ТОНКОПЛЕНОЧНОЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО СО СБАЛАНСИРОВАННЫМИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИМИ ПАРАМЕТРАМИ р- И n-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЕТВЕЙ Российский патент 2016 года по МПК G05D23/30 H05K7/20 G06F1/20 

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, например к устройствам для охлаждения компьютерных процессоров.

Известен способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов [1], в котором используются полупроводниковые ветви p- и n-типа с одинаковыми геометрическими размерами. Однако электрические параметры полупроводников различного типа отличаются и это приводит к различным значениям падения напряжения на ветвях различного типа проводимости. В свою очередь это приводит к тому, что полупроводниковые ветви различного типа не могут достичь оптимальных параметров одновременно, что ухудшает параметры термоэлектрического устройства в целом.

Цель изобретения - повышение эффективности системы охлаждения.

Это достигается тем, что полупроводниковые ветви p- и n-типа изготавливаются в виде параллелепипедов с различными геометрическими размерами.

На фиг.1 представлена конструкция термоэлектрического устройства со сбалансированными электрофизическими параметрами p- и n-полупроводниковых ветвей.

На подложке 1 расположены холодные спаи 2, соединяющиеся с горячими спаями 3 через полупроводники p-типа 4 и n-типа 5. Высота тонкопленочных ветвей и ширина одинакова для полупроводников p- и n-типа, а длина отличается на величину, обратно пропорциональную удельному сопротивлению полупроводниковых материалов различного типа. Топология размещения ветвей зеркальна в четных и нечетных рядах термоэлектрического устройства.

Изготовление термоэлектрического устройства в виде тонкой пленки позволяет значительно уменьшить сопротивление полупроводниковых пленок за счет уменьшения толщины, что приводит к тому, что джоулевые тепловыделения становятся практически несущественными, при этом термоэлектрические явления полностью сохраняются. Кроме того, тепло от источника беспрепятственно кондуктивно проходит в окружающую среду за счет малой толщины пленки и ее высокой теплопроводности. В этих условиях особенно ценно достижение идентичности сопротивлений полупроводниковых ветвей p- и n-типа.

Использование представленного устройства позволит повысить эффективность теплопередачи и значительно уменьшить габариты системы теплоотвода, а также тем самым увеличить интенсивность работы систем охлаждения. Целесообразно размещать тонкопленочное термоэлектрическое устройство со сбалансированными электрофизическими параметрами p- и n-полупроводниковых ветвей между полупроводниковым кристаллом компьютерного процессора и подложкой для интенсификации процесса теплопереноса от нагретых компонентов через подложку и корпус на теплоотвод.

Литература

1. Исмаилов Т.А. Термоэлектрические полупроводниковые устройства и интенсификаторы теплопередачи. - СПб.: Политехника, 2005.

Изобретение относится к системам охлаждения и теплоотвода, в частности к устройствам для охлаждения компьютерных процессоров. Техническим результатом является повышение эффективности системы охлаждения. Тонкопленочное термоэлектрическое устройство со сбалансированными электрофизическими параметрами p- и n-полупроводниковых ветвей выполнено в виде термоэлектрического устройства, причем полупроводниковые ветви p- и n- типа изготавливаются в виде параллелепипедов с различными геометрическими размерами, а сам термомодуль изготовлен в виде тонкой пленки на обратной стороне кристалла компьютерного процессора для интенсификации процесса теплопереноса через подложку на теплоотвод, в результате чего джоулевые тепловыделения становятся практически несущественными, а также достигается идентичность сопротивлений полупроводниковых ветвей. 1 ил.

Тонкопленочное термоэлектрическое устройство со сбалансированными электрофизическими параметрами p- и n-полупроводниковых ветвей, выполненное в виде термоэлектрического устройства, отличающееся тем, что полупроводниковые ветви p- и n-типа изготавливаются в виде параллелепипедов с различными геометрическими размерами, а сам термомодуль изготовлен в виде тонкой пленки на обратной стороне кристалла компьютерного процессора для интенсификации процесса теплопереноса через подложку на теплоотвод, в результате чего джоулевые тепловыделения становятся практически несущественными, а также достигается идентичность сопротивлений полупроводниковых ветвей.