СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ВЫСОКОПРОДУКТИВНОЙ РАССАДЫ ЗЕМЛЯНИКИ Российский патент 2012 года по МПК A01G1/00 A01G7/00 

Изобретение относится к области плодоводства и в частности к питомниководству земляники.

В основе повышения продуктивности насаждений земляники лежит качество посадочного материала. Причем качественный посадочный материал это не только фитосанитарное состояние, но и высокий уровень потенциала продуктивности, который обеспечивается следующими показателями (диаметр рожка, их количество, длина корневой системы, облиственность растений).

Посадочный материал земляники, который выращивается в маточных насаждениях согласно общепринятым технологическим приемам, в основном имеет один рожок с диаметром около 10 мм, 3-5 листьев, корни длиной 3-5 см, т.е. рассада изначально характеризуется высокой разнокачественностью морфологических и репродуктивных органов, что обуславливает слабое развитие и низкую устойчивость к дестабилизирующим факторам окружающей среды и реализацию потенциальной продуктивности [3, 4, 6, 7, 9].

Наряду с этим установлено, что развитие вегетативных органов (боковых рожков) у рассады земляники является обязательным условием увеличения образования числа продуктивных органов (цветоносов, цветков, ягод) [1, 2, 4, 8, 10, 11, 12, 13].

Одним из основных регулируемых факторов, влияющим на формирование рожков, является оптимизация поступления элементов питания в ткани растения. При формировании рассады земляники необходимо переодическое механическое удаление столонов (усов), направленное на стимуляцию ветвления побега (рожка) в результате перераспределения как питательных веществ, так и гормонального баланса [1].

Задачей настоящего изобретения является разработка способа формирования рассады земляники, который предусматривает обеспечение необходимыми элементами питания в период развития розеток в сочетании с механическим удалением столонов (усов) и стимуляцию ветвления укороченных побегов (рожков).

Поставленная задача решается описываемым способом формирования высокопродуктивной рассады в открытом грунте в течение 4-5 месяцев, включает 6 последовательных обработок розеток земляники комплексными минеральными удобрениями: 1 - аммиачной селитрой в концентрации 0,1%, 1 - акварином 13 (N₁₃P₄₁K₁₃) в концентрации 0,2%, 1 - кальциевой селитрой в концентрации 0,2%, далее сочетание 3-кратного удаления столонов и 3-х обработок Кристалоном (N₁₈P₁₈K₁₈+Mg₃) в концентрации 0,5%; 0,2%; 0,1% соответственно.

Способ позволяет повысить качество посадочного материала земляники за счет увеличения количества рожков и их цветоносов на 1 растение. Использование рассады с высоким потенциалом продуктивности обеспечит увеличение урожайности от 250-550 г с растения, уже в год ее посадки и позволит расширить период производства ягод во внесезонье.

Таким образом, при выращивании посадочного материала земляники с высоким потенциалом продуктивности необходимо использовать комплексные приемы, позволяющие сформировать растение с несколькими рожками, и тем самым существенно повысить урожайность уже в год закладки насаждений.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Бенне Р. Промышленное производство земляники. - М.: Колос, 1978, с.110.

2. Выращивание и хранение рассады земляники // Рекомендации, Росспромиздат, 1975, с.6

3. Гудковский В.А., Ленц Ф., Семина Н.П. Получение оздоровленной и высокопродуктивной рассады земляники. - // Садоводство и виноградство, №3, 2000, с.21-23.

4. Закотин B.C. Промышленное производство земляники. - М.: Агропромиздат, 1988, с.156

5. Наделюев А.П. Совершенствование технологии производства оздоровленного посадочного материала земляники в Ленинградской области - Автореферат. Санкт-Петербург, 2002, с.16.

6. Паскеев Н.А. Совершенствование системы производства оздоровленного посадочного материала земляники в условиях Северного Кавказа. - Автореферат, 2001, с.28

7. Сизенко Ю.М. Интенсификация производства земляники за рубежом. М., 1989, с.56.

8. Технология возделывания земляники на промышленных плантациях и в репродукционных питомниках Нечерноземной зоны РСФСР // рекомендации - М.: Россельхозиздат, 1981, с.15

9. Шаталова М.А. Современная технология возделывания земляники за рубежом. - М., 1975, с.156.

10. Aerts Y. Emploi de pbants- frigo dans la culture cle fraisirs sous verre - Symposium Fraisier saus protection strowberry under protection. Gembloux 29/5-2/6 1972, 1973 №30. P.73-78.

11. Barnwell M.C. The role of the cold sore in the hardy plant nurseru - Gardeners chron. Hortic trade Y. 1973, 174 №11. P.26-29.

12.Bauckmann M. Massnahmen zur Gewinnung gesunder. Erdbeerjungpblanzen - obst und Garten. 1974 P.104-105.

13. Benne R. Verfahren der, Yungphanzenvermehrung von Erdbeeren im Havvelobstanbaugebiet-Gartenbau, 1972. S 134-136.

Изобретение относится к области сельского хозяйства, в частности к плодоводству и питомниководству земляники. Способ предусматривает обеспечение необходимыми элементами питания в период развития розеток в сочетании с механическим удалением столонов, усов, и стимуляцию ветвления укороченных побегов - рожков. Включает 6 последовательных обработок розеток земляники комплексными минеральными удобрениями: аммиачной селитрой в концентрации 0,1%, акварином 13 (N₁₃P₄₁K₁₃) в концентрации 0,2%, кальциевой селитрой в концентрации 0,2%, далее сочетание 3-кратного удаления столонов и 3-х обработок Кристалоном (N₁₈P₁₈K₁₈+Mg₃) в концентрации 0,5%; 0,2%; 0,1% соответственно. Способ позволяет повысить качество посадочного материала земляники за счет увеличения количества рожков и их цветоносов на 1 растение и увеличить урожайность в год посадки растения.

Способ формирования высокопродуктивной рассады земляники, который предусматривает обеспечение необходимыми элементами питания в период развития розеток в сочетании с механическим удалением столонов - усов, и стимуляцию ветвления укороченных побегов - рожков, включает 6 последовательных обработок розеток земляники комплексными минеральными удобрениями: аммиачной селитрой в концентрации 0,1%, акварином 13 (N₁₃P₄₁K₁₃) в концентрации 0,2%, кальциевой селитрой в концентрации 0,2%, далее сочетание 3-кратного удаления столонов и 3-х обработок Кристалоном (N₁₈P₁₈K₁₈+Mg₃) в концентрации 0,5%; 0,2%; 0,1% соответственно.