НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК Российский патент 2011 года по МПК G01N27/22 B82B1/00 

Описание патента на изобретение RU2422811C1

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей оксида углерода и других газов. Изобретение может быть использовано в экологии.

Известен датчик (детектор) по теплопроводности, действие которого основано на различии теплопроводности паров вещества и газа-носителя (Вяхирев Д.А., Шушукова А.Ф. Руководство по газовой хроматографии. М.: Высш. школа, 1987. - 287 с.).

Однако такой датчик (детектор) чувствителен только к веществам с теплопроводностью, близкой к теплопроводности газа-носителя.

Известен также полупроводниковый газовый датчик на основе оксида индия (In2O3), легированного оксидами щелочных металлов (Vamaura Hiroyuki, Tamaki Jun, Moriya Koji, Miura Norio, Vamazoe Noboru // J. Electrochem. Soc. - 1996. - V.43. N2. P.36-37). Он позволяет детектировать 6,7-0,05 Па CO во влажном воздухе при 300°C.

Недостатком данного устройства является его недостаточная чувствительность для контроля содержания оксида углерода, высокая рабочая температура - 300°C и трудоемкость его изготовления.

Ближайшим техническим решением к изобретению является газовый датчик, состоящий из непроводящей подложки и поликристаллической пленки антимонида индия, легированного селенидом цинка, с нанесенными на ее поверхность металлическими электродами (патент РФ №2206083. М.Кл. 7G01 №27/12).

Недостатком известного устройства является его недостаточная чувствительность при контроле микропримесей оксида углерода.

Задачей изобретения является создание датчика, позволяющего, при повышенной чувствительности и технологичности его изготовления, определять содержание микропримесей оксида углерода в газовых смесях при комнатной температуре.

Поставленная задача решена за счет того, что в известном газовом датчике, содержащем полупроводниковое основание и подложку, согласно изобретению, полупроводниковое основание выполнено в виде наноразмерной пленки теллурида кадмия, легированного селенидом цинка, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора.

Сущность изобретения поясняется чертежами, где представлены на фиг.1 - конструкция заявляемого датчика, на фиг.2 - кривая зависимости величины адсорбции оксида углерода от температуры, на фиг.3 - градуировочная кривая зависимости изменения частоты колебания пьезокварцевого резонатора с нанесенной полупроводниковой наноразмерной пленкой (Δf) в процессе адсорбции при комнатной температуре от начального давления CO (PCO). Последняя наглядно демонстрирует его чувствительность.

Датчик состоит из полупроводникового основания 1, выполненного в виде наноразмерной пленки теллурида кадмия, легированного селенидом цинка, нанесенной на электродную площадку 2 пьезокварцевого резонатора 3 (фиг.1).

Принцип работы такого датчика основан на адсорбционно-десорбционных процессах, протекающих на полупроводниковой пленке, нанесенной на электродную площадку пьезокварцевого резонатора, и вызывающих изменение его массы, и соответственно, частоты.

Работа датчика осуществляется следующим образом.

Датчик помещают в находящуюся при комнатной температуре камеру (ею может быть обычная стеклянная трубка), через которую пропускают (или в которой выдерживают) анализируемый на содержание CO газ. При контакте пропускаемого газа с поверхностью полупроводниковой пленки CdTe(ZnSe) происходит избирательная адсорбция молекул CO, увеличение массы композиции «пленка-кварцевый резонатор» и изменение частоты колебания последнего. По величине изменения частоты, с помощью градуировочных кривых можно определить содержание оксида углерода в исследуемой среде.

Из анализа приведенной на фиг.3 типичной градуировочной кривой, полученной с помощью заявляемого датчика и выражающей зависимость изменения Δf от содержания оксида углерода (PCO), следует: заявляемый датчик позволяет определять содержание оксида углерода (угарного газа) с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительность известных датчиков. Кроме того, существенно упрощается технология изготовления датчика, т.к. отпадает необходимость в нанесении электродов.

Малые габариты устройства (рабочий объем менее 0,2 см3) в сочетании с малой массой пленки - адсорбента позволяют снизить постоянную датчика по времени до 10-20 мс.

Конструкция заявляемого датчика позволяет также улучшить и другие характеристики: быстродействие, регенерируемость, способность работать не только в статическом, но и динамическом режиме.

Похожие патенты RU2422811C1

название год авторы номер документа
Полупроводниковый анализатор оксида углерода 2016
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Букашкина Татьяна Леонидовна
RU2631010C2
ГАЗОАНАЛИЗАТОР УГАРНОГО ГАЗА 2009
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Новгородцева Любовь Владимировна
  • Васина Марина Владимировна
RU2395799C1
НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК 2010
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Подгорный Станислав Олегович
RU2458338C2
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ОКСИДА УГЛЕРОДА 2016
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Миронова Елена Валерьевна
RU2637791C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК МИКРОПРИМЕСЕЙ АММИАКА 2015
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Миронова Елена Валерьевна
RU2607733C1
ДАТЧИК УГАРНОГО ГАЗА 2006
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Тимошенко Оксана Тарасовна
RU2326371C1
ДАТЧИК УГАРНОГО ГАЗА 2020
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Букашкина Татьяна Леонидовна
  • Эккерт Алиса Олеговна
  • Эккерт Роберт Владимирович
RU2733799C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ОКСИДА УГЛЕРОДА 2019
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Букашкина Татьяна Леонидовна
  • Эккерт Алиса Олеговна
  • Эккерт Роберт Владимирович
RU2739146C1
НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОАНАЛИЗАТОР 2010
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Новгородцева Любовь Владимировна
RU2423688C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК МИКРОПРИМЕСЕЙ КИСЛОРОДА 2015
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Букашкина Татьяна Леонидовна
RU2610349C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 422 811 C1

Реферат патента 2011 года НАНОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, для регистрации и измерения содержания оксида углерода и других газов. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из наноразмерной пленки теллурида кадмия, легированного селенидом цинка. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика и технологичности его изготовления. 3 ил.

Формула изобретения RU 2 422 811 C1

Нанополупроводниковый газовый датчик, содержащий полупроводниковое основание, легированное селенидом цинка, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из наноразмерной пленки теллурида кадмия.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2011 года RU2422811C1

СПОСОБ БЕТОНИРОВАНИЯ МОНОЛИТНЫХ ЖЕЛЕЗОБЕТОННЫХ СТРОИТЕЛЬНЫХ КОНСТРУКЦИЙ, ПРОТЯЖЕННЫХ ПО ПЛОЩАДИ 2001
  • Антонов Е.А.
  • Пассек В.В.
  • Цернант А.А.
  • Хабибулин К.И.
  • Сычев А.П.
  • Цимеринов А.И.
  • Заковенко В.В.
  • Величко В.П.
  • Дмитриев А.И.
  • Мордухович И.М.
RU2208083C2
ПЬЕЗОРЕЗОНАНСНЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК 2004
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Федяева Оксана Анатольевна
  • Миронова Елена Валерьевна
RU2274854C1
ДАТЧИК ДИОКСИДА АЗОТА 2004
  • Кировская Ираида Алексеевна
  • Федяева Оксана Анатольевна
  • Миронова Елена Валерьевна
RU2274853C1
ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК 2000
  • Кировская И.А.
  • Азарова О.П.
RU2178558C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК 1999
  • Кировская И.А.
  • Ложникова Т.В.
RU2178559C2
JP 11051892 A, 28.02.1999
US 2005129573 A1, 16.06.2005
WO 2008039165 A2, 03.04.2008.

RU 2 422 811 C1

Авторы

Кировская Ираида Алексеевна

Подгорный Станислав Олегович

Даты

2011-06-27Публикация

2010-02-08Подача