ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ И ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ Российский патент 2011 года по МПК G09F9/30 

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к подложкам активных матриц и жидкокристаллическим устройствам отображения.

Уровень техники

Жидкокристаллические дисплеи имеют характеристики, такие, что они являются тонкими и требуют низкое энергопотребление. Использование этих характеристик приводит к широкому использованию жидкокристаллических устройств отображения, жидкокристаллические устройства отображения традиционно широко использовались как дисплеи целых устройств, не ограниченные обычными устройствами, такими как телевизоры, персональные компьютеры, но включающие в себя измерительное аппаратное обеспечение, медицинское оборудование и промышленное оборудование. Как и жидкокристаллическое устройство отображения, известно жидкокристаллическое устройство отображения, управляемое активной матрицей, в котором предусматривается TFT (тонкопленочный транзистор, thin film transistor) для каждого пикселя, или минимальный блок для отображения пикселя, таким образом, чтобы позволить точное изображения для отображения.

Жидкокристаллические устройства отображения, управляемые активной матрицей, включают в себя: подложку активной матрицы, на которой предоставлено множество TFT упомянутых выше для каждого пикселя, противоположную подложку, которая обращена к подложке активной матрицы и на которой сформированы общий электрод и схожие, и жидкокристаллический слой, который предусматривается между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой.

Фиг.17 - вид в плане, схематически показывающий часть традиционной подложки активной матрицы.

В подложке активной матрицы, как показано на фиг.17, предусматривается для пересечения множество истоковых шин 100, простирающихся параллельно друг к другу, и множество затворных шин 101, простирающихся параллельно друг к другу. На подложке активной матрицы, предоставляются TFT 102 рядом с соответствующими пересечениями истоковых шин 100 и затворных шин 101, и множество пиксельных электродов 104 (показанных в передающей форме), которые электрически подключены к соответствующим TFT 102, контактные отверстия 103, сформированные в изолирующей пленке (не показанной), покрывающей TFT 102, сформированы в форме матрицы.

Дополнительно, на подложке активной матрицы, множество вспомогательных емкостных шин 105 предусматриваются как каждая простирающаяся между вдоль затворными шинами 101. Предоставленным на каждой вспомогательной емкостной шине 105 является множество вспомогательных емкостных электродов 107, сформированных как объединенные с электродами 106 стока соответствующих TFT 102, и вспомогательные емкостные сопротивления для подержания потенциалов, записанных в соответствующих пиксельных электродах 104 формируются между вспомогательными емкостными шинами 105 и вспомогательными емкостными электродами 107, которые перекрывают друг друга.

Фиг.18 показывает отношение между шаблонами сигналов, которые прикладываются к затворной шине, истоковой шине и пиксельному электроду, соответственно. Как показано на Фиг.18, когда потенциал V_gh прикладывается к затворной линии, включается TFT, подключенный к затворной линии, и потенциал Vs который был приложен к истоковой шине, подключенной к TFT прикладывается через электрод стока к пиксельному электроду. С этой точки, запись выполняется до тех пор, пока потенциал V_PO пиксельного электрода не достигнет такого же значения, что и потенциал V_S истоковой шины. Когда потенциал V_gl прикладывают к затворной линии, потенциал пиксельного электрода падает, что приводит к разности ΔVgd от потенциала V_PO по завершению записи. Разность ΔVgd, появившаяся от падения потенциала пиксельного электрода, генерируется паразитным емкостном сопротивлением между электродом стока и затворным электродом в каждом пикселе, и называется проходным напряжением. В случаях, когда проходное напряжение ΔVgd меняется от одного пикселя к другому, дефекты дисплея, такие как неравномерность яркости и мерцание, могут быть, вероятно, визуально заметными.

Проходное напряжение ΔVgd выражается простым образом следующим уравнением. Заметим, что Vgpp представляет разность между Vgh и Vgl(Vgh-Vgl), Cgd представляет паразитное емкостное сопротивление между затворным электродом и электродом стока, Cs представляет вспомогательное емкостное сопротивление, и Clc представляет жидкокристаллическое емкостное сопротивление.

ΔVgd = Vgpp x Cgd/(Clc + Cs + Cgd)

В последнее время, в виду того, что требовалось увеличение размеров экранов отображения телевизоров и им подобных, увеличились размеры подложек активных матриц. Для производства подложки активной матрицы, выполняют формирование шаблона с использованием фотолитографии для формирования шин и электродов. В фотолитографии при производстве большой по размеру подложки активной матрицы, выполняемом как процесс экспонирования, в котором сопротивление, приложенное на стеклянную подложку, экспонируется через фотошаблон, является процессом экспонирования способа экспонирования с раздельными этапами. В процессе экспонирования этого способа фотошаблон, меньший, чем стеклянная подложка, располагается на стеклянной подложке, и экспонирование выполняется разделенным образом с использованием множества снимков, в то время как стеклянная подложка передвигается поэтапно и фотошаблон заменяется по необходимости.

В процессе экспонирования способа экспонирования с раздельными этапами, сопротивление на стеклянную подложку экспонируют распределенным образом с использованием множества снимков, и таким образом экспонирование с относительно высокой точностью выравнивания требуется между множеством блоков, определенных для соответствующих зон на стеклянной подложке, которые экспонируются в снимках. Если происходит ошибка выравнивания устройства экспонирования в каждом блоке, отношения выравнивания между шинами, электродами и полупроводниковым слоем и схожими отличаются от одного блока к другому и таким образом паразитное емкостное сопротивление Cgd, которое определяется зоной перекрытия затворного электрода и электрода стока, различается от одного блока к другому. В результате существует различие в проходном напряжении от одного блока к другому, что упрощает неравномерность яркости между блоками быть визуально заметной на экране отображения.

В жидкокристаллическом устройстве отображения, раскрытом в ПАТЕНТНОМ ДОКУМЕНТЕ 1, значения ширины участков полупроводникового слоя в TFT и электроде стока, перекрывающем полупроводниковый слой, который пересекает конец затворного электрода, делают меньшими, чем значение ширины электрода стока, которая является значением ширины канала TFT. Это может снизить разность между блоками в зоне перекрытия между затворным электродом и электродом стока, которая вызвана ошибкой выравнивания в направлении, перпендикулярном к ширине канала.

Список цитируемых документов

Патентные документы

ПАТЕНТНЫЙ ДОКУМЕНТ 1: Японский Патент No.3881160

Сущность изобретения

Техническая проблема

Однако, даже с жидкокристаллическим устройством отображения по ПАТЕНТНОМУ ДОКУМЕНТУ 1, ошибка выравнивания устройства экспонирования происходит между блоками в процессе экспонирования во время формирования электрода стока, как отношение расположения между вспомогательным емкостным электродом, сформированным, чтобы быть объединенным с электродом стока и вспомогательной емкостной шиной, и отношение расположения между затворным электродом и электродом стока различаются от одного блока к другому, и таким образом вспомогательное емкостное сопротивление C_S, которое определяется зоной перекрытия вспомогательного емкостного электрода и вспомогательной емкостной шины, различается от одного блока к другому. В результате, оба изменения паразитного емкостного сопротивления Cgd и изменения вспомогательного емкостного сопротивления Cs происходят между блоками. Таким образом, существует возможность, что эти два фактора вместе предотвращают разности в проходном напряжении ΔVgd между блоками от полного сдерживания, что приводит к визуальному восприятию неравномерности яркости на экране отображения, как описано выше. Таким образом, данное жидкокристаллическое устройство отображения имеет характеристики для улучшения.

Настоящее изобретение было сделано ввиду вышеуказанных пунктов и объектом изобретения является сдерживание изменения проходного напряжения, вырабатываемого паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом и электродом стока.

Решение проблемы

Для достижения цели упомянутого объекта, в соответствии с настоящим изобретением, в каждом из вспомогательных емкостных электродов в соответствующих пиксельных областях, боковой конец одной стороны в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, так чтобы входить снаружи внутрь затворного электрода, расположен внутри вспомогательной емкостной шины, и боковой конец другой стороны в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, так чтобы выходить изнутри наружу затворного электрода, расположен снаружи вспомогательной емкостной шины.

А именно, подложка активной матрицы по изобретению, содержащая множество пиксельных областей, определенных в форме матрицы, множество истоковых шин, предусмотренных простирающимися параллельно друг другу между пиксельными областями, множество затворных шин, предусмотренных простирающимися параллельно друг другу в направлении, пересекающем истоковые шины, множество вспомогательных емкостных шин, каждая предусмотренная простирающейся между затворными шинами, множество тонкопленочных транзисторов, каждый имеющий затворный электрод электрически подключенный к затворным шинам, полупроводниковый слой, предоставленный для перекрытия затворного электрода, истоковый электрод, предоставленный для перекрытия затворного электрода и полупроводникового уровня, причем истоковый электрод электрически подключенный к одной из истоковых шин, и электрод стока, предоставленный для пересечения конца затворного электрода с возможностью перекрытия затворной шины и полупроводникового слоя, и множество вспомогательных емкостных электродов, предусмотренных в соответствующих пиксельных областях с возможностью простирания вдоль вспомогательных емкостных шин и с возможностью перекрытия вспомогательных емкостных шин, в том же слое, что и электрод стока каждого из тонкопленочных транзисторов, причем в каждом из вспомогательных емкостных электродов, боковой конец на одной стороне расположен внутри одной из вспомогательных емкостных шин, причем упомянутый боковой конец на одной стороне находится в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, таким образом, чтобы войти снаружи затворного электрода внутрь его, и боковой конец на другой стороне расположен снаружи одной из вспомогательных емкостных шин, причем упомянутый боковой конец на другой стороне находится в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, таким образом, чтобы выйти изнутри затворного электрода наружу его.

В такой конфигурации, в вспомогательном емкостном электроде в каждой пиксельной области, боковой конец одной стороны в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, так чтобы входить снаружи внутрь затворного электрода, расположен внутри вспомогательной емкостной шины, и боковой конец другой стороны в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, так чтобы выходить изнутри наружу затворного электрода, расположен снаружи вспомогательной емкостной шины. Это вызывает изменение зоны перекрытия вспомогательного емкостного электрода, сформированного в том же слое, как и электрод стока и вспомогательной емкостной шины в соответствии с и вместе с изменением зоны перекрытия затворного электрода и электрода стока. Таким образом, в случаях, когда электрод стока отклоняется в сторону направления, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, так чтобы входить снаружи внутрь затворного электрода, что приводит к увеличению в зоне перекрытия электрода стока и затворного электрода, вспомогательный емкостный электрод также отклоняется к стороне того же направления, как электрод стока, что вызывает увеличение зоны перекрытия вспомогательного емкостного электрода и вспомогательной емкостной шины на величину, соответствующую отклонению электрода стока. Альтернативно, в случаях, когда электрод стока отклоняется к стороне направления, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, так чтобы выходить изнутри наружу затворного электрода, что приводит к уменьшению в зоне перекрытия электрода стока и затворного электрода, вспомогательный емкостной электрод также отклоняется к стороне того же самого направления, как электрод стока, что вызывает уменьшение зоны перекрытия вспомогательного емкостного электрода и вспомогательной емкостной шины на величину, соответствующую отклонению электрода стока. Соответственно, так как вспомогательное емкостное сопротивление между вспомогательным емкостным электродом и вспомогательной емкостной шиной может быть увеличено и уменьшено в соответствии с увеличением и уменьшением паразитного емкостного сопротивления между затворным электродом и электродом стока, эффекты паразитного емкостного сопротивления и вспомогательного емкостного сопротивления на проходном напряжении взаимно поглощают друг друга. В результате чего, изменения проходного напряжения, которое сгенерировано паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом и электродом стока, подавляются.

Предпочтительно, что каждая из вспомогательных емкостных шин имеет главную емкостную шину, предусмотренную, чтобы простираться вдоль одной из затворных шин, и дополнительную емкостную шину, предусмотренную, чтобы выступать к стороне от главной емкостной шины, и что каждый из вспомогательных емкостных электродов предусмотрен, чтобы перекрывать основную емкостную шину и дополнительную емкостную шину.

С данной конфигурацией, из-за того, что каждый из вспомогательных емкостных электродов предусматривается для перекрытия как основной емкостной шины, так и дополнительной емкостной шины, увеличивается зона перекрытия вспомогательного емкостного электрода и вспомогательной емкостной шины, что приводит к увеличению вспомогательного емкостного сопротивления для уменьшения проходного напряжения. В добавление к этому случаю, удлинением, в вспомогательном емкостном электроде, участка, который пересекает боковой конец вспомогательной емкостной шины, становится возможным увеличивать вспомогательное емкостное сопротивление в соответствии с увеличением и уменьшением в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом и электродом стока. Это позволяет увеличению и уменьшению вспомогательного емкостного сопротивления по отношению к увеличению и уменьшению в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом и электродом стока быть надлежащим образом настроенным, таким образом, что изменения проходного сопротивления подавляются насколько это возможно.

Предпочтительно, что множество пиксельных областей включаются во множество групп пиксельных областей, упорядоченных вдоль истоковых шин, и что в каждой из групп пиксельных областей истоковые электроды подключаются с той же самой одной из истоковых шин, и затворные электроды подключаются к затворным шинам, которые отличаются от друг друга.

С этой конфигурацией, в каждой группе пиксельной области, истоковые электроды подключаются к той же самой истоковой шине, и затворные электроды подключаются к затворным шинам, которые отличаются от друг друга. Поэтому, число истоковых шин, подключенных к истоковым электродам каждой группы пиксельной области, может быть сделано меньшим, чем в случаях, когда в каждой группе пиксельной области истоковые электроды подключаются к истоковым шинам, которые отличаются от друг друга, и затворные электроды подключаются к той же самой затворной шине. Это позволяет уменьшиться числу истоковых чипов драйвера ИС (интегральная схема), которые являются более дорогими, чем затворные чипы драйвера ИС, и таким образом может быть уменьшена стоимость.

Жидкокристаллическое устройство отображения согласно изобретению включает в себя подложку активной матрицы, противоположную подложку, расположенную напротив подложки активной матрицы, и жидкокристаллический слой, предоставленный между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой.

С этой конфигурацией, включение подложки активной матрицы вызывает увеличение и уменьшение вспомогательного емкостного сопротивления между вспомогательным емкостным электродом и вспомогательной емкостной шиной в соответствии с увеличением и уменьшением паразитного емкостного сопротивления между затворным электродом и электродом стока. В результате чего, подавляются изменения проходного напряжения, сгенерированного паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом и электродами стока. Это делает сложным визуальное распознание неравномерности яркости на экране отображения.

Предпочтительно, что уровень выравнивания по вертикали и множество участков регулировки выравнивания для того, чтобы разделить жидкокристаллический уровень на множество доменов для каждой из пиксельных областей будут предоставленными на каждой из сторон жидкокристаллического уровня подложки активной матрицы и противоположной подложки, и что, по меньшей мере, часть множества участков регулировки выравнивания будут сформированными, чтобы перекрыть, по меньшей мере, одну из вспомогательных емкостных шин и вспомогательных емкостных электродов.

С этой конфигурацией, слой выравнивания по вертикали и множество участков регулировки выравнивания для того, чтобы разделить жидкокристаллический уровень на множество доменов для каждой пиксельной области обеспечивают на каждой из сторон жидкокристаллического слоя подложки активной матрицы и противоположной подложки, и поэтому, когда напряжение не применено к жидкокристаллическому слою, только жидкокристаллические молекулы около участков регулировки выравнивания выравнивают наклоненным образом, центрированным в участках регулировки выравнивания, и все другие жидкокристаллические молекулы, кроме участков регулировки выравнивания, выравнивают перпендикулярно к поверхности подложки активной матрицы (противоположной подложки). Когда напряжение применяют к жидкокристаллическому слою, жидкокристаллические молекулы, кроме участков регулировки выравнивания, выравнивают в соответствии с наклоненным выравниванием жидкокристаллических молекул около участков регулировки выравнивания. Это подавляет количество преломленного света, который меняется в зависимости от угла визуального распознавания, таким образом улучшая визуальные угловые характеристики во время отображения изображения. Это усовершенствование увеличивает угол рассмотрения.

В зонах, где предоставляются участки регулировки выравнивания, выравнивание жидкокристаллических молекул, вероятно, будет не в порядке, и поэтому коэффициент пропускания света, вероятно, уменьшится и, вероятно, произойдет рассеяние света. В зонах, где предоставлены вспомогательная емкостная шина и вспомогательный емкостной электрод, вспомогательная емкостная шина и светопроницаемость блока вспомогательного емкостного электрода должна уменьшать световой коэффициент пропускания. С вышеупомянутой конфигурацией, по меньшей мере, формируется часть множества участков регулировки выравнивания, чтобы перекрыть, по меньшей мере, одно из вспомогательной емкостной шины и вспомогательного емкостного электрода. Поэтому, по сравнению со случаями, в которых, по меньшей мере, часть, множества участков регулировки выравнивания сформирована в другой зоне, то есть формируется множество участков регулирования выравнивания, чтобы не перекрыть либо вспомогательные емкостные шины или вспомогательные емкостные электроды, подавляется уменьшение в световом коэффициенте пропускания, и подавляется рассеяние света от зон, где жидкокристаллические молекулы, вероятно, будут не в выравнивании, что приводит к увеличению наоборот.

Предпочтительно, что у каждой из вспомогательных емкостных шин есть основная емкостная шина, обеспеченная, чтобы простираться вдоль одной из затворных шин, и дополнительная емкостная шина, обеспеченная, чтобы выступать к стороне от главной емкостной шины, и что каждый из вспомогательных емкостных электродов предусматривается, чтобы перекрывать главную емкостную шину и дополнительную емкостную шину.

С этой конфигурацией каждый вспомогательный емкостный электрод обеспечен, чтобы перекрывать и главную емкостную шину, и вспомогательную емкостную шину, и поэтому зона перекрытия вспомогательного емкостного электрода и вспомогательной емкостной шины увеличивается, что приводит к увеличению вспомогательного емкостного сопротивления, чтобы уменьшить проходное напряжение. В дополнение к этому случаю, удлиняя, во вспомогательном емкостном электроде 33 участок, который пересекает боковой конец вспомогательной емкостной шины, становится возможным, чтобы увеличить вспомогательное емкостное сопротивление, которое увеличивается и уменьшается в соответствии с увеличением и уменьшением в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом и электродом стока. Это дает возможность увеличения и уменьшения вспомогательного емкостного сопротивления относительно увеличения и уменьшения в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом и электродом стока быть соответственно настроенными, так, чтобы изменения проходного напряжения были подавлены на сколько возможно.

Предпочтительно, что каждый из вспомогательных емкостных электродов обеспечен, чтобы простираться вдоль главной емкостной шины и дополнительной емкостной шины таким образом, чтобы, во множестве участков среди участков вдоль главной емкостной шины и дополнительной емкостной шины, боковой конец на одной стороне был расположен внутри вспомогательной емкостной шины, и боковой конец на другой стороне был расположен снаружи вспомогательной емкостной шины.

С этой конфигурацией, во множестве участков среди участков вдоль главной емкостной шины и дополнительных емкостных шин в каждом вспомогательном емкостном электроде, боковые концы с одной стороны расположены внутри вспомогательной емкостной шины, и боковые концы с другой стороны расположены снаружи вспомогательной емкостной шины. Это увеличивает вспомогательное емкостное сопротивление, которое увеличивается и уменьшается в соответствии с увеличением и уменьшением в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом и электродом стока больше, чем в случае, в котором, только в одном участке среди участков вдоль главной емкостной шины и дополнительных емкостных шин вспомогательного емкостного электрода, боковой конец с одной стороны расположен внутри вспомогательной емкостной шины, и боковой конец с другой стороны расположен снаружи вспомогательной емкостной шины.

Пиксельный электрод, электрически подключенный к электроду стока, может быть обеспечен в каждой из пиксельных областей, каждый из участков регулировки выравнивания подложки активной матрицы может быть сделан из щели, сформированной в пиксельном электроде, и каждый из участков регулировки выравнивания противоположной подложки может быть сделан из выступающего, сформированного, чтобы выступать на стороне жидкокристаллического слоя.

С этой конфигурацией, когда напряжение не прикладывается к жидкокристаллическому слою, только жидкокристаллические молекулы около щелей и выступов выравниваются наклоненным образом, центрированным в щелях и выступах, и все другие жидкокристаллические молекулы, кроме щелей и выступов, выровнены перпендикулярно к поверхности подложки активной матрицы (противоположная подложка 40). Когда напряжение прикладывается к жидкокристаллическому слою 14, жидкокристаллические молекулы, кроме щелей и выступов, выравниваются в соответствии с наклоненным выравниванием жидкокристаллических молекул около щелей и выступов. Это подавляет количество преломленного света, который меняется в зависимости от угла визуального распознавания, таким образом улучшая визуальные угловые характеристики во время отображения изображения. Это усовершенствование увеличивает угол рассмотрения.

Пиксельный электрод, электрически подключенный к электроду стока, может быть обеспечен в каждой из пиксельных областей, общий электрод может быть обеспечен, чтобы перекрыть пиксельный электрод, на стороне жидкокристаллического слоя противоположной подложки, каждый из участков регулирования выравнивания подложки активной матрицы может быть сделан из щели, сформированной в пиксельном электроде, и каждый из участков регулирования выравнивания противоположной подложки может быть сделан из щели, сформированной в общем электроде.

С этой конфигурацией, когда напряжение не прикладывают к жидкокристаллическому слою, только жидкокристаллические молекулы около щелей пиксельных электродов и общего электрода выравниваются наклоненным способом, центрированным в щелях, и все другие жидкокристаллические молекулы, кроме щелей, выравниваются перпендикулярно к поверхности подложки активной матрицы (противоположной подложки). Когда напряжение прикладывают к жидкокристаллическому уровню, жидкокристаллические молекулы отдельно от щелей выравниваются в соответствии с наклоненным выравниванием жидкокристаллических молекул около щелей. Это подавляет количество преломленного света, который меняется в зависимости от угла визуального распознавания, таким образом улучшая визуальные угловые характеристики во время отображения изображения. Это усовершенствование увеличивает угол рассмотрения.

Преимущества изобретения

Согласно изобретению, во вспомогательном емкостном электроде в каждой пиксельной области, боковой конец на одной стороне в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, чтобы войти снаружи затворного электрода во внутрь его, располагают во вспомогательной емкостной шине, и боковой конец с другой стороны в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, чтобы выйти изнутри затворного электрода наружу его, располагают снаружи вспомогательной емкостной шины, и поэтому изменения проходного напряжения, которое сгенерировано паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом и электродом стока, подавляются.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Фиг.1 является видом в плане, схематически показывающим жидкокристаллическое устройство отображения.

Фиг.2 является видом в сечении, взятым вдоль линии II-II на Фиг.1.

Фиг.3 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть жидкокристаллического устройства отображения по 1 варианту осуществления.

Фиг.4 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть подложки активной матрицы по 1 варианту осуществления.

Фиг.5 является видом в сечении, взятым вдоль линии V-V на Фиг.3.

Фиг.6 является видом в сечении, схематически показывающим стеклянную подложку в состоянии, в котором формируется затворная изолирующая пленка.

Фиг.7 является видом в сечении, схематически показывающим стеклянную подложку в состоянии, в котором формируются электроды стока и вспомогательный емкостной электрод.

Фиг.8 является видом в сечении, схематически показывающим стеклянную подложку в состоянии, в котором формируются пиксельные электроды.

Фиг.9 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть участка отображения жидкокристаллического устройства отображения по 2 варианту осуществления.

Фиг.10 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть подложки активной матрицы по 2 варианту осуществления.

Фиг.11 является видом в сечении, взятым вдоль линии V-V на Фиг.9.

Фиг.12 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть подложки активной матрицы по 3 варианту осуществления.

Фиг.13 является видом в сечении, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть участка отображения жидкокристаллического устройства отображения по 4 варианту осуществления.

Фиг.14 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть участка отображения жидкокристаллического устройства отображения по 5 варианту осуществления.

Фиг.15 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть подложки активной матрицы по 5 варианту осуществления.

Фиг.16 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть подложки активной матрицы по другому варианту осуществления.

Фиг.17 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть традиционной подложки активной матрицы.

Фиг.18 показывает отношение между шаблонами сигналов, которые применяются в затворной шине, истоковой шине и пиксельном электроде соответственно.

Фиг.19 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть традиционной подложки активной матрицы, в которой длина в направлении строк в каждой пиксельной области обеспечивается быть примерно равной трем длинам в направлении столбцов.

ОПИСАНИЕ ВАРИАНТА ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Варианты осуществления изобретения будут подробно описаны ниже со ссылкой на чертежи. Заметим, что изобретение не ограничивается следующими вариантами осуществления.

1 Вариант осуществления изобретения

Фиг.1-8 показывают 1 Вариант осуществления изобретения. Фиг.1 является видом в плане, схематически показывающим жидкокристаллическое устройство S отображения. Фиг.2 является видом в сечении, схематически показывающим жидкокристаллическое устройство S отображения, взятым вдоль линии II-II на Фиг.1. Фиг.3 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть жидкокристаллического устройства S отображения. Фиг.4 является видом в плане, схематически показывающим в увеличенном масштабе часть подложки 20 активной матрицы в жидкокристаллическом устройстве S отображения. Фиг.5 является видом в сечении, схематически показывающим жидкокристаллическое устройство S отображения, взятым вдоль линии V-V на Фиг.3. Заметим, что на Фиг.4 ламинированная изоляционная пленка 35 и пиксельные электроды 35 показаны прозрачными.

Жидкокристаллическое устройство S отображения, как показано на Фиг.1 и Фиг.2, включает в себя жидкокристаллическую панель 10 отображения, в которой пара подложек 20 и 40 соединены вместе. Жидкокристаллическая панель 10 отображения включает в себя подложку 20 активной матрицы, противоположную подложку 40, расположенную напротив подложки 20 активной матрицы, и жидкокристаллический слой 14, предоставленный между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой 40. Жидкокристаллическая панель 10 отображения имеет участок D отображения, в котором изображение отображается, и участок F кадра, который является неотображаемой частью, расположенной за пределами участка D отображения.

Подложка 20 активной матрицы и противоположная подложка 40 формируются, например, в прямоугольных формах. Как показано на Фиг.2, слои 37 и 45 выравнивания предоставляются на поверхностях на сторонах жидкокристаллического слоя 14 подложки 20 активной матрицы и противоположной подложки 40, соответственно, и пластины поляризации (не показаны) предоставляются на поверхностях на сторонах, отдаленных от жидкокристаллического слоя 14 подложки 20 активной матрицы и противоположной подложки 40, соответственно. Герметизирующий материал 15 в форме пленки, сделанный из эпоксидной смолы, располагают между подложкой 20 активной матрицы и противоположной подложкой 40, и жидкокристаллический материал включается в герметизирующий материал 15, таким образом, что обеспечивается жидкокристаллический слой 14.

Участок D отображения, как показано на Фиг.3, составляется из множества пикселей 11, предоставленных в форме матрицы. Относительно множества пикселей 11, каждое множество пикселей 11 упорядочено в направлении строк (поперечное направление на Фиг.3) включается в пиксельную группу 12. Как используется здесь, минимальный блок отображения изображения называется как "пиксель", и одна “пиксельная группа” составляется из "пикселей" множества цветов. А именно, каждая пиксельная группа 12 в настоящем варианте осуществления составляется из красных, зеленых и синих пикселей 11r, 11g и 11b, упорядоченных в форме полос в направлении строк. Каждый пиксель 11 предоставляется таким образом, чтобы длина в направлении столбцов (продольном направлении на Фиг.3) была приблизительно равна трем длинам в направлении строк. Заметим, что в настоящем варианте осуществления противоположная подложка 40 предоставляется с черной матрицей 43, которая будет описана позже, и поэтому области, в которых формируются отверстия черной матрицы 43, соответствуют пикселям 11.

На подложке 20 активной матрицы, как показано на Фиг.4, множество пиксельных областей 22, включенных в соответствующие пиксели 11, определены в форме матрицы. Таким образом, каждый пиксель 11 сконфигурирован таким образом, чтобы соответствующая пиксельная область 22 и противоположная подложка 40 были обращены друг к другу с жидкокристаллическим слоем 14, вставленным между ними. Множество пиксельных областей 22 включается во множество групп 23 пиксельных областей таким образом, чтобы множество пиксельных областей 22, упорядоченных в направлении строк, чтобы соответствовать одной пиксельной группе 12, было включено в каждую группу 23 пиксельной области.

Подложка 20 активной матрицы имеет стеклянную подложку 21, показанную на Фиг.5, и включает в себя, в участок D отображения на стеклянной подложке 21, как показано на фиг.4, множество истоковых шин 24, обеспеченных, чтобы простираться параллельно друг другу между пиксельными областями 22, множество затворных шин 25, обеспеченных, чтобы простираться параллельно друг другу в направлениях, пересекающих истоковые шины 24 между пиксельными областями 22, множество тонкопленочных транзисторов (в дальнейшем называемые «TFT») 27, электрически подключенных к соответствующим истоковым шинам 24, и затворным шинам 25, и множество пиксельных электродов 36, электрически подключенных к соответствующим TFT 27.

Каждая истоковая шина 24 линейно предоставлена, чтобы простираться в направлении столбца, и каждая затворная шина 25 линейно предоставлена, чтобы простираться в направлении строк. Каждая вспомогательная емкостная шина 26 линейно предоставлена между затворными шинами 25, чтобы простираться вдоль затворных шин 25.

TFT 27 предоставляются около пересечений истоковых шин 24 и затворных шин 25 для соответствующих пиксельных областей 22. TFT 27 в каждой группе 23 пиксельной области подключаются к истоковым шинам 24, которые отличаются друг от друга, и подключаются к той же самой затворной шине 25. TFT 27, как показано на фиг.5, являются нижними затворными TFT, каждый из которых включает в себя затворный электрод 28 электрически подключенный к затворной шине 25, полупроводниковый слой 30, обеспеченный, чтобы перекрывать затворный электрод 28, исходный электрод 31, подключенный к полупроводниковому слою 30 на одной стороне затворного электрода 28, и электрод 32 стока, подключенный к полупроводниковому слою 30 с другой стороны затворного электрода 28.

Затворные шины 25, как показано на чертежах, сформированы вместе с вспомогательными емкостными шинами 26 на поверхности стеклянной подложки 21 и покрыты затворной изолирующей пленкой 29. Полупроводниковый слой 30 каждого TFT 27 сформирован, чтобы пересекать часть затворной шины 25 с затворной изолирующей пленкой 29, вставленной между ними. Часть затворной шины 25, перекрывающей полупроводниковый слой 30, формирует затворный электрод 28 TFT 27.

Каждый полупроводниковый слой 30, который не показан, составляется из, например, встроенного аморфного кремниевого слоя и n + аморфного кремниевого слоя, ламинированного последовательно. n + аморфный кремниевый слой, из которого, частично удалена область, перекрывающая затворный электрод 28, разделяют на два, и зона встроенного аморфного кремниевого слоя, выставленного из n + аморфного кремниевого слоя формирует канал 30a.

Каждый истоковый электрод 31 формируется, чтобы пересекать один конец затворного электрода 28 в направлении ширины затворной шины 25, чтобы перекрыть затворный электрод 28 и полупроводниковый слой 30, и подключается к соответствующей истоковой шине 24, как показано на фиг.4. Каждый электрод 32 стока формируется отдельно от исткового электрода 31 с каналом 30a, заключенного между ними таким образом, что электрод 32 стока пересекает другой конец затворного электрода 28, чтобы перекрыть затворный электрод 28 и полупроводниковый слой 30.

В том же самом слое, что и электрод 32 стока, вспомогательный емкостный электрод 33 предоставляется в каждой пиксельной области 22, чтобы простираться вдоль вспомогательной емкостной шины 26, и перекрыть вспомогательную емкостную шину 26 таким образом, чтобы, в каждой пиксельной области 22, вспомогательное емкостное сопротивление для поддержания потенциала, записанного в пиксельном электроде 36, было сформировано между вспомогательной емкостной шиной 26 и вспомогательным емкостным электродом 33. Каждый вспомогательный емкостной электрод 33 формируется цельно с электродом 32 стока TFT 27 в пиксельной области 22, в которой предоставляется вспомогательный емкостный электрод 33.

В каждой пиксельной области 22, вспомогательный емкостный электрод 33 конфигурируется, как показано на Фиг.4, таким образом, что боковой конец на одной стороне (нижняя сторона на фигуре) в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы войти снаружи затворного электрода 28 внутрь его, располагают во вспомогательной емкостной шине 26, и таким образом чтобы боковой конец с другой стороны (верхняя сторона на фигуре) в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы выйти изнутри затворного электрода 28 наружу его, располагают снаружи вспомогательной емкостной шины 26. Дополнительный емкостный электрод 33 в каждой пиксельной области 22 располагают, чтобы увеличить и уменьшить вспомогательное емкостное сопротивление между вспомогательной емкостной шиной 26 и вспомогательным емкостным электродом 33 в соответствии с увеличением и уменьшением паразитного емкостного сопротивления между затворным электродом 28 и электродом 32 стока, вызванного отклонением в направлении столбца (продольное направление на фиг.4) позиции, в которой формируется цельно формированный электрод 32 стока.

Здесь, с точки зрения создания постоянного напряжения обратной связи, сгенерированного паразитным емкостным сопротивлением между электродом 32 стока и затворным электродом 28, независимо от величины паразитного емкостного сопротивления, в каждой пиксельной области 22, предпочтительно, что электрод 32 стока и вспомогательный емкостный электрод 33 сформированы так, что увеличение и уменьшение суммы вспомогательного емкостного сопротивления между вспомогательной емкостной шиной 26 и вспомогательным емкостным электродом 33 и жидкокристаллическим емкостным сопротивлением согласуются с увеличением и уменьшением паразитного емкостного сопротивления между электродом 32 стока и затворным электродом 28, которые вызываются отклонением позиции, в которой формируется электрод 32 стока.

Ламинированным выше TFT 27 и вспомогательных емкостных электродов 33 является ламинированная изоляционная пленка 35, показанная на фиг.5, в которой кремниево-нитридная пленка и пленка из акриловой смолы (обе не показаны) являются последовательно ламинированными. На поверхности ламинированной изоляционной пленки 35 формируются пиксельные электроды 36.

Пиксельный электрод 36, как показано на фиг.4, формируется в прямоугольной форме, длина которой в направлении столбца равняется приблизительно трем длинам в направлении строки, и обеспечивается в каждой пиксельной области 22. Отметим, что, в то время как каждый пиксельный электрод 36 формируется в прямоугольной форме в настоящем варианте осуществления, каждый пиксельный электрод 36 может быть сформирован в различных формах, таких как форма, в которой срезается часть прямоугольного электрода и форма, в который часть прямоугольного электрода выступает.

Множество контактных отверстий 35a для установки соединения с соответствующими вспомогательными емкостными электродами 33 формируется в ламинированной изоляционной пленке 35. Выравнивание жидкокристаллических молекул, вероятно, будет не в порядке около контактных отверстий 35a, и контактные отверстия 35a формируются, чтобы представить центральные участки соответствующих вспомогательных емкостных электродов 33. Это заставляет области около контактных отверстий 35a быть экранированными от света вспомогательными емкостными шинами 26 и вспомогательными емкостными электродами 33, которые наоборот подавляют уменьшения, которые вызываются рассеянием света. Через контактные отверстия 35a вспомогательные емкостные электроды 33 соединяются с соответствующими пиксельными электродами 36 так, чтобы электроды 32 стока из TFT 27 были электрически соединены через вспомогательные емкостные электроды 33 к пиксельным электродам 36.

Кроме того, подложка 20 активной матрицы, как показано на фиг.1 и фиг.2, имеет на участке F кадра, например, монтирующийся участок 20a, чьи две регулирующие стороны выступают в форме буквы L снаружи противоположной подложки 40. Смонтированными на одной стороне (более низкая сторона на фиг.1) монтирующегося участка 20a являются, например, множество микросхем 17 IC (интегральных схем) затворного драйвера, каждая из которых соединяется с заданным числом затворных шин 25. Смонтированными с другой стороны (левая сторона на фиг.1) являются множество микросхем 18 IC истокового драйвера, каждая из которых соединяется с заданным числом истоковых шин 24. Смонтированными на каждой из сторон монтирующегося участка 20a являются множество гибких напечатанных плат проводного соединения (не показаны), которые электрически соединяются с группой микросхем 17 IC затворного драйвера и группой микросхем IC истокового драйвера 18 и которые предоставляют сигналы и питание к микросхемам 17 и 18 IC драйвера.

Противоположная подложка 40, как показано на фиг.5, имеет стеклянную подложку 41. На участке D отображения стеклянной подложки 41, множество цветовых фильтров 42, чьи цвета соответствуют цветам пикселей 11, обеспечивается, чтобы перекрыть соответствующие пиксельные электроды 36, и черные матрицы 43 обеспечиваются, чтобы разделить цветовые фильтры 42. Далее, на стороне жидкокристаллического слоя 14 противоположной подложки 40, общий электрод 44 формируется, чтобы покрыть цветовые фильтры 42 и черные матрицы 43.

Таким образом, жидкокристаллическое устройство S отображения конфигурируется так, что затворные сигналы предоставляются затворным шинам 25, чтобы последовательно включить TFT 27, и истоковые сигналы предоставляются истоковым шинам 24, соединенным с TFT 27 в состоянии ВКЛ (ON), так, чтобы потенциалы, приложенные к истоковым электродам 31 TFT 27 последовательно записывались в соответствующих пиксельных электродах 36, чтобы приложить напряжения к жидкокристаллическому слою 14 между пиксельными электродами 36 и общими электродами 44, чтобы управлять выравниванием жидкокристаллических молекул для каждого пикселя 11 так, чтобы требуемое изображения было отображено.

Способ производства

Далее описан способ производства жидкокристаллического устройства S отображения.

Чтобы произвести жидкокристаллическое устройство S отображения, во-первых, индивидуально производятся подложка 20 активной матрицы и противоположная подложка 40 и формируются слои 37 и 45 выравнивания на подложках 20 и 40, соответственно. Затем, обе подложки 20 и 40 соединяются друг с другом с использованием герметизирующего материала 15, и включается жидкокристаллический слой 14 между обеими подложками 20 и 40 с использованием герметизирующего материала 15. Таким образом производится жидкокристаллическая панель 10 отображения. После того, как пластины поляризации присоединены к обеим поверхностям жидкокристаллической панели 10 отображения, микросхемы IC драйвера 17 и 18 и гибкие напечатанные платы проводного соединения монтируются на них. Жидкокристаллическое устройство S отображения по изобретению особенно характеризуется структурой подложки 20 активной матрицы, и поэтому способ производства подложки 20 активной матрицы подробно описан ниже со ссылкой на фиг.6-8. Фиг.6-8 являются чертежами, иллюстрирующими способ производства подложки 20 активной матрицы и виды в сечении, схематично показывающие зону, соответствующую одной пиксельной области 22 из стеклянной подложки 21.

Чтобы произвести подложку 20 активной матрицы, металлическая пленка (например, толщиной приблизительно 50-500 нм) содержащая, например, алюминий, формируется по всей поверхности из стеклянной подложки 21 методом распыления, и затем нанесение металлической пленки выполняется фотолитографией, так, чтобы затворные шины 25 (затворные электроды 28) и вспомогательные емкостные шины 26 были сформированы, как показано на фиг.6.

В этой точке, в фотолитографии, выполняемой как процесс воздействия, в котором сопротивление применяется на стеклянную подложку 21, представляется через фотошаблон, является процесс воздействия способа воздействия с разделением этапов, в котором фотошаблон, меньший, чем стеклянная подложка 21, располагается на стеклянной подложке, и воздействие выполняется разделенным способом с использованием множества выстрелов, в то время как стеклянная подложка перемещается пошаговым образом, и фотошаблон заменяется по мере необходимости. Для последующих этапов фотолитографии, выполняется процесс воздействия способа воздействия с разделением этапов, хотя его описание опускается.

Впоследствии, кремниево-нитридная пленка (например, толщиной приблизительно 100-500 нм) или схожая формируется по всей поверхности, на которой затворные шины 25 (затворные электроды 28) и вспомогательные емкостные шины 26 формируются способом плазменного CVD (химического смещения пара), так, чтобы была сформирована затворная изоляционная пленка 29.

Затем, внутренняя аморфная кремниевая пленка (например, толщиной приблизительно 50-100 нм) и n + аморфная кремниевая пленка (например, толщиной 50-100 нм), в которой легируется примесный элемент n-типа, такой как фосфор, непрерывно формируется по всей поверхности затворной изоляционной пленки 29 способом плазменного CVD, и затем внутренняя аморфная кремниевая пленка и n + аморфная кремниевая пленка наносится в секционных формах на затворный электрод 28 фотолитографией так, чтобы полупроводниковые слои 30 были сформированы, как показано на фиг.7.

Здесь, полупроводниковые слои 30 могут быть сформированы из аморфной кремниевой пленки, как описано выше, но могут быть сформированы из пленки поликристаллического кремния. Процесс лазерного отжига аморфной кремниевой пленки или пленки поликристаллического кремния может быть выполнен так, чтобы улучшилась кристалличность.

Впоследствии, металлическая пленка (например, толщина приблизительно 50-500 нм), содержащая, например, алюминий формируется по всей поверхности логического элемента изоляционной пленки 29, на которой полупроводниковые уровни 30 были сформированы методом распыления, и затем металлическая пленка наносится фотолитографией так, чтобы были сформированы истоковые шины 24, истоковые электроды 31, электроды 32 стока и вспомогательные емкостные электроды 33.

Затем, использованием истоковых электродов 31 и электродов 32 стока как маски, часть n + аморфного кремниевого слоя каждого полупроводникового слоя удаляется, вытравливаясь, чтобы сформировать канал 30a, как показано на фиг.8, так, чтобы были сформированы TFT 27.

Затем, кремниево-нитридная пленка (например, толщиной приблизительно 100-300 нм) или схожая формируется, чтобы покрыть TFT 27 способом плазменного CVD, и затем пленка акриловой смолы (например, толщиной приблизительно 1000-5000 нм) или схожая формируется способом вращения покрытия, так, чтобы была сформирована ламинированная изоляционная пленка 35.

Затем, часть зоны вверху каждого вспомогательного емкостного электрода 33 в ламинированной изоляционной пленке 35 удаляется, вытравливаясь, чтобы сформировать каждое контактное отверстие 35a. Затем, после того, как прозрачная проводящая пленка (например, толщиной приблизительно 100-200 нм), сделанная из ITO (оловянная окись индия), или схожая формируется по всей поверхности ламинированной изоляционной пленки 35, в которой каждое контактное отверстие 35a формируется способом распыления, прозрачная проводящая пленка копируется фотолитографией так, чтобы был сформирован каждый пиксельный электрод 36.

Как описано выше, производится подложка 20 активной матрицы.

Эффекты 1 Варианта осуществления

Соответственно, с этим 1 Вариантом осуществления, в каждой пиксельной области 22, вспомогательный емкостной электрод 33 конфигурируется так, что боковой конец на одной стороне в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы можно войти снаружи затворного электрода 28 во внутрь его располагается в вспомогательной емкостной шине 26, и так, что боковой конец с другой стороны в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы можно было выйти изнутри затворного электрода 28 наружу его, располагается снаружи вспомогательной емкостной шины 26. Это позволяет зоне перекрытия вспомогательного емкостного электрода 33, цельно сформированного с электродом 32 стока и вспомогательной емкостной шины 26 изменяться в соответствии с и вместе с изменением области перекрытия затворного электрода 28 и электрода 32 стока. Таким образом, в случаях, в которых электрод 32 стока отклоняется к стороне направления (нижней стороне на Фиг.4), в которой электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы войти снаружи затворного электрода 28 внутрь его, что приводит к увеличению зоны перекрытия электрода 32 стока и затворного электрода 28, вспомогательный емкостной электрод 33 также отклоняется к стороне того же самого направления как электрод 32 стока, который позволяет зоне перекрытия вспомогательного емкостного электрода 33 и вспомогательной емкостной шине 26, быть увеличенным количеством, соответствующим отклонению электрода 32 стока. Альтернативно, в случаях, в которых электрод 32 стока отклоняется к стороне направления (верхней стороне на фиг.4), в которой электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы выйти изнутри затворного электрода 28 наружу его, что приводит к уменьшению в зоне перекрытия электрода 32 стока и затворного электрода 28, вспомогательный емкостной электрод 33 также отклоняется к стороне того же самого направления, как электрод 32 стока, что позволяет зоне перекрытия вспомогательного емкостного электрода 33 и вспомогательной емкостной шины 26, быть уменьшенной количеством, соответствующим отклонению электрода 32 стока. Соответственно, так как вспомогательное емкостное сопротивление между вспомогательным емкостной электродом 33 и вспомогательной емкостной шины 26 может быть увеличено и уменьшено в соответствии с увеличением и уменьшением паразитного емкостного сопротивления между затворным электродом 28 и электродом 32 стока, эффекты паразитного емкостного сопротивления и вспомогательного емкостного сопротивления на проходное напряжение отменяют друг друга. В результате, если шины 24, 25 и 26 и электроды 28, 31, 32 и 33 формируются фотолитографией, включающей процесс воздействия способом воздействия с разделением этапов, изменение проходного напряжения, сгенерированного паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом 28 и электродами 32 стока может быть подавлено среди множества блоков, определенных для зон на стеклянной подложке, которые представляются в соответствующих выстрелах. Это мешает неисправностям яркости среди блоков быть визуально распознанными на экране отображения.

2 Вариант осуществления изобретения

Фиг.9-11 показывают 2 Вариант осуществления изобретения. Отметим, что в следующих вариантах осуществления одинаковые части, как на фиг.1-8, обозначаются одинаковыми ссылочными позициями, и их подробное описание опускается. Фиг.9 является видом в плане, схематично показывающим одну пиксельную группу 12 жидкокристаллического устройства S отображения настоящего варианта осуществления. Фиг.10 является видом в плане, схематично показывающим одну группу 23 пиксельной области подложки 20 активной матрицы настоящего варианта осуществления. Фиг.11 является видом в сечении, схематично показывающим жидкокристаллическое устройство 5 отображения, взятым вдоль линии XI-XI Фиг.9.

Жидкокристаллическое устройство S отображения настоящего варианта осуществления является жидкокристаллическим устройством отображения того, что называют способом MVA (многодоменного выравнивания по вертикали). Жидкокристаллический слой 14 делается из жидкокристаллического материала нематического типа с выравниванием по вертикали, имеющего отрицательную диэлектрическую анизотропию, и каждый из слоев выравнивания 37 и 45 является слоем выравнивания по вертикали.

На сторонах жидкокристаллического слоя 14 из подложки 20 активной матрицы и противоположной подложки 40, как показано на фиг.9 и фиг.11, множество участков 36a и 46 регулировки выравнивания для разделения жидкокристаллического слоя 14 на множество доменов для каждой пиксельной области 22, то есть, обеспечиваются в каждом пикселе 11, соответственно. Участки регулировки выравнивания 36a подложки 20 активной матрицы, как показано на фиг.10 и фиг.11, формируются из щелей отверстий, сформированных в каждом пиксельном электроде 36. Участки 46 регулировки выравнивания из противоположной подложки 40, как показано на фиг.11, составляются из выступов, сформированных для выступа к жидкокристаллическому уровню 14, и обеспечиваются между общим электродом 44 и слоем 45 выравнивания по вертикали.

Щели 36a и выступы 46, как показано на фиг.9, линейно формируются, чтобы простираться в наклонных направлениях относительно затворной шины 25 и истоковой шины 24. В каждом пикселе 11, щели 36a и выступы 46, в верхней половине области на фиг.9, каждый сформированные, чтобы простираться от верхнего левого края до нижнего правого края на чертеже и поочередно располагаются от верхнего правого края к нижнему левому краю на чертеже, тогда как они, в низкой половине области на фиг.9, каждый сформированы, чтобы простираться от верхнего правого края до нижнего левого края на чертеже и поочередно располагаются от верхнего левого края к нижнему правому краю на чертеже.

Каждая вспомогательная емкостная шина 26 подложки 20 активной матрицы настоящего варианта осуществления, как показано на фиг.10, имеет основную емкостную шину 26a, обеспеченную, чтобы простираться вдоль затворных шин 25 и множество дополнительных емкостных шин 26b, обеспеченных для выступа от основной емкостной шины 26a по обеим ее сторонам.

Вспомогательная емкостная шина 26b, как показано на фиг.9 и фиг.11, формируется, чтобы перекрыть соответствующие выступы 46, и формируется, чтобы простираться в наклонных направлениях по отношению к соответствующим истоковым шинам 24 и затворным шинам 25. Таким образом, часть множества выступов 46 формируется, чтобы перекрыть дополнительные емкостные шины 26b. Отметим, что, в то время как дополнительные емкостные шины 26b показаны более жирными, чем участки 36a и 46 регулирования выравнивания на фиг.9 и фиг.10, дополнительные емкостные шины 26b могут быть сформированы, чтобы иметь толщину, равную таковым из участков 36a и 46 регулировки выравнивания или больше, чем участки 36a и 46 регулировки выравнивания.

Дополнительные емкостные электроды 33, как показано на фиг.10, простираются вдоль основной емкостной шины 26a и дополнительных емкостных шин 26b и обеспечиваются, чтобы перекрыть как основную емкостную шину 26a так и дополнительные емкостные шины 26b. В каждой пиксельной области 22 вспомогательный емкостный электрод 33 конфигурируется только на одном участке вдоль дополнительной емкостной шины 26b (на верхней стороне на фиг.10) среди участков вдоль основной емкостной шины 26a и дополнительных емкостных шин 26b так, что боковой конец на одной стороне (нижней стороне на фиг.10) в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы войти снаружи затворного электрода 28 внутрь его, располагается вдоль бокового конца на одной стороне вспомогательной емкостной шины 26b, чтобы быть внутри вспомогательной емкостной шины 26, и так, что боковая сторона другой стороны (верхней стороны на фиг.10) в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы выйти изнутри затворного электрода 28 наружу его, располагается вдоль бокового конца с другой стороны дополнительной емкостной шины 26b, чтобы быть снаружи вспомогательной емкостной шины 26.

Эффекты 2 Варианта осуществления

Соответственно, с этим 2 Вариантом осуществления, в каждой пиксельной области 22, вспомогательный емкостный электрод 33 конфигурируется так, что боковой конец на одной стороне в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы войти снаружи затворного электрода 28 внутрь его, располагается внутри вспомогательной емкостной шины 26, и так, что боковая сторона другой стороны в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы выйти изнутри затворного электрода 28 наружу его, располагается снаружи вспомогательной емкостной шины 26. Поэтому эффекты, подобные тем, что в вышеупомянутом 1 Варианте осуществления, могут быть получены.

В дополнение к этому случаю, так как слои 37 и 45 выравнивания по вертикали и множество участков 36a и 46 регулировки выравнивания для разделения жидкокристаллического слоя 14 на множество доменов для каждого пикселя 14, обеспечиваются на сторонах жидкокристаллического слоя 14 из подложки 20 активной матрицы и противоположной подложки 40, соответственно, когда напряжение не прикладывается к жидкокристаллическому слою 14, только жидкокристаллические молекулы около щелей 36a и выступов 46 выравниваются наклоненным способом, центрируемым в щелях 36a и выступах 46, и все другие жидкокристаллические молекулы отдельные от щелей 36a и выступов 46 выравниваются перпендикулярно к поверхности подложки 20 активной матрицы (противоположная подложка 40). Когда напряжение прикладывается к жидкокристаллическому уровню 14, жидкокристаллические молекулы отдельно от щелей 36a и выступов 46 выравниваются в соответствии с наклоненным выравниванием жидкокристаллических молекул около щелей 36a и выступов 46. Это может подавить количество пропущенного света, который меняется в зависимости от угла визуального распознавания, таким образом позволяя улучшение характеристик угла обзора во время отображения изображения. Это улучшение позволяет углу обзора увеличиваться.

Далее, так как каждый вспомогательный емкостный электрод 33 обеспечивается, чтобы перекрыть как основную емкостную шину 26a и дополнительную емкостную шину 26b, зона перекрытия вспомогательного емкостного электрода 33 и вспомогательной емкостной шины 26 становится большей, что приводит к увеличению вспомогательного емкостного сопротивления, чтобы уменьшить проходное напряжение. В дополнение к этому случаю, удлиняя участок, который пересекает боковой конец вспомогательной емкостной шины 26 во вспомогательном емкостном электроде 33, становится возможным увеличить вспомогательное емкостное сопротивление, которое увеличивается и уменьшается в соответствии с увеличением и уменьшением в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом 28 и электродом 32 стока. Это позволяет увеличению и уменьшению вспомогательного емкостного сопротивления относительно увеличения и уменьшения в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом 28 и электродом 32 стока быть соответственно скорректированными, что позволяет изменениям проходного напряжения быть подавленными насколько возможно.

В зонах, где участки 36a и 46 регулировки выравнивания обеспечиваются, выравнивание жидкокристаллических молекул, вероятно, будет не в порядке, и поэтому светопропускание, вероятно, уменьшится, и, вероятно, произойдет рассеяние света. В зонах, где вспомогательная емкостная шина 26 и вспомогательный емкостный электрод 33 обеспечивается, вспомогательная емкостная шина 26 и вспомогательный емкостный электрод 33 блокирует светопередачу, чтобы уменьшить светопропускание. В настоящем варианте осуществления часть множества выступов 46 формируется, чтобы перекрыть соответствующие дополнительные емкостные шины 26b. Поэтому, по сравнению со случаями, где множество выступов 46 формируются, чтобы не перекрывать либо вспомогательные емкостные шины 26, либо вспомогательные емкостные электроды 33, возможно в этом варианте осуществления подавлять уменьшение в светопропускании и подавлять рассеяние света от зон, где жидкокристаллические молекулы, вероятно, будут невыровненными, так, чтобы контраст мог быть увеличен.

3 Вариант осуществления изобретения

Фиг.12 показывает 3 Вариант осуществления изобретения. Фиг.12 является видом в плане, схематично показывающим одну группу 23 пиксельной области подложки 20 активной матрицы настоящего варианта осуществления.

Жидкокристаллическое устройство S отображения в настоящем 3 варианте осуществления, как в вышеупомянутом 2 варианте осуществления, является жидкокристаллическим устройством отображения MVA. В вспомогательном емкостном электроде 33 из каждой пиксельной области 22, боковой конец на одной стороне в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы войти снаружи затворного электрода 28 внутрь его, располагается в вспомогательной емкостной шине 26, и боковой конец с другой стороны в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы выйти изнутри затворного электрода 28 наружу его, располагается снаружи вспомогательной емкостной шины 26.

В вышеупомянутом 2 варианте осуществления, в каждом вспомогательном емкостном электроде 33, боковой конец на одной стороне только на одном участке вдоль дополнительной емкостной шины 26b на верхней стороне на фиг.10 среди участков вдоль основной емкостной шины 26a и дополнительных емкостных шин 26b располагается в вспомогательной емкостной шине 26, и боковой конец с другой стороны располагается снаружи вспомогательной емкостной шины 26. В настоящем варианте осуществления, однако, в каждом вспомогательном емкостном электроде 33, как показано на фиг.12, боковые концы на одной стороне (низкая сторона на чертеже) на множестве участков вдоль дополнительных емкостных шин 26b на обеих сторонах в верхних и низких направлениях на чертеже располагаются вдоль боковых концов на одной стороне дополнительных емкостных шин 26b, чтобы быть внутри вспомогательной емкостной шины 26, и боковые концы другой стороны (верхняя сторона на чертеже) располагаются вдоль боковых концов с другой стороны дополнительных емкостных шин 26b, чтобы быть снаружи вспомогательной емкостной шины 26.

Эффекты 3 Варианта осуществления

Соответственно, с этим 3 Вариантом осуществления, в каждой пиксельной области 22, вспомогательный емкостный электрод 33 конфигурируется так, что боковой конец на одной стороне в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы войти снаружи затворного электрода 28 внутрь его, располагается во вспомогательной емкостной шине 26, и так, что боковой конец с другой стороны в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы выйти изнутри затворного электрода 28 наружу его, располагается за пределами вспомогательной емкостной шины 26. Поэтому эффекты, подобные эффектам вышеупомянутого 1 варианта осуществления, могут быть получены.

Далее, во множестве участков вдоль дополнительных емкостных шин 26b среди участков вдоль основной емкостной шины 26a и дополнительных емкостных шин 26b в каждом вспомогательном емкостной электроде 33 боковые концы на одной стороне располагаются внутри вспомогательной емкостной шины 26, и боковые концы с другой стороны располагаются снаружи вспомогательной емкостной шины 26. Это увеличивает вспомогательное емкостное сопротивление, которое увеличивается и уменьшается в соответствии с увеличением и уменьшением в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом 28 и электродом 32 стока, больше, чем случай, в котором, в одном участке среди участков вдоль основной емкостной шины 26a и дополнительных емкостных шин 26b, боковой конец на одной стороне располагается внутри вспомогательной емкостной шины 26, и боковой конец с другой стороны располагается снаружи вспомогательной емкостной шины 26. Таким образом, увеличение и уменьшение вспомогательного емкостного сопротивления относительно увеличения и уменьшения в паразитном емкостном сопротивлении между затворным электродом 28 и электродом 32 стока соответственно корректируются, что позволяет изменениям проходного напряжения быть подавленными насколько возможно.

4 Вариант осуществления изобретения

Фиг.13 показывает 4 Вариант осуществления изобретения. Фиг.13 является видом в плане, схематично показывающим одну пиксельную область 22 подложки 20 активной матрицы настоящего варианта осуществления.

В то время как жидкокристаллические устройства S отображения MVA были описаны в вышеупомянутых вариантах осуществления 2 и 3, жидкокристаллическое устройство S отображения в настоящем варианте осуществления является жидкокристаллическим устройством отображения того, что называют способом PVA (шаблонированное выравнивание по вертикали).

Подложка 20 активной матрицы конфигурируется тем же самым способом, как вышеупомянутый 2 Вариант осуществления. Участки 36a и 44a регулировки выравнивания подложки 20 активной матрицы и противоположная подложка 40 располагаются тем же самым способом, как вышеупомянутый 2 Вариант осуществления, и участки 36a регулировки выравнивания подложки активной матрицы 20 делаются из щелей, сформированных в соответствующих пиксельных электродах 36. Участки 44a регулировки выравнивания противоположной подложки 40, как показано на фиг.13, делаются из щелей, сформированных в общем электроде 44.

Отметим, что подложка 20 активной матрицы может быть сконфигурирована тем же самым способом, как вышеупомянутый 3 Вариант осуществления.

Эффекты 4 Варианта осуществления

Соответственно, в этом 4 Варианте осуществления, подложка 20 активной матрицы конфигурируется тем же самым способом, как и в вышеупомянутом 2 Варианте осуществления, и поэтому могут быть получены эффекты, подобные вышеупомянутому 1 Варианту осуществления.

Даже с участками регулировки 36a и 44a выравнивания и подложки 20 активной матрицы и противоположной подложки 40, содержащей щели, когда напряжение не прикладывается к жидкокристаллическому слою 14, только жидкокристаллические молекулы около щелей 36a и 44a выровнены наклоненным способом, центрируемым в щелях 36a и 44a, и все другие жидкокристаллические молекулы отдельно от щелей 36a и 44a выравниваются перпендикулярно к поверхности подложки 20 активной матрицы (противоположной подложки 40). Когда напряжение прикладывается к жидкокристаллическому слою 14, жидкокристаллические молекулы, кроме щелей 36a и 44a, выравниваются в соответствии с наклоненным выравниванием жидкокристаллических молекул около щелей 36a и 44a. Это может подавлять количество пропущенного света, который меняется в зависимости от угла визуального распознавания, таким образом позволяя характеристикам угла обзора быть улучшенными во время отображения изображения. Это улучшение позволяет углу обзора быть увеличенным.

5 Вариант осуществления изобретения

Фиг.14 и 15 показывают 5 вариант осуществления изобретения. Фиг.14 является видом в плане, схематично показывающим одну пиксельную группу 12 из жидкокристаллического устройства S отображения в настоящем варианте осуществления. Фиг.15 является видом в плане, схематично показывающим одну группу 23 пиксельной области из подложки 20 активной матрицы в настоящем варианте осуществления.

Множество пикселей 11 настоящего варианта осуществления, как показано на фиг.14, включается во множество пиксельных групп 12 так, что пиксели 11r, 11g и 11b во множестве цветов, которые располагаются в форме полос в направлении столбца и которые являются выровненными вдоль истоковых шин 24, включаются в каждую пиксельную группу 12. Каждый пиксель 11 обеспечивается так, что длина в направлении строки равняется приблизительно трем длинам в направлении столбца.

В вышеупомянутом 1 варианте осуществления TFT 27 в каждой группе 23 пиксельной области соединяются с истоковыми шинами 24, которые отличаются друг от друга и соединяются с той же самой затворной шиной 25. В настоящем варианте осуществления, однако, как показано на фиг.15, TFT 27 в каждой пиксельной группе области 23 конфигурируются так, что истоковые электроды 31 соединяются с той же самой истоковой шиной 24 и затворные электроды 28 соединяются с затворной шиной 25, которые отличаются от друг друга.

Как в вышеупомянутом 1 варианте осуществления, в каждой пиксельной области 22, вспомогательный емкостный электрод 33 конфигурируется так, что боковой конец на одной стороне (низкой стороне на фиг.15) в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы войти снаружи затворного электрода 28 внутрь его, располагается в вспомогательной емкостной шине 26, и так, что боковой конец с другой стороны (верхней стороны на фиг.15) в том направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28 так, чтобы выйти изнутри затворного электрода 28 наружу его, располагается снаружи вспомогательной емкостной шины 26.

Эффекты 5 Варианта осуществления

Соответственно, с этим 5 вариантом осуществления, в каждой пиксельной области 22, вспомогательный емкостной электрод 33 конфигурируется так, что боковой конец на одной стороне в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы войти снаружи затворного электрода 28 внутрь его, располагается в вспомогательной емкостной шине 26, и так, что боковой конец с другой стороны в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы выйти изнутри затворного электрода 28 наружу его, располагается снаружи вспомогательной емкостной шины 26. Поэтому, могут быть получены эффекты подобные эффектам 1 Варианта осуществления.

Как показано на фиг.19, относительно традиционной подложки активной матрицы, в случаях, где длина в направлении строки в каждой пиксельной области 108 обеспечивается, чтобы быть приблизительно равной трем длинам в направлении столбца, интервалы 109 между затворными шинами 101 и вспомогательными емкостными шинами 105 делаются меньшими, чем в случаях, в которых длина в направлении столбца в каждой пиксельной области равняется приблизительно трем длинам в направлении строки, с точки зрения полностью экранированных зон около контактных отверстий 103 из ламинированной изоляционной пленки от света вспомогательными емкостными шинами 105. Это заставляет шины 101 и 105 быть легко закороченными друг другу, и поэтому мощность склоняется к уменьшению.

Напротив, в настоящем варианте осуществления, как показано на фиг.15, в каждой пиксельной области 22 боковой конец вспомогательного емкостного электрода 33 на стороне (верхней стороне на чертеже) направления, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы выйти изнутри затворного электрода 28 наружу его, располагается снаружи вспомогательной емкостной шины 26. Это позволяет световому экранированию для контактного отверстия 35a полностью выполняться вспомогательным емкостным электродом 33 в зоне на стороне, где вспомогательный емкостный электрод 33 располагается за пределами вспомогательной емкостной шины 26, и поэтому уменьшение интервалов 38 между затворными шинами 25 и вспомогательными емкостными шинами 26 может быть подавлено, так, чтобы взаимное замыкание накоротко между шинами 25 и 26 могло быть подавлено.

Далее, в каждой группе 23 пиксельной области, истоковые электроды 31 соединяются с той же самой истоковой шиной 24, и затворные электроды 28 соединяются с затворными шинами 25, которые отличаются друг от друга. Поэтому, число истоковых шин 24, соединенное с истоковым электродом 31 каждой группы 23 пиксельной области, может быть сделано меньшим, чем в случаях, где в каждой группе 23 пиксельной области исходные электроды 31 соединяются с истоковыми шинами 24, которые отличаются от друг друга, и затворные электроды 28 соединяются с той же самой затворной шиной 25. Это позволяет числу истоковых микросхем 18 IC драйвера, которые более дороги, чем затворные микросхемы 17 IC драйвера, быть уменьшенными, и поэтому стоимость может быть снижена.

Другие Варианты осуществления

В вышеупомянутых вариантах осуществления вспомогательный емкостный электрод 33 в каждой пиксельной области 22 располагается так, что вспомогательное емкостное сопротивление между вспомогательной емкостной шиной 26 и вспомогательным емкостным электродом 33 увеличивается и уменьшается в соответствии с увеличением и уменьшением паразитного емкостного сопротивления между затворным электродом 28 и электродом 32 стока, которые вызываются отклонением в направлении столбцов позиции, в которой целиком формируется электрод 32 стока. Однако, изобретение не ограничивается этим. Как показано на фиг.16, вспомогательный емкостный электрод 33 в каждой пиксельной области 22 может быть расположен так, что вспомогательная емкость между вспомогательной емкостной шиной 26 и вспомогательным емкостным электродом 33 увеличивается и уменьшается в соответствии с увеличением и уменьшением паразитного емкостного сопротивления между затворным электродом 28 и электродом 32 стока, которые вызываются отклонением в направлении строки (боковое направление на чертеже) позиции, в которой целиком формируется электрод стока 32.

Конкретно, как показано на фиг.16, каждый затворный электрод 28 обеспечивается для выступа от затворной шины 25 на стороне вспомогательной емкостной шины 26 (верхняя сторона на чертеже), каждый полупроводниковый слой 30 обеспечивается, чтобы перекрыть затворный электрод 28, и, в каждой пиксельной области 22, боковой конец на одной стороне (левая сторона на чертеже) электрода 32 стока располагается в полупроводниковом слое 30, и боковой конец с другой стороны (правая сторона на чертеже) располагается снаружи полупроводникового слоя 30. В каждой вспомогательной емкостной шине 26 выпуклость 26c, которая увеличивается в направлении столбца, обеспечивается на участке, перекрывающем вспомогательный емкостный электрод 33. В каждой пиксельной области 22, вспомогательный емкостный электрод 33 может быть сконфигурирован так, что боковой конец на одной стороне (левая сторона на фиг.16) в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы войти снаружи затворного электрода 28 внутрь его, располагается вдоль бокового конца на одной стороне выпуклости 26c во вспомогательной емкостной шине 26, чтобы быть во вспомогательной емкостной шине 26, и так, чтобы боковая сторона на другой стороне (правая сторона на фиг.16) в направлении, в котором электрод 32 стока пересекает конец затворного электрода 28, чтобы выйти изнутри затворного электрода 28 наружу его, располагается вдоль бокового конца с другой стороны выпуклости 26c, чтобы быть снаружи вспомогательной емкостной шины 26.

С такой конфигурацией, так как вспомогательное емкостное сопротивление между вспомогательным емкостным электродом 33 и вспомогательной емкостной шиной 26 может быть увеличено и уменьшено в соответствии с увеличением и уменьшением паразитного емкостного сопротивления между затворным электродом 28 и электродом 32 стока, эффекты паразитного емкостного сопротивления и вспомогательного емкостного сопротивления на проходном напряжении отменяют друг друга. В результате становится возможно подавить изменения проходного напряжения, сгенерированного паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом 28 и электродом 32 стока.

В вышеупомянутых вариантах осуществления цельно формируются электроды 32 стока и соответствующие вспомогательные емкостные электроды 33. Однако, изобретение не ограничивается этим, и электроды стока и вспомогательные емкостные электроды могут быть отдельно сформированы. В случаях, где электроды стока и вспомогательные емкостные электроды отдельно формируются таким образом, что подложка активной матрицы конфигурируется, например, так, что контактные отверстия, которые проходят через ламинированную изоляционную пленку, формируются на электродах стока и вспомогательных емкостных электродах, и электроды стока и вспомогательные емкостные электроды соединяются через контактные отверстия с пиксельными электродами так, чтобы электроды стока и вспомогательные емкостные электроды были электрически соединены.

В вышеупомянутом 2 варианте осуществления участки 36a регулировки выравнивания подложки 20 активной матрицы делаются из щелей отверстий, которые формируются в соответствующих пиксельных электродах 36, и участки 46 регулировки выравнивания противоположной подложки 40 делаются из выступов. Однако изобретение не ограничивается этим, и части регулирования выравнивания подложки 20 активной матрицы могут быть сделаны из выступов, которые формируются выступом на стороне жидкокристаллического слоя 14, и участки регулировки выравнивания противоположной подложки 40 могут быть сделаны из щелей отверстий, которые формируются в общем электроде 44. Щели подложки 20 активной матрицы могут быть сделаны из вырезов. Даже с такой конфигурацией становится возможно получить эффекты, подобные вышеупомянутому 2 варианту осуществления.

В вышеупомянутом 2 варианте осуществления дополнительные емкостные шины 26b формируются, чтобы перекрыть выступы 46. Однако изобретение не ограничивается этим. Вспомогательные емкостные шины 26b могут быть сформированы, чтобы перекрыть щели 36a, и часть щелей 36a может быть сформирована, чтобы перекрыть дополнительные емкостные шины 26b. Предпочтительно что, по меньшей мере, часть множества участков 36a и 46 регулировки выравнивания будут сформированными, чтобы перекрыть, по меньшей мере, часть вспомогательных емкостных шин 26 и вспомогательные емкостные электроды 33.

С такой конфигурацией часть множества участков 36a и 46 регулировки выравнивания, вблизи которых выравнивание жидкокристаллических молекул, вероятно, будет не в порядке, сформирована, для перекрытия, по меньшей мере, части вспомогательной емкостной шины 26 и вспомогательного емкостного электрода 33, которые блокируют светопроницаемость. Поэтому возможно подавить уменьшение в светопропускании, и подавить рассеяние света от зон, где жидкокристаллические молекулы, вероятно, будут не выровнены, что позволяет контрасту быть увеличенным, по сравнению со случаями, где часть множества участков 36a и 46 регулировки выравнивания формируется в другой зоне, то есть, формируется множество участков 36a и 46 регулировки выравнивания, чтобы не перекрывать или вспомогательную емкостную шину 26, или вспомогательный емкостный электрод 33.

В вышеупомянутом 5 варианте осуществления фиг.15 показывает одну линейно сформированную вспомогательную емкостную шину 26. Однако изобретение не ограничивается этим. В подложке 20 активной матрицы, в которой истоковые электроды 31 в каждой группе 23 пиксельной области соединяются с теми же самыми истоковыми шинами 24, и затворные электроды 28 соединяются с затворными шинами 25, которые отличаются друг от друга, у каждой вспомогательной емкостной шины 26 может быть основная емкостная шина, обеспеченная, чтобы простираться вдоль затворной шины 25, и дополнительная емкостная шина, обеспеченная для выступания стороны от основной емкостной шины, как в вышеупомянутом 2 варианте осуществления, и далее вспомогательный емкостный электрод 33 может быть обеспечен, чтобы перекрыть основную емкостную шину и дополнительную емкостную шину.

В вышеупомянутых вариантах осуществления были даны описания, взяв в качестве примера, жидкокристаллическое устройство S отображения, к которому применяется подложка 20 активной матрицы. Изобретение, однако, не ограничивается этим, и применимо к другим устройствам отображения, таким как органические электролюминесцентные устройства отображения.

Промышленная применимость

Как описано выше, изобретение является применимым для подложки активной матрицы и жидкокристаллического устройства отображения, и более конкретно является подходящим для подложки активной матрицы и жидкокристаллического устройства отображения, в которых имеется потребность в подавлении изменений проходного напряжения, сгенерированного паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом и электродом стока.

ОПИСАНИЕ ССЫЛОЧНЫХ ПОЗИЦИЙ

S Жидкокристаллическое Устройство Отображения

11 Пиксель

11r Красный пиксель

11g Зеленый Пиксель

11b Синий Пиксель

12 Пиксельная группа

14 Жидкокристаллический слой

15 Герметизирующий материал

17 Истоковая Микросхема IC Драйвера

18 Затворная Микросхема IC Драйвера

20 Подложка Активной матрицы

22 Пиксельные Области

23 Группа пиксельной области

24 Истоковая шина

25 Затворная шина

26 Вспомогательная емкостная шина

26a Основная емкостная шина

26b Дополнительная емкостная шина

27 TFT (Тонкопленочный транзистор)

28 Затворный электрод

30 Полупроводниковый слой

31 Истоковый Электрод

32 Электрод стока

33 Вспомогательный емкостный электрод

36 Пиксельный Электрод

36a Щель (Участок регулирования выравнивания)

37 Слой выравнивания (Слой выравнивания по вертикали)

40 Противоположная Подложка

44 Общий Электрод

44a Щель (Участок регулирования выравнивания)

45 Слой выравнивания (Слой выравнивания по вертикали)

46 Выступ (Участок Регулирования выравнивания)

Настоящее изобретение относится к подложкам активных матриц и жидкокристаллическим устройствам отображения и направлено на подавление изменений проходного напряжения, сгенерированного паразитным емкостным сопротивлением между затворным электродом и электродом стока. Подложка активной матрицы содержит: множество пиксельных областей, определенных в форме матрицы; множество истоковых шин, простирающихся параллельно друг другу между пиксельными областями; множество затворных шин, простирающихся параллельно друг другу в направлении, пересекающем истоковые шины; множество вспомогательных емкостных шин, простирающихся между затворными шинами; множество тонкопленочных транзисторов, имеющих затворный электрод, полупроводниковый слой, истоковый электрод и электрод стока; и множество вспомогательных емкостных электродов, предусмотренных в соответствующих пиксельных областях с возможностью простирания вдоль вспомогательных емкостных шин и с возможностью перекрытия вспомогательных емкостных шин, в том же слое, что и электрод стока каждого из тонкопленочных транзисторов. В каждом из вспомогательных емкостных электродов пиксельных областей боковой конец на одной стороне расположен внутри одной из вспомогательных емкостных шин, причем упомянутый боковой конец на одной стороне находится в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, таким образом, чтобы войти снаружи затворного электрода внутрь его, и боковой конец на другой стороне расположен снаружи одной из вспомогательных емкостных шин, причем упомянутый боковой конец на другой стороне находится в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода, таким образом, чтобы выйти изнутри затворного электрода наружу его. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 19 ил.

1. Подложка активной матрицы, содержащая: множество пиксельных областей, определенных в форме матрицы; множество истоковых шин, предусмотренных простирающимися параллельно друг другу между пиксельными областями; множество затворных шин, предусмотренных простирающимися параллельно друг другу в направлении, пересекающем истоковые шины, множество вспомогательных емкостных шин, каждая предусмотренная простирающейся между затворными шинами; множество тонкопленочных транзисторов, каждый имеющий затворный электрод, электрически подключенный к затворным шинам, полупроводниковый слой, предоставленный для перекрытия затворного электрода, истоковый электрод, предоставленный для перекрытия затворного электрода и полупроводникового уровня, причем истоковый электрод электрически подключен к одной из истоковых шин, и электрод стока, предоставленный для пересечения конца затворного электрода с возможностью перекрытия затворной шины и полупроводникового слоя, и множество вспомогательных емкостных электродов, предусмотренных в соответствующих пиксельных областях с возможностью простирания вдоль вспомогательных емкостных шин и с возможностью перекрытия вспомогательных емкостных шин, в том же слое, что и электрод стока каждого из тонкопленочных транзисторов, причем в каждом из вспомогательных емкостных электродов пиксельных областей боковой конец на одной стороне расположен внутри одной из вспомогательных емкостных шин, причем упомянутый боковой конец на одной стороне находится в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода таким образом, чтобы войти снаружи затворного электрода внутрь его, и боковой конец на другой стороне расположен снаружи одной из вспомогательных емкостных шин, причем упомянутый боковой конец на другой стороне находится в направлении, в котором электрод стока пересекает конец затворного электрода таким образом, чтобы выйти изнутри затворного электрода наружу его.

2. Подложка активной матрицы по п.1, в которой каждая из вспомогательных емкостных шин имеет основную емкостную шину, предусмотренную простирающейся вдоль одной из затворных шин, и дополнительную емкостную шину, предусмотренную выступать к стороне от основной емкостной шины, и каждый из вспомогательных емкостных электродов предусматривается для перекрытия основной емкостной линии и дополнительной емкостной линии.

3. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой множество пиксельных областей включается в множество групп пиксельных областей, упорядоченных вдоль истоковых шин, и в каждой из групп пиксельных областей истоковые электроды подключаются к одной и той же из истоковых шин и затворные электроды подключаются к затворным линиям, которые отличаются друг от друга.

4. Жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее: подложку активной матрицы по п.1; противоположную подложку, расположенную обращенной к подложке активной матрицы; и жидкокристаллический слой, предусмотренный между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой.

5. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.4, в котором слой вертикального выравнивания и множество участков регулировки выравнивания для разделения жидкокристаллического слоя на множество областей для каждой из пиксельной области предусматриваются на каждой из сторон жидкокристаллического слоя подложки активной матрицы и противоположной подложки и, по меньшей мере, часть множества участков регулировки выравнивания формируется для перекрытия, по меньшей мере, одной из вспомогательных емкостных шин и вспомогательных емкостных электродов.

6. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.5, в котором каждая из вспомогательных емкостных шин имеет основную емкостную шину, предусмотренную простирающейся вдоль одной из затворных шин, и вспомогательную емкостную шину, предусмотренную выступать к стороне от основной емкостной шины, и каждый из вспомогательных емкостных электродов, предусматривается для перекрытия основной емкостной линии и дополнительной емкостной линии.

7. Жидкокристаллическое устройство отображения по п.6, в котором каждый из вспомогательных емкостных электродов предусматривается простирающимся вдоль основной емкостной шины и дополнительной емкостной линии таким образом, что в множестве участков среди участков вдоль основной емкостной шины и дополнительной емкостной шины боковой конец на одной стороне расположен внутри одной из вспомогательных емкостных шин и боковой конец на другой стороне расположен снаружи одной из вспомогательных емкостных шин.

8. Жидкокристаллическое устройство отображения по любому из пп.5-7, в котором пиксельный электрод, электрически подключенный к электроду стока, предусматривается в каждой пиксельной области, каждый из участков регулировки выравнивания подложки активной матрицы создан из щели, сформированной в пиксельном электроде, и каждый из участков регулировки выравнивания противоположной подложки создан из выступа, сформированного для выступа на стороне жидкокристаллического слоя.

9. Жидкокристаллическое устройство отображения по любому из пп.5-7, в котором пиксельный электрод, электрически подключенный к электроду стока, предусматривается в каждой пиксельной области на стороне жидкокристаллического слоя противоположной подложки, обычный электрод предусмотрен для перекрытия пиксельного электрода, каждый из участков регулировки выравнивания подложки активной матрицы создан из щели, сформированной в пиксельном электроде, и каждый из участков регулировки выравнивания противоположной подложки создан из щели, сформированной в обычном электроде.