Изобретение относится к области радиационных технологий, а также к эксплуатации ядерных установок и ускорителей.
Взаимодействие нейтронного излучения с полупроводником сопровождается образованием в его кристаллической решетке трансмутационных примесей и разного рода структурных нарушений. Это приводит к появлению в запрещенной зоне локальных энергетических уровней и изменению таких параметров полупроводника, как концентрация носителей заряда, фоточувствительность, подвижность, время жизни носителей, оптическое поглощение и т.п. Это свойство полупроводников используют для измерения флюенса нейтронов.
Известны активационные способы измерений флюенса нейтронов [Крамер-Агеев Е.А., Трошин В.С., Тихонов Е.Г. Активационные методы спектрометрии нейтронов. М.: Атомиздат, 1976, 232 с.]. Они наиболее универсальны и позволяют определять абсолютные значения флюенса нейтронов без дополнительной калибровки. Однако эти способы очень трудоемки и требуют специальной аппаратуры. Их часто используют для калибровки других, более простых, способов измерений флюенса нейтронов.
Известны также способы измерения флюенса нейтронов с помощью ионизационных камер и пропорциональных счетчиков [Ломакин С.С, Петров В.И., Самойлов П.С. Радиометрия нейтронов активационным методом. М.: Атомиздат, 1975, 208 с.]. Их достоинством является то, что информация о плотности потока нейтронов выводится непрерывно, что позволяет контролировать флюенс нейтронов непосредственно в процессе облучения. Их недостатки: а) значительное выгорание нейтронно-чувствительного элемента, которое зависит от флюенса и спектра нейтронов, б) повышенные требования к термической и радиационной стойкости изоляторов, в) относительная сложность конструкции.
Известен также способ измерения флюенса нейтронов полупроводниковым детектором, включающий в себя калибровку детектора, измерение электрического сопротивления детектора до облучения, облучение неизвестным флюенсом нейтронов, измерение электрического сопротивления детектора после его облучения [SU № 934402, опубл. 07.06.82, БИ № 21]. При этом в качестве детектора используют кремний n-типа. Основной недостаток этого способа связан со значительным разбросом исходных параметров даже у однотипных приборов серийного выпуска. Поэтому каждый такой прибор требует индивидуальной калибровки, после которой восстановление исходных параметров при высокотемпературном отжиге часто невозможно из-за разрушения внутренней структуры приборов.
Наиболее близким к заявляемому является способ измерения флюенса нейтронов полупроводниковым детектором из монокристаллического кремния [заявка RU № 2007125306, решение о выдаче патента от 23.06.08], включающий в себя калибровку детектора, измерение удельного электрического сопротивления монокристаллического кремния до и после облучения, облучение неизвестным флюенсом нейтронов и определение флюенса быстрых нейтронов по изменению удельной электрической проводимости в монокристаллическом кремнии.
При облучении быстрыми нейтронами в кремнии наряду с другими типами дефектов образуются и сложные дефекты как донорного, так и акцепторного характеров, являющиеся следствием взаимодействия вакансий и междуузельных атомов между собой и с атомами исходных химических примесей. При этом введение сложных компенсирующих центров приводит к компенсации основной легирующей примеси, т.е. доноров в кремнии n-типа. Поэтому изменение удельной проводимости пропорционально концентрации этих дефектов, которая в свою очередь пропорциональна флюенсу быстрых нейтронов. Поскольку этот способ основан на изменении проводимости из-за сложных радиационных дефектов, он не чувствителен к тепловым нейтронам, которые генерируют только простые дефекты типа пары Френкеля (вакансия и междуузельный атом).
Техническим результатом изобретения является: 1) использование в качестве детектора тепловых нейтронов простейшего полупроводника без p-n переходов - монокристаллического кремния как n-, так и p-типов; 2) одна исходная для данного спектра нейтронов калибровка детектора с любым исходным сопротивлением, при этом калибровка не меняется при использовании детекторов с любым другим исходным сопротивлением; 3) возможность в результате одного облучения шайбы кремния определять как флюенс тепловых нейтронов, так и флюенс быстрых нейтронов (по прототипу).
Это достигается тем, что в известном способе измерения флюенса нейтронов детектором из монокристаллического кремния, включающем калибровку детектора, измерение исходного удельного электрического сопротивления монокристаллического кремния, облучение неизвестным флюенсом нейтронов, измерение конечного удельного электрического сопротивления и определение флюенса нейтронов по изменению удельной электрической проводимости в монокристаллическом кремнии, согласно изобретению после облучения проводят отжиг радиационных дефектов в кремнии, генерированных быстрыми нейтронами, а флюенс тепловых нейтронов определяют по изменению удельной электрической проводимости в монокристаллическом кремнии за счет образования в нем донорной примеси фосфора по формуле:
где К - коэффициент пропорциональности, который постоянен для измеряемого спектра нейтронов и не зависит от исходного удельного электрического сопротивления, его определяют при калибровке детекторов, ρ0 - исходное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют перед облучением детектора, ρ - конечное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют после облучения детектора флюенсом F тепловых нейтронов и отжига радиационных дефектов.
При этом отжиг радиационных дефектов проводят при температуре не менее 800°С в течение не менее двух часов.
Суть изобретения заключается в следующем. При облучении кремния тепловыми нейтронами за счет (n,γ)-реакции образуется фосфор
При этом концентрация ядер фосфора Np пропорциональна флюенсу F тепловых нейтронов
где σ - сечение реакции радиационного захвата тепловых нейтронов на 30Si, NSi - концентрация ядер 30Si. Фосфор в монокристаллическом кремнии является донорной примесью, поэтому в кремнии n-типа он увеличивает проводимость, а в кремнии p-типа - уменьшает. В предлагаемом способе между изменением проводимости (1/ρ-1/ρ0) и флюенсом нейтронов F существует линейная связь (1), которая вытекает из выражения (3). При этом коэффициент пропорциональности К один и тот же для любого исходного сопротивления ρ0. Это, во-первых, снижает трудоемкость калибровки детекторов для каждого конкретного спектра нейтронов, во-вторых, уменьшает погрешность измерений, в-третьих, позволяет измерять широкий диапазон флюенса тепловых нейтронов, от 1015 до 1018 см-2. Кроме того, физическая информация (удельное электрическое сопротивление) в отличие, например, от активационного метода сохраняется бесконечно долго, что позволяет в любой момент времени перепроверить полученный результат измерения флюенса тепловых нейтронов.
Возможность осуществления способа подтверждается следующими экспериментами, проведенными на исследовательском ядерном реакторе типа ИРТ-Т мощностью 6 МВт в г. Томске. Эксперименты проводились с использованием существующей с 1984 года технологии нейтронно-трансмутационного легирования кремния, базирующейся на горизонтальном экспериментальном канале ГЭК-4. Имеется печь отжига радиационных дефектов типа СУЗН1.6, установки для измерения удельного электрического сопротивления 4-зондовым методом, времени жизни неосновных носителей заряда, типа проводимости, станки для резки и шлифовки слитков, химический участок подготовки кремния к облучению и его дезактивации. С помощью этой технологии были заготовлены шайбы монокристаллического кремния. Измерения удельного электрического сопротивления проводились 4-зондовым методом по 15 точкам. Погрешность измерения среднего по торцу шайбы удельного сопротивления не превышает 2%. Измерения сопротивлений проводились до и после облучения и отжига радиационных дефектов при температуре 800°С в течение 2 часов. Контроль за флюенсом тепловых нейтронов осуществляли с помощью штатных камер деления типа КтВ-4. Пять таких камер установлены над каналом ГЭК-4 и калиброваны на абсолютные значения плотности потока тепловых нейтронов в 5 точках этого канала. Калибровка осуществлялась по золоту с помощью стандартного набора активационных детекторов по методике, рекомендованной Всероссийским научно-исследовательским институтом физико-технических и радиационных измерений. Результаты калибровки представлены в таблице, где ρ0, ρ есть исходные и конечные (после облучения и отжига) удельные электрические сопротивления, F1 - флюенс тепловых нейтронов по показаниям камер КтВ-4, К - коэффициент пропорциональности в выражении (2), который вычислен для каждой шайбы по значениям ρ0, ρ и F1. Среднее значение этого коэффициента (Кср) равно 222,9·1017 Ом/см. По сути дела, Кср и есть результат калибровки детекторов в абсолютных единицах для канала ГЭК-4. В этой же таблице F2 - флюенс тепловых нейтронов для каждой шайбы, вычисленный по выражению (2), где К=Кср, т.е. результаты измерений флюенса тепловых нейтронов кремниевыми детекторами. δ - ошибки измерений, которые определялись по формуле
Кроме того, были проведены эксперименты по определению режима отжига радиационных дефектов, генерированных быстрыми нейтронами. Очевидно, этих дефектов тем больше, чем жестче спектр и больше флюенс нейтронов. Температура отжига варьировалась от 600°С до 900°С, а флюенс тепловых нейтронов - от 1016 до
1018 см-2. Облучение проводили в канале реактора ГЭК-4. При флюенсе тепловых нейтронов до 1016 см-2 достаточно для отжига 30 минут при температуре 650°С. При флюенсе 1017 см-2 температура отжига повышается до 800°С, а время - до 1,5 часов. С дальнейшим ростом флюенса, вплоть до 1018 см-2, дефекты отжигались при той же температуре, но время отжига увеличилось до 2 часов.
Полезный результат заключается в том, что при одном облучении шайба монокристаллического кремния содержит информацию как о флюенсе быстрых нейтронов (по прототипу), так и (после отжига) о флюенсе тепловых нейтронов. Калибровку детектора можно осуществить даже в одном единственном облучении шайбы кремния с любым исходным удельным сопротивлением. Калибровка остается постоянной для измеряемого спектра нейтронов и не зависит от исходного удельного электрического сопротивления. Каждый монокристалл можно использовать многократно. Кроме того, физическая информация (удельное электрическое сопротивление) в отличие, например, от активационного метода сохраняется бесконечно долго, что позволяет в любой момент времени перепроверить полученный результат измерения флюенса тепловых нейтронов.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ФЛЮЕНСА БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ДЕТЕКТОРОМ | 2007 |
|
RU2339975C1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ФЛЮЕНСА БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ ДЕТЕКТОРОМ | 2013 |
|
RU2523611C1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ФЛЮЕНСА ТЕПЛОВЫХ НЕЙТРОНОВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИМ КРЕМНИЕМ | 2011 |
|
RU2472181C1 |
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ФЛЮЕНСА БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ С ПОМОЩЬЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТОРА | 2014 |
|
RU2553840C1 |
Способ регистрации нейтронного излучения с регулируемым диапазоном чувствительности на основе эффекта одиночных сбоев | 2023 |
|
RU2816556C1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ПОСЛЕ НЕЙТРОННО-ТРАНСМУТАЦИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ | 2002 |
|
RU2208666C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | 1992 |
|
RU2046164C1 |
СПОСОБ НЕЙТРОННО-ТРАНСМУТАЦИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ | 2000 |
|
RU2193610C2 |
СПОСОБ НЕЙТРОННО-ТРАНСМУТАЦИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ | 2000 |
|
RU2193609C2 |
СПОСОБ СНИЖЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В НЕЙТРОННО-ЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ОБЛУЧЕНИИ | 1999 |
|
RU2162256C1 |
Изобретение относится к области радиационных технологий, а также к эксплуатации ядерных установок и ускорителей. Технический результат - способ позволяет использовать в качестве детектора тепловых нейтронов простейший полупроводник без p-n переходов - монокристаллический кремний как n-, так и p-типов; широкий диапазон измеряемого флюенса тепловых нейтронов от 1015 до 1018 см-2; одна исходная для данного спектра нейтронов калибровка детектора с любым исходным сопротивлением, при этом калибровка не меняется при использовании детекторов с любым другим исходным сопротивлением. Способ включает калибровку детектора, измерение исходного удельного электрического сопротивления монокристаллического кремния, облучение неизвестным флюенсом нейтронов, отжиг радиационных дефектов в кремнии, генерированных быстрыми нейтронами, измерение конечного удельного электрического сопротивления и определение флюенса нейтронов по изменению удельной электрической проводимости в монокристаллическом кремнии за счет образования в нем донорной примеси фосфора по формуле: где К - коэффициент пропорциональности, который постоянен для измеряемого спектра нейтронов и не зависит от исходного удельного электрического сопротивления, его определяют при калибровке детекторов, ρ0 - исходное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют перед облучением детектора, ρ - конечное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют после облучения детектора флюенсом F тепловых нейтронов и отжига радиационных дефектов. При этом отжиг радиационных дефектов проводят при температуре не менее 800°С в течение не менее двух часов. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
1. Способ измерения флюенса нейтронов детектором из монокристаллического кремния, включающий калибровку детектора, измерение исходного удельного электрического сопротивления монокристаллического кремния, облучение неизвестным флюенсом нейтронов, измерение конечного удельного электрического сопротивления и определение флюенса нейтронов по изменению удельной электрической проводимости в монокристаллическом кремнии, отличающийся тем, что после облучения проводят отжиг радиационных дефектов в кремнии, генерированных быстрыми нейтронами, а флюенс тепловых нейтронов определяют по изменению удельной электрической проводимости в монокристаллическом кремнии за счет образования в нем донорной примеси фосфора по формуле
где К - коэффициент пропорциональности, который постоянен для измеряемого спектра нейтронов и не зависит от исходного удельного электрического сопротивления, его определяют при калибровке детекторов, ρ0 - исходное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют перед облучением детектора, ρ - конечное удельное электрическое сопротивление, которое измеряют после облучения детектора флюенсом F тепловых нейтронов и отжига радиационных дефектов.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что отжиг радиационных дефектов проводят при температуре не менее 800°С в течение времени не менее двух часов.
Способ измерения флюенса быстрых нейтронов | 1980 |
|
SU934402A1 |
СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | 1990 |
|
SU1783930A1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФЛЮЕНСА НЕЙТРОНОВ | 1991 |
|
RU2006881C1 |
US 3516939 A, 23.06.1970 | |||
JP 63131094 A, 03.06.1988. |
Авторы
Даты
2010-01-20—Публикация
2008-11-10—Подача