ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С САМОЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ Российский патент 2006 года по МПК H01L29/74 

Описание патента на изобретение RU2279735C9

Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя при перенапряжениях в закрытом состоянии, а именно к конструкции динисторов и тиристоров, в т.ч. симметричных.

Известна конструкция полупроводникового прибора с самозащитой от перенапряжений (заявка Японии №61-247071, кл. H 01 L 29/74, опубл. 04.11.86 г.), содержащая четырехслойную структуру с базовым р-слоем, имеющим вытравленную ямку на его поверхности. Ямку травят после формирования р-слоя. В случае приложения к прибору, находящемуся в закрытом состоянии, перенапряжения область пространственного заряда (ОПЗ) коллекторного перехода достигает боковой поверхности ямки. При этом напряженность электрического поля на боковой поверхности ямки повышается настолько, что возникает лавинный пробой, и прибор включается в окрестности ямки током лавинного пробоя.

Недостатком такой конструкции является высокая чувствительность напряжения переключения прибора UBO [В], связанная с разбросом глубины ямки, качеством ее травления и последующей пассивации. Следствием этого является большой разброс UBO от прибора к прибору.

Известна конструкция полупроводникового прибора с самозащитой от перенапряжений (заявка Японии №61-226963, кл. H 01 L 29/74, опубл. 08.10.86 г.), содержащая четырехслойную структуру, в которой n-эмиттер сформирован в базовом р-слое с вытравленной ямкой на его поверхности. Ямку травят до формирования базового р-слоя, поэтому коллекторный переход повторяет своим сечением профиль вытравленной ямки. Напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода в области ямки, а следовательно, и UBO полностью зависят от глубины и диаметра ямки, радиуса кривизны ее боковой поверхности (H.Ohashi, J.Yoshida, Y.Yamaguchi, J.Akagi. Design consideration for high power, overvoltage self-protected thyristor. - Proceedings IPEC, Tokyo, 1983, p.550-558), а процесс ее создания, обеспечивающий заданные значения UBO, чрезвычайно трудоемок.

Самое близкое решение (заявка Японии №59-009970, кл. H 01 L 29/74, опубл. 19.01.84 г.) относится к конструкции полупроводникового прибора с самозащитой от перенапряжений, выполненного на основе кремниевой пластины n-типа электропроводности с двумя главными поверхностями, расположенными на противоположных сторонах пластины, содержащего со стороны первой главной поверхности эмиттерный n-слой, диффузионный базовый р-слой с вытравленной ямкой, образующий коллекторный р-n-переход в исходной кремниевой пластине и имеющий участок с высоким градиентом концентрации акцепторной примеси, расположенный под вытравленной ямкой, эмиттерный р-слой, сформированный со стороны второй главной поверхности пластины, электроды анода, катода и управляющий электрод.

Эмиттерный n-слой охватывает периферийную область ямки, управляющий электрод целиком расположен на ее дне, сама же ямка образована до формирования диффузионного базового р-слоя.

Лавинный пробой коллекторного р-n-перехода, в случае перенапряжения прибора в закрытом состоянии, начинается под ямкой, т.е. на участке с высоким градиентом концентрации акцепторной примеси в диффузионном базовом р-слое. Однако в решении не указана глубина данной ямки, которая влияет на напряжение лавинного пробоя коллекторного р-n-перехода. Не указано также количество типов акцепторных примесей, формирующих диффузионный базовый р-слой, в том числе на участке, где примесь имеет высокий градиент концентрации.

Техническим результатом предлагаемого решения является снижение относительного разброса значений напряжения переключения прибора UBO, упрощение технологии его изготовления, повышение процента выхода годных приборов.

Технический результат достигается тем, что в предлагаемой конструкции полупроводникового прибора с самозащитой от перенапряжений, выполненного на основе кремниевой пластины n-типа электропроводности с двумя главными поверхностями, расположенными на противоположных сторонах пластины, содержащего со стороны первой главной поверхности эмиттерный n-слой, диффузионный базовый р-слой с вытравленной ямкой, образующий коллекторный р-n-переход в исходной кремниевой пластине и имеющий участок с высоким градиентом концентрации акцепторной примеси, расположенный под вытравленной ямкой, эмиттерный р-слой, сформированный со стороны второй главной поверхности пластины, электроды анода, катода и управляющий электрод, диффузионный базовый р-слой содержит под вытравленной ямкой акцепторную примесь первого типа, вне ямки - акцепторные примеси как первого, так и второго типа, имеющие разные коэффициенты диффузии, а глубина h [мкм] вытравленной ямки удовлетворяет условию:

где xj1 и xj2 [мкм] - глубина диффузии акцепторных примесей первого и второго типов, соответственно.

Признаками, отличающими данное техническое решение от прототипа, являются:

1. Диффузионный базовый р-слой содержит под вытравленной ямкой акцепторную примесь первого типа, а вне ямки - акцепторные примеси первого и второго типа, имеющие разные коэффициенты диффузии.

2. Глубина h вытравленной ямки удовлетворяет условию (1).

Известных технических решений с такими признаками не обнаружено.

Положительный результат достигается тем, что при выполнении условия (1) практически исключается влияние кривизны коллекторного р-n-перехода под ямкой на напряжение переключения прибора UBO. При этом относительный разброс значений UBO не превышает 10%. Формирование диффузионного базового р-слоя, содержащего под вытравленной ямкой акцепторную примесь первого типа, а вне ямки - акцепторные примеси первого и второго типов, имеющие разные коэффициенты диффузии, позволяет изготавливать прибор путем одновременной диффузии акцепторных примесей обоих типов. Это упрощает технологию изготовления прибора, что, в свою очередь, приводит к повышению процента выхода годных приборов.

На фиг.1 изображен фрагмент полупроводникового прибора (тиристора) предложенной конструкции, когда диффузионный базовый р-слой содержит под ямкой акцепторную примесь первого типа, а вне ямки - акцепторные примеси первого и второго типа.

На фиг.2 - сечение прибора, когда глубина вытравленной ямки равна оптимальной величине (h=hопт).

На фиг.3 - сечение прибора, когда глубина вытравленной ямки больше оптимальной величины (h>hопт).

На фиг.4 - сечение прибора, когда глубина вытравленной ямки меньше оптимальной величины (h<hопт).

Полупроводниковый прибор выполнен на основе кремниевой пластины 1 n-типа электропроводности с двумя главными поверхностями. Со стороны первой главной поверхности 2 расположены: эмиттерный n-слой 3 и диффузионный базовый р-слой 4 с вытравленной ямкой 5, которая образована до его формирования. Диффузионный базовый р-слой образует в исходной кремниевой пластине коллекторный р-n-переход jk и имеет участок 6 с высоким градиентом концентрации акцепторной примеси под вытравленной ямкой. С этой же стороны пластины созданы электрод катода 7 и управляющий электрод 8 (фиг.1).

Эмиттерный р-слой, который может быть создан одновременно с диффузионным базовым р-слоем, и электрод анода со стороны второй главной поверхности пластины на фиг.1 не показаны.

Глубина вытравленной ямки 5 может быть разной, а именно может быть равной оптимальной глубине (фиг.2), больше (фиг.3) или меньше (фиг.4) оптимальной глубины.

Для формирования диффузионного базового р-слоя 4 использованы акцепторные примеси двух типов, имеющие разные коэффициенты диффузии. Поэтому диффузионный базовый р-слой вне вытравленной ямки состоит из двух частей 9, 10, а под ямкой - из одной части 6. Часть 9 базового р-слоя сформирована диффузией бора и алюминия, часть 10 - диффузией алюминия, а часть 6 - диффузией только бора.

Коллекторный р-n-переход jk в случае, когда глубина вытравленной ямки h=hопт (фиг.2), состоит из двух частей 11, 12. При глубине ямки h>hопт (фиг.3) он состоит из трех частей 11, 12, 13, а при h<hопт - также из трех частей 11, 12, 14.

При работе прибора в случае приложения к нему перенапряжения в закрытом состоянии лавинный пробой всегда происходит на участке 11 коллекторного перехода.

Обусловлено это следующим. Любая примесь, в т.ч. акцепторная, имеющая более высокий коэффициент диффузии, обладает меньшей растворимостью в кремнии, чем примесь с низким коэффициентом диффузии. Вследствие этого всегда можно добиться (путем соответствующего подбора состава диффузанта), чтобы поверхностная концентрация акцепторной примеси первого типа Nsa1 [см-3] превышала поверхностную концентрацию акцепторной примеси второго типа Nsa2 [см-3]. С другой стороны, при одновременной диффузии акцепторных примесей обоих типов глубина диффузии акцепторной примеси первого типа xj1 всегда меньше глубины диффузии акцепторной примеси второго типа хj2.

Именно выполнение условий Nsa1>Nsa2 и xj1<xj2 позволяет обеспечить более высокий градиент примеси первого типа в окрестности коллекторного перехода jk на участке 6 диффузионного базового р-слоя по сравнению с градиентом примеси второго типа в окрестности коллекторного перехода на участке 10. При этом напряжение лавинного пробоя коллекторного перехода на участке 11 (UBR11) [В] всегда меньше, чем на участке 12 (UBR12) [В]. Ток лавинного пробоя коллекторного перехода на участке 11, воздействуя как ток управления, приводит к переключению прибора и тем самым защищает его от необратимого пробоя в закрытом состоянии.

Поверхностные концентрации Nsa1 и Nsa2 акцепторных примесей первого и второго типов целесообразно выбирать в пределах, обеспечивающих разницу в напряжениях лавинного пробоя участков 11 и 12 коллекторного р-n-перехода jk в пределах 5÷10%.

Травление ямки на оптимальную глубину hопт=Xj2-Xj1 позволяет обеспечить плоскостность коллекторного р-n-перехода jk по всей площади прибора (фиг.1, 2). В этом случае напряжение лавинного пробоя участка 11 коллекторного перехода зависит только от концентрации доноров в исходной кремниевой пластине 1 n-типа электропроводности Ndo [см-3] и профиля распределения бора в диффузионном базовом р-слое под вытравленной ямкой.

На значения напряжения лавинного пробоя влияет также кривизна коллекторного р-n-перехода jk на участках, соответственно, 13 и 14, причем это влияние тем сильнее, чем меньше радиус кривизны. При h>hопт радиус кривизны коллекторного р-n-перехода определяется глубиной диффузии акцепторной примеси первого типа xj1, а при h<hопт - глубиной диффузии акцепторной примеси второго типа xj2. Поскольку в приборе предложенной конструкции всегда хj1j2, то радиус кривизны коллекторного р-n-перехода при h>hопт меньше, чем при h<hопт. Поэтому отклонения фактической глубины ямки h от оптимальной hопт следует ограничить условием (1).

В приведенном на фиг.1 варианте конструкции прибора, в отличие от прототипа, эмиттерный n-слой 3 сформирован вне вытравленной ямки, а управляющий электрод 8 простирается за ее пределы.

Такая конструкция прибора является более предпочтительной, так как обеспечивает более равномерное распределение тока лавинного пробоя участка 11 вдоль внутренней границы эмиттерного n-слоя 3 даже в случае, если лавинный пробой участка 11 происходит неоднородно по его площади.

Пример реализации. Для примера реализации взяли тиристор на импульсный ток 25 А, напряжение переключения UBO≈2500 В. При этом напряжение лавинного пробоя участка 11 коллекторного перехода UBR11 должно быть равным UBO, а напряжение лавинного пробоя участка 12 коллекторного перехода UBR12 должно превышать UBO примерно на 7,5%, т.е. UBR12≈2690 В. Акцепторными примесями послужили бор и алюминий, имеющие разные коэффициенты диффузии, для обеспечения разной глубины диффузии примесей и формирования нужного профиля диффузионного базового р-слоя 4. Типичная глубина диффузии алюминия xj2 составляет 70÷80 мкм. Для нашего случая выбрали значение xj2=75 мкм. Расчетная глубина диффузии бора равна 32 мкм, а оптимальная глубина вытравленной ямки - 43 мкм. Удельное сопротивление кремния n-типа электропроводности, обеспечивающее необходимое значение UBR11 при хj2=75 мкм, равно 90 Ом·см (Ndo=5,1·1013 см-3).

Диаметр вытравленных ямок был равным 1 мм, диаметр внутренней границы эмиттерного n-слоя 3 - равным 1,5 мм, а диаметр тиристора - равным 6,3 мм. Чтобы установить разницу в напряжениях переключения тиристоров с вытравленными ямками (UBO11) [В] и без них (UBO12) [В], часть приборов изготовили без вытравленных ямок. На пластине диаметром 76 мм и толщиной 500 мкм разместили 60 тиристоров, половина из которых была без вытравленных ямок. Тиристоры с вытравленными ямками и без них чередовались друг с другом.

Из патента РФ №1715124, кл. Н 01 L 21/22, опубл. 15.12.93 г., известно, что при диффузии в открытой трубе из раствора-диффузанта, содержащего бор и алюминий, в шлифованные кремниевые пластины с локальными травлеными участками алюминий не диффундирует в травленые участки. Именно это обстоятельство позволяет изготавливать приборы предложенной конструкции путем одновременной диффузии бора и алюминия.

Исходные пластины, шлифованные с обеих сторон микропорошком с размером зерна 12 мкм, отмывали по стандартной технологии. Используя фотолитографию, на пластине кислотным травителем вытравливали ямки глубиной h=(0,75÷1,15)·hопт. Затем на обе поверхности пластин наносили раствор-диффузант и проводили термообработку в открытой трубе при температуре 1250°С в течение 22 ч.

После обработки в плавиковой кислоте и отмывки по стандартной технологии пластины термически окисляли для получения пленки SiO2 толщиной 0,6 мкм. Фотолитографией в пленке SiO2 вскрывали кольцевые площадки для формирования эмиттерного n-слоя путем селективной диффузии фосфора с загонкой из газовой фазы и последующей разгонкой с одновременным окислением пластин. Фотолитографией в пленке SiO2 вскрывали площадки для электродов катода и управляющих электродов, а с противоположной стороны пластин пленку SiO2 удаляли полностью, после чего проводили химическое никелирование пластин. Далее проводили механическую вырезку приборов, профилирование, травление, очистку и пассивацию их фасок.

Измеренные на контрольных шлифованных и травленых пластинах значения xj1=(32±1) мкм и xj2=(75±2) мкм действительно соответствовали вышепринятым. Сопротивления растекания диффузионных базовых р-слоев на шлифованных (RS1) [Ом/□] и травленых (RS2) [Ом/□] пластинах были равны, соответственно, (29±0,3) Ом/□ и (30,2±0,3) Ом/□. Поверхностная концентрация алюминия Nsa2 в соответствии с [5] равна 2·1016 см-3. Поверхностная концентрация бора Nsa1, рассчитанная из полученных значений xj1, xj2, RS1 и RS2, с погрешностью не более ±5% соответствовала значению 2·1018 см-3.

Известно, что некачественные профилирование, травление, очистка и/или пассивация фаски тиристоров приводят к снижению блокируемого ими напряжения. Поэтому результаты испытаний приборов, вышедших из строя вследствие пробоя по фаске (поверхностного пробоя), не засчитывались. Значительная часть тиристоров без вытравленной ямки (около 45%) при измерениях напряжения переключения UВО12 выходила из строя вследствие объемного пробоя. Объясняется это тем, что такие тиристоры по существу не являются приборами с самозащитой от перенапряжений, но результаты измерений UBO12 этих тиристоров засчитывались.

Значения UBO12 тиристоров без вытравленной ямки как не вышедших, так и вышедших из строя вследствие объемного пробоя, лежали в интервале 2650÷2710 В. Среднее значение UBO12ср [В] было равно, таким образом, 2680 В, что близко к его расчетному значению, если принять, что UBO12≈UBR12=2690 В. Наблюдавшийся разброс значений UBO12 обусловлен, очевидно, соответствующим разбросом удельного сопротивления исходного кремния.

Для тиристоров с вытравленной ямкой конкретные значения UBO12 невозможно измерить. Для оценки относительной разности между их напряжениями переключения UBO11 и UBO12 значения UBO12 были приняты равными UBO12ср. Данные образцы тиристоров были подразделены на 8 групп, отличающихся глубиной ямки. Внутри каждой группы глубина ямки колебалась в пределах 0,05·hопт. Результаты измерений приведены ниже в таблице, где Ku - относительная разность значений UBO2ср и UBO11, т.е. Ku=100·(UBО12cp-UВО11)/UBO12ср, %

h/hопт0,75÷0,80,8÷0,850,85÷0,90,9÷0,950,95÷1,01,0÷1,051,05÷1,11,1÷1,15UBO11, B2405÷22802415÷24602440÷25802460÷24952480÷25202470÷25102410÷24602400÷2260Ku, %10,3÷14,99,89÷8,218,96÷7,468,21÷6,907,46÷5,977,84÷6,3410,0÷8,2110,4÷15,7

Из таблицы видно, что при 0,9<h/hопт<1,05 значения UBO11 близки к расчетному значению 2500 В. Некоторый разброс значений UBO11 объясняется при этом разбросом удельного сопротивления исходного кремния. С дальнейшим увеличением отклонения значений h от hопт разность между UBO12cp и UBO11 возрастает и при 0,8·hопт>h>1,1·hопт относительное уменьшение значений UBO11 превышает 10%.

Очевидно, что данное изобретение может быть использовано и для создания симметричного (пятислойного) прибора с самозащитой от перенапряжений.

Полупроводниковые приборы с самозащитой от перенапряжений могут найти применение в преобразователях электрической энергии как самостоятельные изделия или как элементы защиты мощных тиристоров от пробоя при перенапряжениях в закрытом состоянии.

Источники информации

1. Заявка Японии №61-247071, кл. H 01 L 29/74, опубл. 04.11.86 г.

2. Заявка Японии №61-226963, кл. H 01 L 29/74, опубл. 08.10.86 г.

3. H.Ohashi, J.Yoshida, Y.Yamaguchi, J.Akagi. Design consideration for high power, overvoltage self-protected thyristor. - Proceedings IPEC, Tokyo, 1983, p.550-558.

4. Заявка Японии №59-009970, кл. H 01 L 29/74, опубл. 19.01.84 г. (прототип).

5. Патент РФ №1715124, кл. Н 01 L 21/22, опубл. 15.12.93 г.

Похожие патенты RU2279735C9

название год авторы номер документа
СИЛОВОЙ ТИРИСТОР 2011
  • Дерменжи Пантелей Георгиевич
  • Недошивин Роберт Павлович
  • Нисневич Яков Давидович
RU2474925C1
СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2011
  • Дерменжи Пантелей Георгиевич
RU2474926C1
СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С РЕГУЛИРУЕМЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ 2009
  • Дерменжи Пантелей Георгиевич
  • Сурма Алексей Маратович
  • Чибиркин Владимир Васильевич
  • Кавтун Валерий Иванович
RU2410795C1
ЗАПИРАЕМЫЙ ТИРИСТОР И СПОСОБ ЕГО РАБОТЫ 2007
  • Грехов Игорь Всеволодович
RU2335824C1
СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР 2006
  • Дерменжи Пантелей Георгиевич
  • Локтаев Юрий Михайлович
  • Нисневич Яков Давыдович
  • Семенов Александр Юрьевич
  • Черников Анатолий Александрович
RU2308121C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2010
  • Дерменжи Пантелей Георгиевич
  • Локтаев Юрий Михайлович
  • Нисневич Яков Давидович
  • Сурма Алексей Маратович
  • Черников Анатолий Александрович
RU2449415C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР 1992
  • Грехов И.В.
  • Костина Л.С.
  • Белякова Е.И.
RU2045111C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С САМОЗАЩИТОЙ ОТ ПРОБОЯ В ПЕРИОД ВОССТАНОВЛЕНИЯ ЗАПИРАЮЩИХ СВОЙСТВ 2005
  • Дерменжи Пантелей Георгиевич
  • Локтаев Юрий Михайлович
  • Лапшина Ирина Николаевна
  • Черников Анатолий Александрович
  • Чесноков Юрий Анатольевич
RU2297075C1
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР 2009
  • Грехов Игорь Всеволодович
  • Рожков Александр Владимирович
RU2395869C1
Тиристор 1978
  • Цутому Яцуо
  • Наохиро Момма
  • Масаеси Наито
  • Масахиро Окамура
SU1088676A3

Иллюстрации к изобретению RU 2 279 735 C9

Реферат патента 2006 года ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С САМОЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЙ

Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя при перенапряжениях в закрытом состоянии, а именно к конструкции динисторов и тиристоров, в том числе симметричных. Техническим результатом изобретения является снижение относительного разброса значений напряжения переключения прибора UВО, упрощение технологии его изготовления, повышение процента выхода годных приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор с самозащитой от перенапряжений выполнен на основе кремниевой пластины n-типа электропроводности с двумя главными поверхностями, расположенными на противоположных сторонах пластины. Прибор содержит со стороны первой главной поверхности эмиттерный n-слой, диффузионный базовый р-слой с вытравленной ямкой, образующий коллекторный р-n-переход в исходной кремниевой пластине и имеющий участок с высоким градиентом концентрации акцепторной примеси, расположенный под вытравленной ямкой, эмиттерный р-слой, сформированный со стороны второй главной поверхности пластины, электроды анода, катода и управляющий электрод. Диффузионный базовый р-слой содержит под вытравленной ямкой акцепторную примесь первого типа, вне ямки - акцепторные примеси как первого, так и второго типа, имеющие разные коэффициенты диффузии, а глубина h [мкм] вытравленной ямки удовлетворяет условию 1,1≥h/(хj2j1)≥0,8, где хji и хj2 [мкм] - глубина диффузии акцепторных примесей первого и второго типов, соответственно. 4 ил., 1 табл.

Формула изобретения RU 2 279 735 C9

Полупроводниковый прибор с самозащитой от перенапряжений, выполненный на основе кремниевой пластины n-типа электропроводности с двумя главными поверхностями, расположенными на противоположных сторонах пластины, содержащий со стороны первой главной поверхности эмиттерный n-слой, диффузионный базовый р-слой с вытравленной ямкой, образующий коллекторный р-n-переход в исходной кремниевой пластине и имеющий участок с высоким градиентом концентрации акцепторной примеси, расположенный под вытравленной ямкой, эмиттерный р-слой, сформированный со стороны второй главной поверхности пластины, электроды анода, катода и управляющий электрод, отличающийся тем, что диффузионный базовый р-слой содержит под вытравленной ямкой акцепторную примесь первого типа, вне ямки - акцепторные примеси как первого, так и второго типа, имеющие разные коэффициенты диффузии, а глубина h [мкм] вытравленной ямки удовлетворяет условию

1,1≥h/(хj2j1)≥0,8,

где хj1 и хj2 [мкм] - глубина диффузии акцепторных примесей первого и второго типов соответственно.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2006 года RU2279735C9

JP 59009970 А, 19.01.1984
JP 61226963 А, 08.10.1986
JP 4356964 А, 10.12.1992
US 6570193 B1, 27.05.2003
СИЛОВОЙ ТИРИСТОР, ПРОВОДЯЩИЙ В ОБРАТНОМ НАПРАВЛЕНИИ 1994
  • Дерменжи П.Г.
  • Думаневич А.Н.
  • Шмелев В.В.
RU2082259C1

RU 2 279 735 C9

Авторы

Дерменжи Пантелей Георгиевич

Локтаев Юрий Михайлович

Ставцев Александр Валерьевич

Черников Анатолий Александрович

Даты

2006-07-10Публикация

2004-12-28Подача