СПОСОБ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕПЛОВЫДЕЛЯЮЩИХ ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ ЧЕРЕЗ БИМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЭЛЕКТРОДЫ Российский патент 2012 года по МПК H01L23/34 H01L35/28 

Описание патента на изобретение RU2449417C2

Изобретение относится к способам охлаждения и теплоотвода, например к способам охлаждения компьютерного процессора.

Традиционные методы охлаждения тепловыделяющих компонентов радиоэлектронной аппаратуры сталкиваются с проблемой отвода тепловой энергии непосредственно от кристалла электронного компонента [1]. Таким образом, от нагретого перехода полупроводникового прибора через тепловые сопротивления кристалла, подложки, электродов переносимое тепло формирует градиенты температур, способные привести к тепловому пробою. Кроме того, часть тепла выделяется не только в p-n переходах, но и на границе контакта металлического электрода и полупроводникового материала за счет термоэлектрических явлений.

Задача, на решение которой направлено изобретение, - создание способа, обеспечивающего улучшение процесса охлаждения и теплоотвода электронных компонентов.

Решение поставленной задачи заключается в том, что для повышения эффективности процесса охлаждения тепловыделяющих компонентов радиоэлектронной аппаратуры целесообразно использовать биметаллические электроды, место спая которых находится в непосредственном контакте с тепловыделяющим кристаллом, причем при пропускании тока через этот спай от первого металлического электрода ко второму металлическому электроду можно сформировать охлаждение на локальном участке тепловыделяющего кристалла.

На фиг.1 представлена конструкция термоэлектрических электродов в электронном компоненте, реализующая заявленный способ.

Конструкция термоэлектрических электродов представляет собой биметаллические проводники 1 и 2, разделенные диэлектриком 3 и спаянные непосредственно над участком кристалла, предназначенным для охлаждения. При пропускании тока через этот спай от первого металлического электрода 1 ко второму металлическому электроду 2 можно сформировать охлаждение на локальном участке тепловыделяющего кристалла 4. Причем применение отдельного независимого источника питания постоянного тока позволяет сохранить все рабочие режимы радиоэлектронного компонента, уменьшив тепловые нагрузки в зоне контакта биметаллического электрода 1, 2 с тепловыделяющим кристаллом 4. Наибольшего эффекта можно добиться в цифровой технике на основе транзисторной логики, у которой коллекторы и эмиттеры соединены либо с шиной питания, либо с шиной земля. Это позволяет реализовать биметаллические электроды таким образом, что они будут сгруппированы вокруг двух независимых источников питания, каждый из которых соединен со своей шиной. Непосредственное охлаждение каждого кристалла транзистора через наиболее тепловыделяющие электроды (коллектор, эмиттер) позволяет отводить тепло изнутри кристалла через шины питания наружу. При высокой степени интеграции это позволит охлаждать компьютерные процессоры и другие сверхбольшие интегральные схемы не только через корпус, а через биметаллические электроды 1, 2, охлаждающие спаи которых отводят тепло непосредственно от кристаллов 4 через биметаллические электроды 1, 2 при помощи электронов внутрь двух независимых источников питания, для которых перегрев уже не является таким критичным за счет их больших габаритов.

Применение термоэлектрических электродов позволит значительно повысить степень интеграции сверхбольших интегральных схем за счет облегчения тепловых режимов.

Литература

1. Исмаилов Т.А. Термоэлектрические полупроводниковые устройства и интенсификаторы теплопередачи. - СПб.: Политехника, 2005.

Похожие патенты RU2449417C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОТВОДА ТЕПЛА ОТ ТЕПЛОВЫДЕЛЯЮЩИХ ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПРИМЕНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ 2014
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Гаджиев Хаджимурат Магомедович
  • Нежведилов Тимур Декартович
  • Челушкина Татьяна Алексеевна
RU2562742C2
ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО С ОХЛАЖДАЮЩИМ ЭЛЕМЕНТОМ (ВАРИАНТЫ) 2004
  • Абрамов Владимир
  • Агафонов Дмитрий
  • Драбкин Игорь
  • Марычев Владимир
  • Освенский Владимир
  • Сушков Валерий
  • Шишов Александр
  • Щербаков Николай
RU2385516C2
УСТРОЙСТВО ОХЛАЖДЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНОПЛЕНОЧНЫХ ТЕРМОМОДУЛЕЙ 2014
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Гаджиев Хаджимурат Магомедович
  • Нежведилов Тимур Декартович
  • Челушкина Татьяна Алексеевна
RU2565523C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТВОДА ТЕПЛА И ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЛАТ 2000
  • Исмаилов Т.А.
  • Евдулов О.В.
  • Аминов Г.И.
  • Юсуфов Ш.А.
RU2174292C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ 1999
  • Исмаилов Т.А.
  • Евдулов О.В.
  • Гаджиев Х.М.
  • Юсуфов Ш.А.
RU2161385C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ С ВЫСОКИМ УРОВНЕМ ТЕПЛОВЫДЕЛЕНИЙ 2002
  • Исмаилов Т.А.
  • Евдулов О.В.
  • Аминов Г.И.
  • Юсуфов Ш.А.
RU2236098C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ С ВЫСОКИМ УРОВНЕМ ТЕПЛОВЫДЕЛЕНИЙ 2002
  • Исмаилов Т.А.
  • Евдулов О.В.
  • Аминов Г.И.
  • Юсуфов Ш.А.
RU2233569C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМОСТАБИЛИЗАЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ 2001
  • Исмаилов Т.А.
  • Евдулов О.В.
  • Аминов Г.И.
  • Юсуфов Ш.А.
RU2236097C2
ОХЛАДИТЕЛЬ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Евдулов Олег Викторович
  • Махмудова Марьям Магомедовна
RU2366129C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЛАТ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Евдулов Олег Викторович
  • Евдулов Денис Викторович
  • Агаев Магомед Улубиевич
RU2366130C1

Реферат патента 2012 года СПОСОБ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕПЛОВЫДЕЛЯЮЩИХ ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ ЧЕРЕЗ БИМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЭЛЕКТРОДЫ

Изобретение относится к способам охлаждения и теплоотвода, например к способам охлаждения компьютерного процессора. Решение поставленной задачи заключается в том, что используются биметаллические электроды, место спая которых находится в непосредственном контакте с тепловыделяющим кристаллом, причем при пропускании тока через этот спай от первого биметаллического электрода ко второму биметаллическому электроду можно сформировать охлаждение на локальном участке тепловыделяющего кристалла. Конструкция термоэлектрических электродов представляет собой биметаллические проводники и разделенные диэлектриком и спаянные непосредственно над участком кристалла, предназначенным для охлаждения. Технический результат - повышение эффективности процесса охлаждения тепловыделяющих компонентов радиоэлектронной аппаратуры. 1 ил.

Формула изобретения RU 2 449 417 C2

Способ охлаждения полупроводниковых тепловыделяющих электронных компонентов через биметаллические термоэлектрические электроды, состоящий в охлаждении электронных компонентов через термоэлектрические электроды, отличающийся тем, что электроды выполнены в виде биметаллических проводников и используется место спая биметаллических электродов, находящихся в непосредственном контакте с тепловыделяющим кристаллом, причем при пропускании тока через этот спай от первого металлического электрода ко второму металлическому электроду можно сформировать охлаждение на локальном участке тепловыделяющего кристалла.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2012 года RU2449417C2

Устройство для охлаждения микроэлектронных узлов 1988
  • Бисигирскис Артурас Гольфредович
  • Бансявичюс Рамутис Юозович
  • Бисигирскис Гольфредас Владович
  • Рагульскис Казимерас Миколович
SU1614148A1
JP 2004101160 A, 02.04.2004
JP 2000228754 A, 15.08.2000
JP 2001018257 A, 23.01.2001
JP 10071091 A, 17.03.1998
Полупроводниковое устройство 1971
  • Нилс Эрик Андерссон
  • Тибор Фаркас
SU503563A3

RU 2 449 417 C2

Авторы

Исмаилов Тагир Абдурашидович

Гаджиев Хаджимурат Магомедович

Гаджиева Солтанат Магомедовна

Нежведилов Тимур Декартович

Челушкина Татьяна Алексеевна

Даты

2012-04-27Публикация

2009-06-01Подача