КОМПОЗИЦИЯ ХИМИЧЕСКОГО МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ДЛЯ ПОЛИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ САПФИРА И СПОСОБЫ ЕЕ ПРИМЕНЕНИЯ Российский патент 2018 года по МПК C30B33/00 C30B29/20 C09G1/02 C09K3/14 B24B1/00 B28D5/02 H01L21/461 

Описание патента на изобретение RU2661219C2

Настоящее изобретение относится к композиции химического механического полирования для полирования наружной сапфировой поверхности и к способу полирования сапфировой подложки. Более конкретно, настоящее изобретение относится к способу полирования сапфировой подложки с использованием химической механической полирующей суспензии, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива имеет отрицательный заряд поверхности; и где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм; и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм; пестицид; необязательно, неионный пеногаситель и, необязательно, регулятор pH.

Единственная кристаллическая форма оксида алюминия (сапфира) обладает исключительными оптическими, механическими и химическими свойствами. Как следствие сапфир нашел широкое применение в различных электронных и оптических устройствах.

Сапфир имеет ромбоэдральную кристаллическую структуру и высокую анизотропию. Показываемые свойства зависят от кристаллографической ориентации. Соответственно, сапфировые тонкие пластины, используемые в обработке полупроводников, обычно режут вдоль конкретной кристаллографической оси в зависимости от конечного применения. Например, сапфировые подложки С-плоскости режут вдоль плоскости нулевого градуса. Сапфировые подложки С-плоскости имеют особую применимость в способах, содержащих рост III-V и II-VI соединений (например, GaN для получения голубых светодиодов и лазерных диодов).

Благодаря тому, что последующая обработка (например, металлизация) требует, чтобы сапфировые тонкие пластины имели ровную поверхность, сапфировые тонкие пластины необходимо выравнивать. Выравнивание используется для удаления нежелательной поверхностной топографии и поверхностных дефектов, таких как грубые поверхности, агломерированные материалы, разрушение кристаллической решетки, царапины и испорченные слои и материалы.

Химическое механическое выравнивание, или химическое механическое полирование ((ХМП)(СМР)) является общеизвестной технологией, используемой для выравнивания подложек, таких как полупроводниковые тонкие пластины. В традиционном ХМП тонкая пластина устанавливается на узел держателя и располагается в контакте с полирующей подушкой в ХМП-устройстве. Узел держателя обеспечивает регулируемое давление на тонкую пластину и прижимает ее к полирующей подушке. Подушка перемещается (например, вращается) относительно тонкой пластины внешней движущей силой. Одновременно с этим полирующая композиция («суспензия») или другой полирующий раствор обеспечивается между тонкой пластиной и полирующей подушкой. Таким образом, поверхность тонкой пластины полируется и выравнивается химическим и механическим действием поверхности подушки и суспензии.

Тогда как свойства сапфира обеспечивают множественные преимущества конечных применений, твердость сапфира и его стойкость к химическому воздействию делает сложным эффективное полирование и выравнивание.

Одна полирующая композиция для полирования поверхностей сапфира рассматривается в опубликованной заявке на патент США №20090104851 (Cherian et al.). Последние рассматривают композицию химического механического полирования для полирования сапфира, которая (композиция) содержит смесь первого типа абразивных частиц и второго типа абразивных частиц, диспергированную в водной среде, где первый тип абразивных частиц является тверже полируемой поверхности, а второй тип абразивных частиц имеет твердость, которая является мягче полируемой поверхности.

Другая полирующая композиция для полирования поверхностей сапфира рассматривается в опубликованной заявке на патент США №20060196849 (Moeggenborg et al.). Последние рассматривают композицию и способ полирования сапфировых поверхностей, включающий: полирование сапфировой поверхности, такой как С-плоскость или R-плоскость сапфировой тонкой пластины, полирующей суспензией, содержащей абразивное количество неорганического абразивного материала, такого как коллоидный диоксид кремния, суспендированный в водной среде, содержащей соединение соли, растворенное в ней, где водная среда имеет основный pH и содержит соединение соли в количестве, достаточном для улучшения скорости удаления сапфира по сравнению со скоростью, достигаемой в таких же условиях полирования с использованием такого же неорганического абразива при отсутствии соединения соли.

Тем не менее, сохраняется постоянная потребность в композициях химического механического полирования и способах, предназначенных для обеспечения желаемого баланса свойств полирования, чтобы соответствовать необходимым изменениям разработки, включая высокие скорости удаления сапфира (т.е. ≥14000 Å/ч).

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH>8-12, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: диоксид кремния в качестве абразива, где диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности; и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм; необязательно, пестицид; необязательно, неионный пеногаситель; и, необязательно, рН-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥14000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH>8-12, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: 10-40% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности; и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм; необязательно, пестицид; необязательно, неионный пеногаситель; и, необязательно, pH-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥14000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH>8-12, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности; и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 185 нм; необязательно, пестицид; необязательно, неионный пеногаситель; и, необязательно, pH-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥14000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH>8-12, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-25 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 90-110 нм; где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния; пестицид; 0,2-1,5% масс. неионного пеногасителя, где неионный пеногаситель представляет собой кремнийсодержащий пеногаситель; и, необязательно, pH-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥15000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pY 9-10, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-21 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм; где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния; где химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05% масс. неионного пеногасителя, где неионный пеногаситель представляет собой кремнийсодержащий пеногаситель; пестицид; и, необязательно, pH-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH 9-10, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов: 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 14-16 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм; где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния; где химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05% масс. неионного пеногасителя, где неионный пеногаситель представляет собой кремнийсодержащий пеногаситель; пестицид; и, необязательно, pH-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH 9-10, где химическая механическая полирующая суспензия состоит из коллоидного диоксида кремния в качестве абразива; неионного пеногасителя; пестицида; и необязательно pH-регулятора, где химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-21 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм; где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния; где химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05% масс. неионного пеногасителя, где неионный пеногаситель представляет собой кремнийсодержащий пеногаситель; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает способ полирования сапфировой подложки, который содержит: обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность; обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей pH 9-10, где химическая механическая полирующая суспензия состоит из коллоидного диоксида кремния в качестве абразива; неионного пеногасителя; пестицида; и необязательно pH-регулятора, где химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30% масс. коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 14-16 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм; где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25% масс. первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния; где химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05% масс. неионного пеногасителя, где неионный пеногаситель представляет собой кремнийсодержащий пеногаситель; обеспечение химической механической полирующей подушки; создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки; где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине; и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

Настоящее изобретение предусматривает химическую механическую полирующую суспензию для полирования наружной сапфировой поверхности, которая (суспензия) содержит в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности; и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм; неионный полидиметилсилоксансодержащий пеногаситель; необязательно, пестицид; и, необязательно, pH-регулятор.

Подробное описание изобретения

Заявителем разработана уникальная композиция химического механического полирования и способ полирования сапфира, имеющего наружную сапфировую поверхность, с использованием химической механической полирующей суспензии, которая показывает синергическую скорость удаления сапфира. В частности, Заявителем разработан способ химического механического полирования подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность, с использованием химической механической полирующей суспензии, содержащей коллоидный диоксид кремния в качестве абразива и, необязательно, неионный пеногаситель, где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива имеет многомодальное распределение частиц по размеру, где многомодальное распределение частиц по размеру содержит комбинацию частиц, образующих первый вариант с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и второй вариант со вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм, где комбинация частиц, образующих первый вариант, с частицами, образующими второй вариант, показывает первую скорость удаления сапфира синергически, и где комбинация необязательного неионного пеногасителя с коллоидным диоксидом кремния в качестве абразива, имеющего многомодальное распределение частиц по размеру, показывает вторую скорость удаления сапфира синергически, где химическая механическая полирующая суспензия показывает улучшенную скорость удаления сапфира (т.е. ≥14000 Å/ч) в условиях полирования, как описано здесь в примерах.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения содержит (состоит из) в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива имеет отрицательный заряд поверхности при диспергировании отдельно в деионизированной воде, и где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива показывает многомодальное распределение частиц по размеру (предпочтительно, бимодальное распределение частиц по размеру) с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм); пестицид (предпочтительно, где пестицидом является пероксид водорода); необязательно, неионный пеногаситель (предпочтительно, 0,1-2,0% масс., более предпочтительно, 0,2-1,5% масс., наиболее предпочтительно, 0,45-1,05% масс.) (предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный силиконсодержащий пеногаситель, более предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный полидиметилсилоксансодержащий пеногаситель); и, необязательно, pH-регулятор.

Предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, используемый в химической механической полирующей суспензии для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения, показывает отрицательный заряд поверхности при диспергировании отдельно в деионизированной воде перед объединением с другими компонентами химической механической полирующей суспензии.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения содержит 5-45% масс. (предпочтительно, 10-30% масс., более предпочтительно, 15-25% масс., наиболее предпочтительно, 18-22% масс.) коллоидного диоксида кремния в качестве абразива. Предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива показывает многомодальное распределение частиц по размеру (предпочтительно, бимодальное распределение частиц по размеру) с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм). Более предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 2-25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 75-200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм). Более предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 2-25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 75-200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм), где химическая механическая полирующая суспензия содержит 1-25% масс. (предпочтительно, 1-15% масс., более предпочтительно, 1-10% масс., наиболее предпочтительно, 3-5% масс.) первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения содержит 0,0001-1% масс. пестицида. Более предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,001-0,01% масс. (наиболее предпочтительно, 0,004-0,006% масс.) пестицида. Предпочтительно, где пестицидом является пероксид водорода.

Химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения содержит 0-5% масс. неионного пеногасителя. Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,1-2,0% масс. (более предпочтительно, 0,2-1,5% масс., наиболее предпочтительно, 0,45-1,05% масс.) неионного пеногасителя. Предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный кремнийсодержащий пеногаситель. Более предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный полидиметилсилоксансодержащий пеногаситель (например, силиконсодержащий пеногаситель HS-06 от Senka Corporation).

Предпочтительно, водой, содержащейся в химической механической полирующей суспензии для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения, является, по меньшей мере, одна из деионизированной воды и дистиллированной воды для ограничения случайных примесей.

Химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения обеспечивает действенность свыше pH>8-12. Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия обеспечивает действенность свыше pH 8,5-10,5. Кислоты, подходящие для использования для регулирования рН химической механической полирующей суспензии включают в себя, например, азотную кислоту, серную кислоту и хлористоводородную кислоту. Основания, подходящие для использования для регулирования рН химической механической полирующей суспензии включают в себя, например, гидроксид аммония и гидроксид калия.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности настоящего изобретения показывает скорость удаления сапфира в условиях полирования, как описано здесь в примерах, ≥14000 Å/ч (предпочтительно, ≥15000 Å/ч, более предпочтительно, ≥20000 Å/ч, наиболее предпочтительно, ≥21000 Å/ч).

Подложки, подходящие для использования в способе настоящего изобретения, имеют наружную сапфировую поверхность. Предпочтительно, подложкой, имеющей наружную сапфировую поверхность, является сапфировая тонкая пластина. Предпочтительно, сапфировая тонкая пластина выбрана из сапфировых тонких пластин С-плоскости, сапфировых тонких пластин А-плоскости, сапфировых тонких пластин М-плоскости и сапфировых тонких пластин R-плоскости. Более предпочтительно, подложкой, имеющей наружную сапфировую поверхность, является сапфировая тонкая пластина С-плоскости.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения, содержит (состоит из) в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива имеет отрицательный заряд поверхности при диспергировании отдельно в деионизированной воде, и где коллоидный диоксид кремния в качестве абразива показывает многомодальное распределение частиц по размеру (предпочтительно, бимодальное распределение частиц по размеру) с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм); пестицид (предпочтительно, где пестицидом является пероксид водорода); необязательно, неионный пеногаситель (предпочтительно, 0,1-2,0% масс., более предпочтительно, 0,2-1,5% масс., наиболее предпочтительно, 0,45-1,05% масс.) (предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный силиконсодержащий пеногаситель, более предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный полидиметилсилоксансодержащий пеногаситель); и, необязательно, pH-регулятор; обеспечение химической механической полирующей подушки (предпочтительно, нетканой полирующей подушки, пропитанной полиуретаном); создание динамического контакта на границе раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой, где, по меньшей мере, часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки.

Предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, используемый в способе настоящего изобретения, показывает отрицательный заряд поверхности при диспергировании отдельно в деионизированной воде перед объединением с другими компонентами химической механической полирующей суспензии.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения, содержит 5-45% масс. (предпочтительно, 10-30% масс., более предпочтительно, 15-25% масс., наиболее предпочтительно, 18-22% масс.) коллоидного диоксида кремния в качестве абразива. Предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, используемый в способе настоящего изобретения, показывает многомодальное распределение частиц по размеру (предпочтительно, бимодальное распределение частиц по размеру) с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм). Более предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, используемый в способе настоящего изобретения, представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 2-25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 75-200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм). Наиболее предпочтительно, коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, используемый в способе настоящего изобретения, представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 2-25 нм (предпочтительно, 3-25 нм, более предпочтительно, 10-21 нм, наиболее предпочтительно, 14-16 нм) и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 75-200 нм (предпочтительно, 75-185 нм, более предпочтительно, 75-125 нм, еще более предпочтительно, 90-110 нм, наиболее предпочтительно, 95-105 нм), где химическая механическая полирующая суспензия содержит 1-25% масс. (предпочтительно, 1-15% масс., более предпочтительно, 1-10% масс., наиболее предпочтительно, 3-5% масс.) первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения, содержит 0,0001-1% масс. пестицида. Более предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,001-0,01% масс. (наиболее предпочтительно, 0,004-0,006% масс.) пестицида. Предпочтительно, где пестицидом является пероксид водорода.

Химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения, содержит 0-5% масс. неионного пеногасителя. Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения, содержит 0,1-2,0% масс. (более предпочтительно, 0,2-1,5% масс., наиболее предпочтительно, 0,45-1,05% масс.) неионного пеногасителя. Предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный кремнийсодержащий пеногаситель. Более предпочтительно, где неионным пеногасителем является неионный полидиметилсилоксансодержащий пеногаситель (например, силиконсодержащий пеногаситель HS-06 от Senka Corporation).

Предпочтительно, водой, содержащейся в химической механической полирующей суспензии, используемой в способе химического механического полирования настоящего изобретения, является, по меньшей мере, одна из деионизированной воды и дистиллированной воды для ограничения случайных примесей.

Химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения обеспечивает действенность свыше pH>8-12. Предпочтительно, используемая химическая механическая полирующая суспензия обеспечивает действенность свыше pH 8,5-10,5. Кислоты, подходящие для использования для регулирования pH химической механической полирующей суспензии включают в себя, например, азотную кислоту, серную кислоту и хлористоводородную кислоту. Основания, подходящие для использования для регулирования pH химической механической полирующей суспензии включают в себя, например, гидроксид аммония и гидроксид калия.

Предпочтительно, химическая механическая полирующая суспензия, используемая в способе настоящего изобретения, показывает скорость удаления сапфира в условиях полирования, как описано здесь в примерах, ≥14000 Å/ч (предпочтительно, ≥15000 Å/ч, более предпочтительно, ≥20000 Å/ч, наиболее предпочтительно, ≥21000 Å/ч).

Некоторые варианты настоящего изобретения теперь описываются подробно в последующих примерах.

Примеры

Рецептуры химической механической полирующей суспензии

Испытанные рецептуры химической механической полирующей суспензии ((ХМПС)(CMPS)) представлены в таблице 1. Химические механические полирующие суспензии С1-С26 являются сравнительными рецептурами, которые не входят в объем патентуемого изобретения.

Эксперименты по полированию

Химические механические полирующие суспензии (ХМПС), представленные в таблице 1, испытывают с использованием установки шлифовально-полировальный станок/шпиндельная головка Buehler EcoMet® 300/AutoMet® c 5 дюйм (127 мм) единственной головкой и 12 дюйм (305 мм) размером стола и полирующей подушкой SubaТМ 600 (поставщик - Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.), имеющей образец X-Y-канавки с шириной 2,5 мм, шагом 15,75 мм и глубиной 0,8 мм; под усилием вниз 34,3 кПа, со скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 м/мин, скоростью стола 120 об/мин и скоростью держателя 120 об/мин. Сапфировые тонкие пластины (4 дюйм (102 мм) С-плоскость) от Monocrystal сначала шлифуют алмазом с одной стороны до средней неровности поверхности 5 нм, а затем полируют в указанных условиях. Полирующую подушку поддерживают кондиционированной с использованием полиамидной щетки. Результаты скорости удаления сапфира с использованием ХМПС, идентифицированных в таблице 1 (С1-С26 и 1-12), представлены в таблице 2 (РС1-PC26 и Р1-Р12, соответственно). Данные по скорости удаления сапфира, представленные в таблице 2, определяют сравнением массы тонких пластин до и после полирования и преобразованием в скорость удаления поверхности. Полированные тонкие пластины подвергают обработке ультразвуком в деионизированной воде в течение 30 с и продувке сухим азотом перед взвешиванием.

Похожие патенты RU2661219C2

название год авторы номер документа
АБРАЗИВ ИЗ ОКСИДА ЦЕРИЯ И СПОСОБ ПОЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК 1997
  • Йошида Масато
  • Ашидзава Тараносуке
  • Терасаки Хироки
  • Курата Ясуши
  • Мацудзава Дзюн
  • Танно Кийохито
  • Оотуки Юуто
RU2178599C2
ПОЛИРОВАЛЬНАЯ СУСПЕНЗИЯ ДЛЯ САПФИРОВЫХ ПОДЛОЖЕК 2017
  • Максютин Александр Сергеевич
  • Зотов Николай Александрович
RU2635132C1
ПОЛИРУЮЩИЙ СОСТАВ 2012
  • Моринага, Хитоси
  • Асано, Хироси
  • Серикава, Масаюки
RU2620836C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА SiGe В ПРИСУТСТВИИ ХМП (ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВАЛЬНОЙ) КОМПОЗИЦИИ, ВКЛЮЧАЮЩЕЙ СПЕЦИАЛЬНОЕ ОРГАНИЧЕСКОЕ СОЕДИНЕНИЕ 2012
  • Ноллер Бастиан Мартен
  • Дрешер Беттина
  • Жилло Кристоф
  • Ли Южуо
RU2605941C2
СПОСОБ ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ 2011
  • Андреев Вячеслав Михайлович
  • Кудряшов Дмитрий Александрович
  • Мизеров Михаил Николаевич
  • Пушный Борис Васильевич
RU2457574C1
ВОДНАЯ ПОЛИРУЮЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ И СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК, СОДЕРЖАЩИХ ПЛЕНКИ ДИЭЛЕКТРИКА ОКСИДА КРЕМНИЯ И ПОЛИКРЕМНИЯ 2011
  • Ли Южуо
  • Чу Джеа-Джу
  • Венкатараман Шиам Сундар
  • Чиу Вей Лан Уиллиам
  • Пиндер Харви Уэйн
RU2573672C2
ВОДНАЯ ПОЛИРУЮЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ И СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ, МЕХАНИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ 2011
  • Ли Южуо
  • Чу Джеа-Джу
  • Венкатараман Шиам Сундар
  • Усман Ибрахим Шейк Ансар
  • Пиндер Харви Уэйн
RU2607214C2
ВОДНАЯ ПОЛИРУЮЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ И СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК, СОДЕРЖАЩИХ ПЛЕНКИ НА ОСНОВЕ ОКСИДКРЕМНИЕВОГО ДИЭЛЕКТРИКА И НА ОСНОВЕ ПОЛИКРЕМНИЯ 2011
  • Венкатараман Шиам Сундар
  • Су Исон Юй-Шен
  • Кингма Аренд Йоукэ
  • Ноллер Бастиан Мартен
RU2588620C2
САПФИРОВАЯ ПОДЛОЖКА (ВАРИАНТЫ) 2007
  • Таникелла Брахманандам В.
  • Симпсон Мэтью А.
  • Чиннакаруппан Паланиаппан
  • Риззуто Роберт А.
  • Чериан Исаак К.
  • Ведантам Рамануджам
RU2414550C1
ПОЛИРУЮЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ 2012
  • Асано Хироси
  • Тамаи Кадзусеи
  • Окада Ясунори
RU2591152C2

Реферат патента 2018 года КОМПОЗИЦИЯ ХИМИЧЕСКОГО МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ДЛЯ ПОЛИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ САПФИРА И СПОСОБЫ ЕЕ ПРИМЕНЕНИЯ

Изобретение относится к композиции химического механического полирования для обработки наружной сапфировой поверхности и способу полирования сапфировой подложки. Предлагается способ полирования наружной сапфировой подложки с использованием полирующей суспензии, содержащей в качестве исходных компонентов: коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности и где коллоидный диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм. Полирующая суспензия может дополнительно содержать пестицид, или неионный пеногаситель, или pH-регулятор. Изобретение обеспечивает высокую скорость выравнивания поверхности сапфировых пластин (подложек), в результате чего удаляются поверхностные дефекты, царапины, испорченные слои. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 табл.

Формула изобретения RU 2 661 219 C2

1. Способ полирования сапфировой подложки, включающий:

обеспечение подложки, имеющей наружную сапфировую поверхность;

обеспечение химической механической полирующей суспензии, имеющей рН>8-12, где химическая механическая полирующая суспензия содержит в качестве исходных компонентов:

диоксид кремния в качестве абразива, где диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм;

обеспечение химической механической полирующей подушки;

создание динамического контакта на поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой; и

распределение химической механической полирующей суспензии на химической механической полирующей подушке или вблизи поверхности раздела между химической механической полирующей подушкой и подложкой,

в котором по меньшей мере часть сапфира удаляется с наружной сапфировой поверхности подложки, где химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥14000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине и где химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую полирующую подушку, пропитанную полиуретаном.

2. Способ по п.1, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 5-40 мас.% коллоидного диоксида кремния в качестве абразива.

3. Способ по п.1, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 2-25 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 75-185 нм.

4. Способ по п.3, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25 мас.% первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния.

5. Способ по п.1, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30 мас.% коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-25 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 90-110 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25 мас.% первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,2-1,5 мас.% неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥15000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.

6. Способ по п.1, в котором химическая механическая полирующая суспензия имеет рН 9-10, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30 мас.% коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-21 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25 мас.% первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05 мас.% неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.

7. Способ по п.1, в котором химическая механическая полирующая суспензия имеет рН 9-10, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30 мас.% коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 14-16 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25 мас.% первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05 мас.% неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.

8. Способ по п.1, в котором химическая механическая полирующая суспензия имеет рН 9-10, в котором химическая механическая полирующая суспензия состоит из коллоидного диоксида кремния в качестве абразива; пестицида; неионного пеногасителя; и, необязательно, регулятора рН; в котором механическая полирующая суспензия содержит 10-30 мас.% коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 10-21 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25 мас.% первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05 мас.% неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.

9. Способ по п.1, в котором химическая механическая полирующая суспензия имеет рН 9-10, в котором химическая механическая полирующая суспензия состоит из коллоидного диоксида кремния в качестве абразива; пестицида; неионного пеногасителя; и, необязательно, регулятора рН, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 10-30 мас.% коллоидного диоксида кремния в качестве абразива, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива представляет собой смесь первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 14-16 нм, и второй популяции частиц коллоидного диоксида кремния, имеющей средний размер частиц 95-105 нм, в котором коллоидный диоксид кремния в качестве абразива содержит 1-25 мас.% первой популяции частиц коллоидного диоксида кремния, в котором химическая механическая полирующая суспензия содержит 0,45-1,05 мас.% неионного пеногасителя, где неионным пеногасителем является кремнийсодержащий пеногаситель, в котором химическая механическая полирующая суспензия показывает скорость удаления сапфира ≥20000 Å/ч со скоростью стола 120 об/мин, скоростью держателя 120 об/мин, скоростью потока химической механической полирующей суспензии 400 мл/мин, номинальным усилием вниз 34,3 кПа на 300 мм полировочной машине и в котором химическая механическая полирующая подушка представляет собой нетканую подушку, пропитанную полиуретаном.

10. Химическая механическая полирующая суспензия для полирования наружной сапфировой поверхности, содержащая в качестве исходных компонентов:

коллоидный диоксид кремния в качестве абразива, где коллоидный диоксид кремния имеет отрицательный заряд поверхности; и где диоксид кремния имеет многомодальное распределение частиц по размеру с первым максимумом размера частиц между 2 и 25 нм и вторым максимумом размера частиц между 75 и 200 нм.

11. Способ по п.1, где химическая механическая полирующая суспензия дополнительно содержит пестицид, или неионный пеногаситель, или рН-регулятор, где

неионный пеногаситель представляет собой пеногаситель, содержащий полидиметилсилоксан;

пестицид представляет собой пероксид водорода; и

рН-регулятор представляет собой гидроксид натрия.

12. Химическая механическая полирующая суспензия по п.10, которая дополнительно содержит пестицид, или неионный пеногаситель, или рН-регулятор, где

неионный пеногаситель представляет собой пеногаситель, содержащий полидиметилсилоксан;

пестицид представляет собой пероксид водорода; и

рН-регулятор представляет собой гидроксид натрия.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2018 года RU2661219C2

NIU XIN-HUAN et al
Method of surface treatment on sapphire substrate, "Transactions of Nonferrous Metals Society of China", 2006, Vol.16, No.2, pp
БУФЕРНЫЙ ТОРМАЗ 1922
  • Гусев Г.Ф.
SU732A1
JP 5098483 В2, 12.12.2012
ZONE-CHING LIN et al
A study of material removal amount of sapphire wafer in application of chemical mechanical polishing with different polishing pads, "Journal of Mechanical Science and Technology", 2012, Vol
Прибор для получения стереоскопических впечатлений от двух изображений различного масштаба 1917
  • Кауфман А.К.
SU26A1
Прибор для хронометрирования работ золотопромывательных драг 1925
  • Юрин В.М.
SU2353A1

RU 2 661 219 C2

Авторы

Бьюлик Аллен С.

Нисизава Хидеаки

Морияма Казуки

Йосида Коити

Езава Сундзи

Арумугам Селванатхан

Даты

2018-07-13Публикация

2014-08-19Подача