в щелевой линии на средней частоте рабочего диапазона.

Сущность изобретения поясняется чертежом, где на фиг.1 показано устройство предлагаемого диодного выключателя, на фиг.2 - сечение по А-А, на фиг.3 - силовые линии электрического поля основной волны в микрополосковой линии, на фиг.4 - силовые линии электрического поля основной волны в симметричной щелевой линии, на фиг.5 - расположение диодов в выключателе.

Диодный выключатель состоит из диэлектрической пластины 1, на одной стороне которой расположен центральный проводник входной микрополосковой линии (МПЛ) 2, а в заземляющем проводнике МПЛ расположена короткозамкнутая на конце симметричная щелевая линия (СЩЛ) 3, двух переключательных СВЧ диодов 4 и 5, включенных между концом МПЛ 2 и двумя полуплоскостями 6 и 7 щелевой линии 3 на расстоянии от короткозамкнутого конца щелевой линии, где Λ - длина волны в щелевой линии на средней частоте рабочего диапазона, и устройства управления (УУ) 8, подсоединенного к переключательному СВЧ диоду 4.

Работу выключателя можно пояснить следующим образом. В случае симметричного расположения центрального проводника МПЛ относительно щелевой линии передачи основная волна в МПЛ (фиг.3) не возбуждает основную волну в СЩЛ (фиг.4) и наоборот, т.к. эти волны являются ортогональными. Это обусловливает большую величину развязки между волнами в МПЛ и СЩЛ.

Величина развязки не изменится, если симметрично относительно плоскости симметрии OO′ включить два переключательных СВЧ-диода с одинаковыми параметрами (фиг.5). Благодаря этому диодный выключатель обеспечит большее ослабление сигнала в режиме запирания.

Если комплексные сопротивления диодов VD1 и VD2 не равны между собой, то протекающие по ним токи возбуждают основную волну в СЩЛ, причем ее амплитуда будет тем больше, чем больше будет разница между комплексными сопротивлениями диодов.

Для проверки работоспособности выключателя он был изготовлен на основе диэлектрической пластины из материала ФЛАН-10. В качестве диодов были использованы p-i-n диоды 2А503А. Измерения, проведенные на частоте ƒ=2 ГГц, показали, что выключатель обладает ослаблением в режиме пропускания не более 1,5 Дб и в режиме запирания не менее 38 Дб.

Макет переключателя (прототип), изготовленный на основе МПЛ с одним диодом 2А503А, имел ослабление в режиме запирания не более 15 Дб.

Таким образом, представленный выключатель позволяет увеличить ослабление СВЧ сигнала в режиме запирания.

Похожие патенты RU2234767C1

название год авторы номер документа
МИКРОПОЛОСКОВЫЙ p-i-n-ДИОДНЫЙ СВЧ-ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ 2010
  • Усанов Дмитрий Александрович
  • Скрипаль Александр Владимирович
  • Куликов Максим Юрьевич
RU2438214C1
СМЕСИТЕЛЬ СВЧ 2010
  • Афонин Григорий Викторович
  • Ремпель Антонина Ивановна
RU2479918C2
СВЧ-ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ 1990
  • Виненко В.Г.
  • Шошин С.А.
RU2020659C1
СМЕСИТЕЛЬ СВЧ 2019
  • Чиликов Александр Александрович
  • Щитов Аркадий Максимович
RU2723466C1
СЕЛЕКТИВНОЕ УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ НА ВСТРЕЧНЫХ СТЕРЖНЯХ 2011
  • Кустов Олег Васильевич
  • Пигарев Виктор Григорьевич
RU2456719C1
СЕЛЕКТИВНОЕ УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ НА ВСТРЕЧНЫХ СТЕРЖНЯХ С ПОДАВЛЕНИЕМ ВЫСШИХ ГАРМОНИК 2016
  • Кустов Олег Васильевич
  • Пигарев Виктор Григорьевич
RU2626383C1
БАЛАНСНЫЙ СВЧ-СМЕСИТЕЛЬ ОРТОМОДНОГО ТИПА 2007
  • Николаев Александр Львович
RU2336627C1
КОЛЬЦЕВОЙ ОГРАНИЧИТЕЛЬ МОЩНОСТИ 1995
  • Дроздовский Н.В.
  • Дроздовская Л.М.
RU2097879C1
ПОЛОСКОВЫЙ ДВУХКАНАЛЬНЫЙ ДЕЛИТЕЛЬ 2006
  • Ивко Юрий Васильевич
RU2324266C2
Симметричная щелевая линия передачи сигнала СВЧ-диапазона с межслойным переходом 2024
  • Клюев Сергей Борисович
  • Иовдальский Виктор Анатольевич
  • Демшевский Валерий Витальевич
RU2820073C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 234 767 C1

Реферат патента 2004 года ДИОДНЫЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в различных устройствах СВЧ диапазона. Диодный выключатель состоит из диэлектрической пластины, на одной стороне которой расположен разомкнутый на конце центральный проводник входной микрополосковой линии (МПЛ), а в заземляющем проводнике МПЛ расположена короткозамкнутая на конце симметричная щелевая линия (СЩЛ), причем плоскости симметрии этих линий совпадают. С целью увеличения ослабления СВЧ сигнала в режиме запирания переключательные СВЧ диоды включены между концом МПЛ и двумя полуплоскостями симметричной щелевой линии на расстоянии от короткозамкнутого конца СЩЛ (Λ - длина волны в СЩЛ на средней частоте рабочего диапазона), а устройство управления подсоединено к одному переключательному СВЧ диоду. Техническим результатом является увеличение ослабления СВЧ сигнала в режиме запирания. 5 ил.

Формула изобретения RU 2 234 767 C1

Диодный выключатель, состоящий из диэлектрической пластины, на которой расположены входная разомкнутая на конце микрополосковая линия передачи и выходная линия передачи, между которыми включен переключательный СВЧ-диод, подсоединенный к устройству управления, отличающийся тем, что в выключатель введен второй переключательный СВЧ-диод, а выходная линия выполнена в виде щелевой линии передачи, короткозамкнутой на конце и расположенной так, что вертикальные продольные плоскости симметрии микрополосковой и щелевой линий передач совпадают, причем переключательные СВЧ-диоды включены между концом микрополосковой линии и разными полуплоскостями щелевой линии на расстоянии от короткозамкнутого конца щелевой линии, где Λ - длина волны в щелевой линии на средней частоте рабочего диапазона, а амплитуда возбуждаемой в симметричной щелевой линии основной волны будет тем больше, чем больше будет разница между комплексными сопротивлениями диодов.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2004 года RU2234767C1

МАЛЬСКИЙ И.В
и др
СВЧ устройства на полупроводниковых диодах
- М.: Сов
радио, 1969, с.549
Выключатель 1990
  • Шабашов Артур Олегович
SU1800508A1
СВЧ-выключатель 1991
  • Лебедев Игорь Всеволодович
  • Дроздовский Николай Валерьевич
  • Скоробогатов Дмитрий Владимирович
SU1810935A1
DE 3414855 А, 24.10.1985
US 4642584 А, 10.02.1987.

RU 2 234 767 C1

Авторы

Казанский Н.Л.

Рахаева Е.А.

Даты

2004-08-20Публикация

2002-12-02Подача