СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ПОКАЗАТЕЛЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ ДАТЧИКОВ Российский патент 2015 года по МПК H01L43/08 

Описание патента на изобретение RU2553740C1

Изобретение относится к области электронной измерительной техники и предназначено для использования в составе магнитометрических информационно-измерительных систем в качестве датчика, регистрирующего индукцию и/или напряженность магнитного поля.

Известен магниторезистивный датчик с нечетной статической вольт-эрстедной характеристикой (патент РФ №2185691, кл. H01L 43/08, 16.02.2001), содержащий четыре тонкопленочные магниторезистивные полоски из ферромагнитных сплавов, объединенные в мостовую схему, и проложенный над ними через изолирующий слой управляющий проводник, магниторезистивные полоски имеют поперечно ориентированные оси легкого намагничивания, сориентированы в одном направлении своей длиной от начала к концу, электрическими проводниками соединены начало первой полоски и конец четвертой, начало второй и конец третьей, начало третьей и конец первой, начало четвертой и конец второй, а управляющий проводник проложен поперек полосок: по направлению ориентации осей легкого намагничивания в первой и второй полосках, и противоположно - в третьей и четвертой полосках.

Основным недостатком аналога является отсутствие возможности управления подмагничивающим полем и питающим напряжением датчика.

Известно также устройство для контроля положения (патент РФ №2016373, кл. G01B 7/00, 15.07.1994), содержащее установленный с возможностью перемещения источник постоянного магнитного поля, магниторезистивный датчик, выполненный в виде четырех магниторезисторов, имеющих форму плоских меандров и размещенных на общей диэлектрической подложке, измерительный мост, в плечи которого включены магниторезисторы, присоединенный к одной диагонали моста источник питания постоянного тока и подключенный к другой его диагонали блок обработки сигналов, магниторезисторы выполнены из пермаллоевой пленки, источник магнитного поля размещен в общей плоскости с подложкой, магниторезисторы хотя бы в одной из ветвей моста размещены на расстоянии один от другого, выбранном в зависимости от их габаритных размеров, магнитных параметров пленки и источника магнитного поля, а блок обработки сигналов выполнен в виде пороговой схемы.

Основным недостатком аналога также является отсутствие возможности управления подмагничивающим полем и питающим напряжением датчика.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому способу является способ, реализованный магниторезистивным датчиком (патент РФ №2495514, кл. H01L 43/08, 03.05.2012), содержащим мостовую измерительную схему из четырех магниторезисторов, сформированных из пленки ферромагнитного металла. Согласно способу проводниками перемагничивания, сформированными из пленки немагнитного металла, создают подмагничивающее поле и подают питающее напряжение магниторезистивному датчику. На проводнике управления сформирован дополнительный слой из такого же ферромагнитного металла, что и магниторезисторы.

Основным недостатком аналога также является отсутствие возможности управления подмагничивающим полем и питающим напряжением датчика.

Задача изобретения - повышение точностных характеристик магниторезистивных датчиков и расширение сферы их применения.

Технический результат - повышение показателя чувствительности магниторезистивных датчиков за счет применения системы питания повышенным напряжением и устройства подмагничивания.

Поставленная задача решается, а технический результат достигается тем, что создают подмагничивающее поле и подают питающее напряжение на магниторезистивный датчик, представляющий собой измерительный мост, согласно изобретению измерительный мост запитывают повышенным, относительно установленного значения, питающим напряжением импульсного характера и подмагничивают внешним магнитным полем, которое генерируют плоской катушкой индуктивности, расположенной в непосредственной близости от магниторезистивного датчика и связанной с ним магнитной связью, далее регистрируют напряжение на измерительной диагонали моста магниторезистивного датчика, а напряжение диагонали питания измерительного моста устанавливают в ноль, при этом управление осуществляют посредством управляющих импульсов цифровой системы управления и увеличивают показатель чувствительности за счет увеличения приращения выходного напряжения магниторезистивного датчика.

Сущность способа повышения показателя чувствительности магниторезистивных датчиков поясняется чертежами. На фиг.1 изображена блок-схема способа. На фиг.2 изображен график функции напряжения питания магниторезистивного моста от времени. На фиг.3 изображены временные диаграммы управляющих и коммутируемых через устройство подмагничивания токовых импульсов.

Пример конкретной реализации способа.

Способ повышения показателя чувствительности магниторезистивных датчиков осуществляется посредством устройств цифровой системы управления 1, соединенной с устройством подмагничивания 2 и устройством управления питанием 3, которые связаны с магниторезистивным датчиком 4.

В начальный момент времени посредством цифровой системы управления 1 подают электрический сигнал в устройство управления питанием 3. На диагональ питания моста (магниторезистивный датчик 4) подают повышенное напряжение, после этого подают сигнал в устройство подмагничивания 2, которое создает магнитное поле в плоской катушке индуктивности, связанной с магниторезистивным датчиком 4 магнитной связью, после чего регистрируют выходное напряжение магниторезистивного датчика 4 и выключают напряжение питания измерительного моста (магниторезистивного датчика 4).

Напряжение, снимаемое с измерительной диагонали моста, определяется выражением (1).

где U - напряжение, снимаемое с измерительной диагонали моста;

R1, R2, R3, R4 - сопротивления плеч моста;

U0 - напряжение питания моста.

Из выражения (1) видно, что при увеличении напряжения питания моста U0 в силу прямопропорциональной зависимости увеличивается приращение напряжения U, что по определению увеличивает чувствительность магниторезистивного датчика. Одновременно с этим увеличение U0 согласно закону Ома приводит к повышению тока I, протекающего через измерительный мост, а следовательно согласно выражению (2) - к повышению выделяемой тепловой мощности, которая строго регламентирована.

где U0 - напряжение питания моста;

P - мощность, выделяемая мостом;

I - электрический ток, протекающий через плечи моста.

Таким образом, с целью повышения показателя чувствительности применяется импульсный характер питания повышенным относительно установленного напряжением, удовлетворяющего выражению (3), как показано на (фиг.2).

где U* - повышенное напряжение питания мостового магниторезистивного датчика, действующее во временном интервале, ограниченном значениями t1 и t2;

U**max - регламентируемое производителем магниторезистивного датчика напряжение питания, действующее во временном интервале, ограниченном значениями t1' и t2'.

Одновременно с этим известно, что чувствительность мостового преобразователя, входящего в состав магниторезистивного датчика, определяется выражением (4).

где R0 - сопротивление магниторезистивного элемента пленки вне действия магнитного поля;

I - электрический ток, протекающий через измерительную диагональ измерительного моста (моста Уинстона);

µ - подвижность носителей зарядов;

B0 - магнитная индукция, наводимая устройством подмагничивания.

Так, в исходном состоянии при условии отсутствия внешнего магнитного поля ориентация магнитных моментов доменов магниторезистивного элемента хаотична, а его суммарный магнитный момент равен нулю. При воздействии на магниторезистивный элемент внешнего магнитного поля, параметры которого стремятся изменить направление магнитных доменов тонкой пермаллоевой пленки, в результате чего домены рабочего тела приобретают преимущественную ориентацию, в целом совпадающую с направлением индукции внешнего поля.

При протекания через подмагничивающую катушку токового импульса генерируется импульсное поле B0>>B.

После считывания и регистрации отклика магниторезистивного сенсорного модуля U0_set следует генерация токового импульса противоположной полярности (Фиг.3.), в результате чего магнитные домены принимают соответствующую ориентацию. И далее, по аналогии с предыдущим воздействием регистрируют отклик измерительной диагонали моста U0_reset, после чего производится расчет среднего значения отклика моста в соответствии с выражением:

Согласно выражению (5) определяется значение напряжения, пропорциональное в конечном итоге индукции исследуемого магнитно поля.

Составим таблицу, наглядно отражающую повышение показателя чувствительности магниторезистивных датчиков.

В, мкТл C0 Cподм Cпит 50 425×10-6α* 170×10-4α* 220×10-4α*

*α=µ2, где: µ - подвижность носителей зарядов в материале магниторезистивного датчика.

По таблице видно, что применение внешнего подмагничивающего поля и запитывание повышенным питающим напряжением приводит к повышению показателя чувствительности магниторезистивных датчиков, так, например, чувствительность без подмагничивания и питания повышенным напряжением составляет 425×10-6α*, а с применением 220×10-4α*. Таким образом показатель чувствительность повышается в 52 раза.

Итак способ повышения показателя чувствительности магниторезистивных датчиков за счет применения системы питания повышенным напряжением и устройства подмагничивания приводит к повышению точностных характеристик и расширению сферы их применения.

Похожие патенты RU2553740C1

название год авторы номер документа
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК 2002
  • Бородинов Л.Ю.
  • Лопатин В.В.
  • Остроглядов А.В.
  • Попадинец Ф.Ф.
  • Резнев А.А.
  • Сватков А.В.
RU2216822C1
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК ТОКА 2015
  • Ажаева Людмила Анатольевна
  • Грабов Алексей Борисович
  • Суханов Владимир Иванович
  • Суханова Наталья Николаевна
RU2601281C1
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК 2016
  • Ажаева Людмила Анатольевна
  • Грабов Алексей Борисович
  • Суханов Владимир Иванович
  • Суханова Наталья Николаевна
RU2633010C1
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК ТОКА 2013
  • Ажаева Людмила Анатольевна
  • Веселов Андрей Викторович
  • Грабов Алексей Борисович
  • Сергеева Людмила Владимировна
  • Суханов Владимир Иванович
  • Суханова Наталья Николаевна
RU2533747C1
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК 2002
  • Бородинов Л.Ю.
  • Лопатин В.В.
  • Остроглядов А.В.
  • Попадинец Ф.Ф.
  • Резнев А.А.
  • Сватков А.В.
RU2216823C1
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК 2012
  • Ажаева Людмила Анатольевна
  • Веселов Андрей Викторович
  • Грабов Алексей Борисович
  • Касаткин Сергей Иванович
  • Сергеева Людмила Владимировна
  • Суханов Владимир Иванович
RU2495514C1
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК 2014
  • Ажаева Людмила Анатольевна
  • Грабов Алексей Борисович
  • Суханов Владимир Иванович
  • Суханова Наталья Николаевна
RU2561762C1
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК 1998
  • Касаткин С.И.
  • Киселева И.Д.
  • Лопатин В.В.
  • Муравьев А.М.
  • Попадинец Ф.Ф.
  • Сватков А.В.
RU2139602C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛОЖЕНИЯ 1990
  • Юров Алексей Сергеевич
  • Осман Вольдемар Зигмундович
  • Маслов Владимир Васильевич
  • Федюкович Надежда Ивановна
RU2016373C1
УСТРОЙСТВО АВТОНОМНОЙ РЕГИСТРАЦИИ ИМПУЛЬСНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ 2013
  • Гончаров Василий Павлович
  • Молочков Виктор Федорович
  • Филатов Михаил Михайлович
RU2533347C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 553 740 C1

Реферат патента 2015 года СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ПОКАЗАТЕЛЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ ДАТЧИКОВ

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой способ повышения показателя чувствительности магниторезистивных датчиков и предназначено для использования в магнитометрических информационно-измерительных системах. При реализации способа измерительный мост запитывают повышенным питающим напряжением импульсного характера и подмагничивают внешним магнитным полем. Регистрируют напряжение на измерительной диагонали моста магниторезистивного датчика, а напряжение диагонали питания измерительного моста устанавливают в ноль, при этом управление осуществляют посредством управляющих импульсов цифровой системы. 3 ил., 1 табл.

Формула изобретения RU 2 553 740 C1

Способ повышения показателя чувствительности магниторезистивных датчиков, по которому создают подмагничивающее поле и подают питающее напряжение на магниторезистивный датчик, представляющий собой измерительный мост, отличающийся тем, что измерительный мост запитывают повышенным относительно установленного значения питающим напряжением импульсного характера и подмагничивают внешним магнитным полем, которое генерируют плоской катушкой индуктивности, расположенной в непосредственной близости от магниторезистивного датчика и связанной с ним магнитной связью, далее регистрируют напряжение на измерительной диагонали моста магниторезистивного датчика, а напряжение диагонали питания измерительного моста устанавливают в ноль, при этом управление осуществляют посредством управляющих импульсов цифровой системы управления и увеличивают показатель чувствительности за счет увеличения приращения выходного напряжения магниторезистивного датчика.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2015 года RU2553740C1

МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК 2012
  • Ажаева Людмила Анатольевна
  • Веселов Андрей Викторович
  • Грабов Алексей Борисович
  • Касаткин Сергей Иванович
  • Сергеева Людмила Владимировна
  • Суханов Владимир Иванович
RU2495514C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛОЖЕНИЯ 1990
  • Юров Алексей Сергеевич
  • Осман Вольдемар Зигмундович
  • Маслов Владимир Васильевич
  • Федюкович Надежда Ивановна
RU2016373C1
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК 2001
  • Лопатин В.В.
  • Попадинец Ф.Ф.
  • Сватков А.В.
RU2185691C1

RU 2 553 740 C1

Авторы

Воробьев Андрей Владимирович

Заико Александр Иванович

Кильметов Эрнест Айдарович

Даты

2015-06-20Публикация

2014-03-25Подача