ПОДЛОЖКА УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ, СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО Российский патент 2018 года по МПК H01L27/32 

ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА РОДСТВЕННЫЕ ЗАЯВКИ

[0001] Настоящая заявка основана на китайской заявке на патент 201610957966.3, поданной 27 октября 2016г., и приоритет испрашивается по ней, все содержание которой включено в настоящее описание посредством ссылки.

Область техники, к которой относится изобретение

[0002] Настоящее раскрытие, в целом, относится к области технологии терминала и, более конкретно, к подложке устройства отображения, к способу ее изготовления и к электронному устройству.

Предшествующий уровень техники

[0003] Функции считывания касания применяются все более и более широко, конструкции электродов считывания касания для распознавания операции касания также становятся все более и более разнообразными, таким образом, чтобы обеспечиваться в разных позициях устройства отображения. Однако в настоящее время большинство электродов считывания касания по-прежнему изготавливается независимо от устройства отображения и уровень интеграции электродов считывания касания с устройством отображения является низким, что дает в результате громоздкий технологический процесс и большой объем изделия.

Сущность изобретения

[0004] Настоящее раскрытие предоставляет подложку устройства отображения, способ ее изготовления и электронное устройство, чтобы преодолеть недостатки в родственной области техники.

[0005] Согласно первому аспекту вариантов осуществления настоящего раскрытия, предоставлена подложка устройства отображения, включающая в себя:

[0006] основание,

[0007] тонкопленочный транзистор, сформированный на стороне основания,

[0008] органический светоизлучающий слой, сформированный на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания, и

[0009] слой электродов считывания касания, сформированный в органическом светоизлучающем слое.

[0010] Органический светоизлучающий слой, в необязательном порядке, включает в себя:

[0011] анодный слой, сформированный на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания,

[0012] слой инжекции дырок, сформированный на стороне анодного слоя, на удалении от тонкопленочного транзистора,

[0013] слой переноса дырок, сформированный на стороне слоя инжекции дырок на удалении от анодного слоя,

[0014] слой органического материала, сформированный на стороне слоя переноса дырок на удалении от слоя инжекции дырок,

[0015] слой переноса электронов, сформированный на стороне слоя органического материала на удалении от слоя переноса дырок,

[0016] слой инжекции электронов, сформированный на стороне слоя переноса электронов на удалении от слоя органического материала, и

[0017] катодный слой, сформированный на стороне слоя инжекции электронов на удалении от слоя переноса электронов.

[0018] Слой электродов считывания касания, в необязательном порядке, формируется между анодным слоем и слоем инжекции дырок или между слоем инжекции дырок и слоем переноса дырок, или между слоем переноса дырок и слоем органического материала, или между слоем органического материала и слоем переноса электронов, или между слоем переноса электронов и слоем инжекции электронов, или между слоем инжекции электронов и катодным слоем.

[0019] Подложка устройства отображения, в необязательном порядке, дополнительно включает в себя:

[0020] изолирующий слой, расположенный между слоем электродов считывания касания и структурой слоя, смежной со слоем электродов считывания касания.

[0021] Слой электродов считывания касания, в необязательном порядке, является конденсатором самоиндукции.

[0022] Согласно второму аспекту вариантов осуществления настоящего раскрытия, предоставлен способ изготовления подожки устройства отображения, включающий в себя:

[0023] формирование тонкопленочного транзистора на основании,

[0024] формирование органического светоизлучающего слоя на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания, и

[0025] причем, когда органический светоизлучающий слой сформирован, формирование слоя электродов считывания касания в органическом светоизлучающем слое.

[0026] Формирование органического светоизлучающего слоя на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания, в необязательном порядке, включает в себя:

[0027] формирование анодного слоя на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания,

[0028] формирование слоя инжекции дырок на стороне анодного слоя на удалении от тонкопленочного транзистора,

[0029] формирование слоя переноса дырок на стороне слоя инжекции дырок на удалении от анодного слоя,

[0030] формирование слоя органического материала на стороне слоя переноса дырок на удалении от слоя инжекции дырок,

[0031] формирование слоя переноса электронов на стороне слоя органического материала на удалении от слоя переноса дырок,

[0032] формирование слоя инжекции электронов на стороне слоя переноса электронов на удалении от слоя органического материала, и

[0033] формирование катодного слоя на стороне инжекции электронов на удалении от слоя переноса электронов.

[0034] Формирование слоя электродов считывания касания в органическом светоизлучающем слое, в необязательном порядке, включает в себя:

[0035] формирование слоя электродов считывания касания между анодным слоем и слоем инжекции дырок или

[0036] формирование слоя электродов считывания касания между слоем инжекции дырок и слоем переноса дырок, или

[0037] формирование слоя электродов считывания касания между слоем переноса дырок и слоем органического материала, или

[0038] формирование слоя электродов считывания касания между слоем органического материала и слоем переноса электронов, или

[0039] формирование слоя электродов считывания касания между слоем переноса электронов и слоем инжекции электронов или

[0040] формирование слоя электродов считывания касания между слоем инжекции электронов и катодным слоем.

[0041] Вышеупомянутый способ изготовления, в необязательном порядке, дополнительно включает в себя:

[0042] формирование изолирующего слоя между слоем электродов считывания касания и структурой слоя, смежной со слоем электродов считывания касания.

[0043] Слой электродов считывания касания, в необязательном порядке, является конденсатором самоиндукции.

[0044] Согласно третьему аспекту вариантов осуществления настоящего раскрытия, предоставлено электронное устройство, включающее в себя:

[0045] процессор и

[0046] память для сохранения инструкций, выполняемых процессором,

[0047] причем электронное устройство дополнительно включает в себя подложку устройства отображения, включающую в себя:

[0048] основание,

[0049] тонкопленочный транзистор, сформированный на стороне основания,

[0050] органический светоизлучающий слой, сформированный на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания, и

[0051] слой электродов считывания касания, сформированный в органическом светоизлучающем слое.

[0052] Техническая схема согласно вариантам осуществления настоящего раскрытия может иметь следующие преимущественные результаты.

[0053] Посредством вышеупомянутых вариантов осуществления настоящего раскрытия слой электродов считывания касания формируется в органическом светоизлучающем слое, что может увеличить уровень интеграции подложки устройства отображения. Кроме того, поскольку область органического светоизлучающего слоя может устанавливаться большей или даже органический светоизлучающий слой может располагаться непосредственно над тонкопленочным транзистором, и, таким образом, слой электродов считывания касания формируется в органическом светоизлучающем слое, что облегчает установку большего слоя электродов считывания касания и дополнительно считывает сигналы касания в большем диапазоне.

[0054] Следует понимать, что, как предыдущее общее описание, так и следующее подробное описание являются только иллюстративными и пояснительными, а не ограничительными настоящего раскрытия.

Краткое описание чертежей

[0055] Сопровождающие чертежи, которые включены в эту спецификацию и составляют ее часть, иллюстрируют варианты осуществления, согласующиеся с настоящим раскрытием, и вместе с описанием служат, чтобы объяснять принципы настоящего раскрытия.

[0056] Фиг.1 - схематическая диаграмма, изображающая подложку устройства отображения согласно иллюстративному варианту осуществления.

[0057] Фиг.2 - схематическая диаграмма, изображающая органический светоизлучающий слой согласно иллюстративному варианту осуществления.

[0058] Фиг.3 - схематическая диаграмма, изображающая органический светоизлучающий слой согласно другому иллюстративному варианту осуществления.

[0059] Фиг.4 - блок-схема последовательности этапов, изображающая способ изготовления подложки устройства отображения согласно иллюстративному варианту осуществления.

[0060] Фиг.5 - блок-схема последовательности этапов, изображающая способ изготовления подложки устройства отображения согласно другому иллюстративному варианту осуществления.

[0061] Фиг.6 - блок-схема последовательности этапов, изображающая способ изготовления подложки устройства отображения согласно еще одному иллюстративному варианту осуществления.

[0062] Фиг.7 - схематическая диаграмма, изображающая устройство отображения согласно иллюстративному варианту осуществления.

Подробное описание вариантов осуществления

[0063] Теперь будет сделана ссылка подробно на иллюстративные варианты осуществления, примеры которых проиллюстрированы на сопровождающих чертежах. Следующее описание ссылается на сопровождающие чертежи, на которых одинаковые номера на разных чертежах представляют одинаковые или подобные элементы, если не представлено иначе. Осуществления, приведенные в следующем описании иллюстративных вариантов осуществления, не представляют все осуществления, согласующиеся с настоящим раскрытием. Вместо этого они являются только примерами устройств и способов, согласующихся с аспектами, связанными с настоящим раскрытием, как перечислено в прилагаемой формуле изобретения.

[0064] Фиг.1 - схематическая диаграмма, изображающая подложку устройства отображения согласно иллюстративному варианту осуществления. Как изображено на фиг.1, подложка устройства отображения включает в себя: основание 1, тонкопленочный транзистор 2, органический светоизлучающий слой 3 и слой 4 электродов считывания касания.

[0065] В варианте осуществления материал основания может быть стеклом. Когда подложка устройства отображения применяется в гибком устройстве отображения, материал основания может быть гибким полимером.

[0066] Тонкопленочный транзистор 2 формируется на стороне основания 1.

[0067] В варианте осуществления, как изображено на фиг.2, тонкопленочный транзистор 2 может включать в себя структуры, такие как электрод 21 затвора, активный слой 22 и электрод 23 истока и электрод 24 стока. Изолирующий слой 5 затвора может также обеспечиваться между электродом 21 затвора и активным слоем 22.

[0068] Органический светоизлучающий слой 3 формируется на стороне тонкопленочного транзистора 2 на удалении от основания 1.

[0069] В варианте осуществления органический светоизлучающий слой, формирующийся на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания, означает, что органический светоизлучающий слой формируется после того, как формируется тонкопленочный транзистор. Слой 6 пассивации может обеспечиваться между органическим светоизлучающим слоем 3 и тонкопленочным транзистором 2. Органический светоизлучающий слой 3 электрически соединяется с тонкопленочным транзистором через сквозное отверстие в слое 6 пассивации. В варианте осуществления тонкопленочный транзистор может формироваться с помощью процесса формирования рельефа, а органический светоизлучающий слой может формироваться с помощью процесса вакуумного осаждения.

[0070] Следует заметить, что на фиг.1 соотношение между размерами и позициями органического светоизлучающего слоя и тонкопленочного транзистора является только примером, который может уточняться при необходимости. Например, область органического светоизлучающего слоя увеличивается, таким образом, что органический светоизлучающий слой также располагается над тонкопленочным транзистором. Кроме того, слой определения пикселей может также обеспечиваться между подпикселями (субпикселями), составленными органическим светоизлучающим слоем, что не будет повторяться в настоящем раскрытии.

[0071] Слой 4 электродов считывания касания формируется в органическом светоизлучающем слое 3.

[0072] В варианте осуществления органический светоизлучающий слой может включать в себя многослойную структуру, и слой электродов считывания касания может формироваться между двумя смежными слоями среди многослойной структуры. В варианте осуществления слой электродов считывания касания может формироваться с помощью процесса формирования рельефа, и проводка, электрически соединенная со слоем электродов считывания касания, может формироваться в подложке устройства отображения, что не будет повторяться в настоящем описании.

[0073] В варианте осуществления слой электродов считывания касания может формироваться в органическом светоизлучающем слое, что может увеличить уровень интеграции подложки устройства отображения. Кроме того, поскольку область органического светоизлучающего слоя может устанавливаться большей, или даже органический светоизлучающий слой может располагаться непосредственно над тонкопленочным транзистором и, таким образом, слой электродов считывания касания формируется в органическом светоизлучающем слое, что облегчает установку слоя электродов считывания касания большего размера, и дополнительно считывает сигналы касания в большом диапазоне.

[0074] Фиг.2 - схематическая диаграмма, изображающая органический светоизлучающий слой согласно иллюстративному варианту осуществления. Органический светоизлучающий слой включает в себя:

[0075] анодный слой 31, сформированный на стороне тонкопленочного транзистора 2 на удалении от основания,

[0076] слой 32 инжекции дырок, сформированный на стороне анодного слоя 31, на удалении от тонкопленочного транзистора 2,

[0077] слой 33 переноса дырок, сформированный на стороне слоя 32 инжекции дырок на удалении от анодного слоя 31,

[0078] слой 34 органического материала, сформированный на стороне слоя 33 переноса дырок на удалении от слоя 32 инжекции дырок,

[0079] слой 35 переноса электронов, сформированный на стороне слоя 34 органического материала на удалении от слоя 33 переноса дырок,

[0080] слой 36 инжекции электронов, сформированный на стороне слоя 35 переноса электронов на удалении от слоя 34 органического материала, и

[0081] катодный слой 37, сформированный на стороне слоя 36 инжекции электронов на удалении от слоя 35 переноса электронов.

[0082] Слой электродов считывания касания, в необязательном порядке, формируется между анодным слоем и слоем инжекции дырок или между слоем инжекции дырок и слоем переноса дырок, или между слоем переноса дырок и слоем органического материала, или между слоем органического материала и слоем переноса электронов, или между слоем переноса электронов и слоем инжекции электронов, или между слоем инжекции электронов и катодным слоем.

[0083] В варианте осуществления, как изображено на фиг.2, слой 4 электродов считывания касания может располагаться между слоем 32 инжекции дырок и слоем 33 переноса дырок. Конкретная позиция слоя электродов считывания касания может устанавливаться, как требуется. В варианте осуществления положительное напряжение может подаваться в катодный слой, таким образом, формируя прохождение тока из анодного слоя в катодный слой. Электроны из катодного слоя последовательно проходят через слой инжекции электронов, слой переноса электронов, слой органического материала, слой переноса дырок, слой инжекции дырок, достигает анодного слоя и возбуждает органический материал в слое органического материала с возможностью излучения света, когда электроны проходят через слой органического материала.

[0084] В варианте осуществления слои органического материала во всех подпикселях излучают белый свет, когда возбуждаются. Цветовой фильтр, такой как красный фильтр, зеленый фильтр и синий фильтр, требуется обеспечить в подложке, расположенной в соответствующей подложке устройства отображения, таким образом, что световые излучения, испускаемые из подпикселей, соответствующих фильтрам с разными цветами, являются разными по цвету, и, таким образом, цвет излучения света соответствующего пикселя может изменяться с помощью регулирования интенсивности излучения света подпикселя.

[0085] В варианте осуществления слои органического материала в разных подпикселях испускают световые излучения с разным цветами, когда возбуждаются, например, они могут излучать красный свет, зеленый свет и светло-синий свет, соответственно, таким образом, что световые излучения, испускаемые из разных подпикселей, являются разными по цвету и, таким образом, цвет излучения света соответствующего пикселя может изменяться с помощью регулирования интенсивности излучения света подпикселя.

[0086] В варианте осуществления, если подложка устройства отображения применяется в устройстве отображения с конструкцией излучения снизу, анод может формироваться с помощью прозрачного проводящего материала, а катод может формироваться с помощью проводящего материала с высоким коэффициентом отражения, таким образом, что свет может излучаться снизу. Если подложка устройства отображения применяется в устройстве отображения с конструкцией излучения сверху, катод может формироваться с помощью прозрачного проводящего материала, а анод может формироваться с помощью проводящего материала с высоким коэффициентом отражения, таким образом, что свет может излучаться сверху. В варианте осуществления прозрачный проводящий материал может быть ITO (оксид индия-олова), и проводящий материал с высоким коэффициентом отражения может быть металлом, таким как алюминий или серебро.

[0087] Фиг.3 - схематическая диаграмма, изображающая органический светоизлучающий слой согласно другому иллюстративному варианту осуществления.

[0088] Изолирующий слой 7 расположен между слоем 4 электродов считывания касания и структурой слоя, смежной со слоем 4 электродов считывания касания.

[0089] В варианте осуществления, например, на основе фиг.2, изолирующий слой может обеспечиваться между слоем 4 электродов считывания касания и слоем 32 инжекции дырок, и между слоем 4 электродов считывания касания и слоем 33 переноса дырок. Поскольку имеются электроны, проходящие из катодного слоя в анодный слой в соответственных структурах слоев в органическом светоизлучающем слое, и электроны могут оставаться в структуре слоя, смежной со слоем электродов считывания касания, таким образом, сигналы касания, сгенерированные слоем электродов считывания касания, могут нарушаться. Изолирующий слой обеспечивается между слоем электродов считывания касания и структурой слоя, смежной к нему, таким образом, что на слой электродов считывания касания могут меньше влиять другие структуры слоев, таким образом, точность считывания операции касания электрода считывания касания может улучшаться.

[0090] Слой электродов считывания касания, в необязательном порядке, является конденсатором самоиндукции.

[0091] В варианте осуществления, когда пользователь касается устройства отображения, в котором применяется вышеупомянутая подложка устройства отображения, катодный слой будет расположен между пальцем и слоем электродов считывания касания, таким образом, генерируя эффект экранирования относительно сигнала касания, сгенерированного считыванием слоя электродов считывания касания. Интенсивность сигналов касания, сгенерированных конденсатором самоиндукции, считывающим операцию касания, является большой, который является более проводящим, чтобы получать точные результаты касания.

[0092] Соответственно вышеупомянутым вариантам осуществления подложки устройства отображения, настоящее раскрытие дополнительно предоставляет варианты осуществления для изготовления подложки устройства отображения.

[0093] Фиг.4 - блок-схема последовательности этапов, изображающая способ изготовления подложки устройства отображения согласно иллюстративному варианту осуществления. Как изображено на фиг.4, способ включает в себя следующие этапы.

[0094] На этапе S41 тонкопленочный транзистор формируется на основании.

[0095] На этапе S42 органический светоизлучающий слой формируется на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания.

[0096] На этапе S43, когда органический светоизлучающий слой сформирован, слой электродов считывания касания формируется в органическом светоизлучающем слое.

[0097] Фиг.5 - блок-схема последовательности этапов, изображающая способ изготовления подложки устройства отображения согласно другому иллюстративному варианту осуществления. На основе варианта осуществления, как изображено на фиг.4, формирование органического светоизлучающего слоя на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания включает в себя следующие этапы.

[0098] На этапе S421 анодный слой формируется на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания.

[0099] На этапе S422 слой инжекции дырок формируется на стороне анодного слоя на удалении от тонкопленочного транзистора.

[00100] На этапе S423 слой переноса дырок формируется на стороне слоя инжекции дырок на удалении от анодного слоя.

[00101] На этапе S424 слой органического материала формируется на стороне слоя переноса дырок на удалении от слоя инжекции дырок

[00102] На этапе S425 слой переноса электронов формируется на стороне слоя органического материала на удалении от слоя переноса дырок.

[00103] На этапе S426 слой инжекции электронов формируется на стороне слоя переноса электронов на удалении от слоя органического материала.

[00104] На этапе S427 катодный слой формируется на стороне инжекции электронов на удалении от слоя переноса электронов.

[00105] Формирование слоя электродов считывания касания в органическом светоизлучающем слое, в необязательном порядке, включает в себя:

[00106] формирование слоя электродов считывания касания между анодным слоем и слоем инжекции дырок или

[00107] формирование слоя электродов считывания касания между слоем инжекции дырок и слоем переноса дырок, или

[00108] формирование слоя электродов считывания касания между слоем переноса дырок и слоем органического материала, или

[00109] формирование слоя электродов считывания касания между слоем органического материала и слоем переноса электронов, или

[00110] формирование слоя электродов считывания касания между слоем переноса электронов и слоем инжекции электронов или

[00111] формирование слоя электродов считывания касания между слоем инжекции электронов и катодным слоем.

[00112] Фиг.6 - блок-схема последовательности этапов, изображающая способ изготовления подложки устройства отображения согласно еще одному иллюстративному варианту осуществления. На основе варианта осуществления, как изображено на фиг.5, вышеупомянутый способ изготовления дополнительно включает в себя:

[00113] на этапе S44 формирование изолирующего слоя между слоем электродов считывания касания и структурой слоя, смежной слою электродов считывания касания.

[00114] Следует заметить, что последовательность выполнения этапов вышеописанного способа изготовления может регулироваться по мере необходимости. Например, этап S43 может выполняться между этапом S422 и этапом S423, и этап S44 может выполняться между этапом S422 и этапом S44, и этапом S423 и этапом S44.

[00115] Слой электродов считывания касания, в необязательном порядке, является конденсатором самоиндукции.

[00116] Относительно способа изготовления согласно вышеупомянутым вариантам осуществления, конкретные способы всех этапов были детализированы в вариантах осуществления связанной подложки устройства отображения, что не будет описано повторно в настоящей заявке.

[00117] Фиг.7 - схематическая диаграмма, изображающая устройство 700 отображения согласно иллюстративному варианту осуществления. Например, устройство 700 может быть мобильным телефоном, компьютером, цифровым широковещательным терминалом, устройством обмена сообщениями, игровой консолью, планшетным устройством, медицинским устройством, тренировочным оборудованием, персональным цифровым ассистентом и тому подобным.

[00118] Ссылаясь на фиг.7, устройство 700 может включать в себя один или более из следующих компонентов: компонент 702 обработки, память 704, компонент 706 питания, компонент 708 мультимедиа, аудио компонент 710, интерфейс 712 ввода/вывода (I/O), компонент 714 датчика и компонент 716 связи.

[00119] Компонент 702 обработки обычно управляет общими операциями устройства 700, такими как операции, ассоциированные с отображением, телефонными вызовами, передачами данных, операциями камеры и операциями записи. Компонент 702 обработки может включать в себя один или более процессоров 720, чтобы выполнять инструкции. Кроме того, компонент 702 обработки может включать в себя один или более модулей, которые облегчают взаимодействие между компонентом 702 обработки и другими компонентами. Например, компонент 702 обработки может включать в себя модуль мультимедиа, чтобы облегчать взаимодействие между компонентом 708 мультимедиа и компонентом 702 обработки.

[00120] Память 704 сконфигурирована с возможностью сохранения различных типов данных, чтобы поддерживать работу устройства 700. Примеры таких данных включают в себя инструкции для любых приложений или способов, управляемых в устройстве 700, контактные данные, данные телефонной книги, сообщения, изображения, видео и т.д. Память 704 может осуществляться с использованием любого типа энергозависимых или энергонезависимых устройств памяти или их комбинации, такого как статическая память произвольного доступа (SRAM), электрически стираемая программируемая постоянная память (EEPROM), стираемая программируемая постоянная память (EPROM), программируемая постоянная память (PROM), постоянная память (ROM), магнитная память, флэш-память, магнитный или оптический диск.

[00121] Компонент 706 питания подает питание в различные компоненты устройства 700. Компонент 706 питания может включать в себя систему управления питанием, один или более источников питания и любые другие компоненты, ассоциированные с генерацией, управлением и распределением питания в устройстве 700.

[00122] Компонент 708 мультимедиа включает в себя экран, обеспечивающий интерфейс вывода между устройством 700 и пользователем. В некоторых вариантах осуществления экран может включать в себя жидкокристаллический дисплей (LCD) и сенсорную панель (ТР) (панель считывания касания). Если экран включает в себя сенсорную панель, экран может осуществляться как сенсорный экран (экран считывания касания), чтобы принимать входные сигналы от пользователя. Сенсорная панель включает в себя один или более датчиков касания, чтобы считывать касания, скольжения и жесты на сенсорной панели. Датчики касания могут не только считывать границу действия касания или скольжения, но также считывают период времени и давление, ассоциированные с действием касания или скольжения. В некоторых вариантах осуществления компонент 708 мультимедиа включает в себя переднюю камеру и/или заднюю камеру. Передняя камера и/или задняя камера могут принимать внешний элемент данных мультимедиа, когда устройство 700 находится в рабочем режиме, таком как режим фотографирования или режим видео. Каждая из передней камеры и задней камеры может быть системой с фиксированным оптическим объективом или может иметь функциональные возможности фокусировки и оптического масштабирования.

[00123] Аудио компонент 710 сконфигурирован с возможностью вывода и/или ввода аудио сигналов. Например, аудио компонент 710 включает в себя микрофон (MIC), сконфигурированный с возможностью приема внешнего аудио сигнала, когда устройство 700 находится в рабочем режиме, таком как режим вызова, режим записи и режим распознавания речи. Принятый аудио сигнал может дополнительно сохраняться в памяти 704 или передаваться с помощью компонента 716 связи. В некоторых вариантах осуществления аудио компонент 710 дополнительно включает в себя громкоговоритель, чтобы выводить аудио сигналы.

[00124] Интерфейс 712 I/O обеспечивает интерфейс между компонентом 702 обработки и модулями периферийного интерфейса, такими как клавиатура, колесико мыши выбора щелчком, кнопки, и тому подобные. Кнопки могут включать в себя, но не ограничены, кнопку возврата в исходное положение, кнопку уровня громкости, кнопку запуска и кнопку блокировки.

[00125] Компонент 714 датчика включает в себя один или более датчиков, чтобы предоставлять оценки состояния различных аспектов устройства 700. Например, компонент 714 датчика может обнаруживать открытое/закрытое состояние устройства 700, относительное расположение компонентов, например, устройства отображения и клавиатуры устройства 700, изменение позиции устройства 700 или компонента устройства 700, присутствие или отсутствие контакта пользователя с устройством 700, ориентацию или ускорение/замедление устройства 700 и изменение температуры устройства 700. Компонент 714 датчика может включать в себя датчик близости, сконфигурированный с возможностью обнаружения присутствия близлежащих объектов без какого-либо физического контакта. Компонент 714 датчика может дополнительно включать в себя датчик света, такой как датчик изображения КМОП (CMOS) или ПЗС (CCD), для использования в применениях формирования изображений. В некоторых вариантах осуществления компонент 714 датчика может также включать в себя датчик акселерометра, гироскопический датчик, магнитный датчик, датчик давления или датчик температуры.

[00126] Компонент 716 связи сконфигурирован с возможностью облегчения связи, проводным способом или беспроводным способом, между устройством 700 и другими устройствами. Устройство 700 может осуществлять доступ к беспроводной сети, основанной на стандартах связи, таких как WiFi, 2G или 3G, или их комбинации. В одном иллюстративном варианте осуществления компонент 716 связи принимает широковещательный сигнал или информацию, ассоциированную с широковещательной связью, из внешней системы управления широковещательной связью через широковещательный канал. В одном иллюстративном варианте осуществления компонент 716 связи дополнительно включает в себя модуль близкой области связи (NFC), чтобы облегчать связь ближнего действия. Например, модуль NFC может быть осуществлен на основе технологии радиочастотной идентификации (RFID), технологии ассоциации данных инфракрасного излучения (IrDA), технологии сверхширокой полосы частот (UWB), технологии Bluetooth (BT), и других технологий.

[00127] В иллюстративных вариантах осуществления устройство 700 может осуществляться с помощью одной или множества специализированных интегральных схем (ASIC), процессоров цифровых сигналов (DSP), устройств обработки цифровых сигналов (DSPD), программируемых логических устройств (PLD), программируемых пользователем вентильных матриц (FPGA), контроллеров, микроконтроллеров, микропроцессоров или других электронных компонентов.

[00128] В иллюстративных вариантах осуществления дополнительно предоставлен постоянный считываемый компьютером запоминающий носитель, включающий в себя инструкции, такие как включенные в память 704, выполняемые процессором 720 в устройстве 700. Например, постоянный считываемый компьютером запоминающий носитель может быть ПЗУ (ROM), ОЗУ (RAM), запоминающим устройством на компакт-дисках (CD-ROM), магнитной лентой, флоппи-диском оптическим запоминающим устройством данных и тому подобным.

[00129] Другие варианты осуществления настоящего раскрытия будут понятны специалистам в данной области техники из рассмотрения спецификации и применения на практике настоящего раскрытия, раскрытого в настоящей заявке. Подразумевается, что эта заявка охватывает любые изменения, использования или адаптации настоящего раскрытия, следующие его общим принципам и включающие в себя такие отклонения от настоящего раскрытия, как происходит в известной или обычной практике в данной области техники. Подразумевается, что спецификация и варианты осуществления считаются только как иллюстративные, причем действительные рамки объема и сущности настоящего раскрытия указаны следующей формулой изобретения.

[0130] Следует понимать, что настоящее раскрытие не ограничено точной конструкцией, которая была описана выше и проиллюстрирована на сопровождающих чертежах, и, что различные модификации и изменения могут быть сделаны, не выходя за рамки его объема. Подразумевается, что рамки объема настоящего раскрытия ограничены только прилагаемой формулой изобретения.

Использование: для создания подложки устройства отображения. Сущность изобретения заключается в том, что подложка устройства отображения включает в себя: основание, тонкопленочный транзистор, сформированный на стороне основания, органический светоизлучающий слой, сформированный на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания, и слой электродов считывания касания, сформированный в органическом светоизлучающем слое. Технический результат - обеспечение возможности увеличения уровня интеграции подложки устройства отображения, облегчения установки слоя электродов считывания касания большего размера. 3 н. и 8 з.п. ф-лы, 7 ил.

1. Подложка устройства отображения, содержащая:

основание,

тонкопленочный транзистор, сформированный на стороне основания,

органический светоизлучающий слой, сформированный на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания, и

слой электродов считывания касания, сформированный в органическом светоизлучающем слое.

2. Подложка устройства отображения по п.1, в которой органический светоизлучающий слой содержит:

анодный слой, сформированный на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания,

слой инжекции дырок, сформированный на стороне анодного слоя на удалении от тонкопленочного транзистора,

слой переноса дырок, сформированный на стороне слоя инжекции дырок на удалении от анодного слоя,

слой органического материала, сформированный на стороне слоя переноса дырок на удалении от слоя инжекции дырок,

слой переноса электронов, сформированный на стороне слоя органического материала на удалении от слоя переноса дырок,

слой инжекции электронов, сформированный на стороне слоя переноса электронов на удалении от слоя органического материала, и

катодный слой, сформированный на стороне слоя инжекции электронов на удалении от слоя переноса электронов.

3. Подложка устройства отображения по п.2, в которой слой электродов считывания касания сформирован между анодным слоем и слоем инжекции дырок или между слоем инжекции дырок и слоем переноса дырок, или между слоем переноса дырок и слоем органического материала, или между слоем органического материала и слоем переноса электронов, или между слоем переноса электронов и слоем инжекции электронов, или между слоем инжекции электронов и катодным слоем.

4. Подложка устройства отображения по п.3, дополнительно содержащая:

изолирующий слой, расположенный между слоем электродов считывания касания и структурой слоя, смежной со слоем электродов считывания касания.

5. Подложка устройства отображения по любому из пп. 1-4, в которой слой электродов считывания касания является конденсатором самоиндукции.

6. Способ изготовления подожки устройства отображения, содержащий этапы, на которых:

формируют тонкопленочный транзистор на основании,

формируют органический светоизлучающий слой на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания, и

причем, когда формируют органический светоизлучающий слой, формируют слой электродов считывания касания в органическом светоизлучающем слое.

7. Способ по п.6, в котором формирование органического светоизлучающего слоя на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания содержит этапы, на которых:

формируют анодный слой на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания,

формируют слой инжекции дырок на стороне анодного слоя на удалении от тонкопленочного транзистора,

формируют слой переноса дырок на стороне слоя инжекции дырок на удалении от анодного слоя,

формируют слой органического материала на стороне слоя переноса дырок на удалении от слоя инжекции дырок,

формируют слой переноса электронов на стороне слоя органического материала на удалении от слоя переноса дырок,

формируют слой инжекции электронов на стороне слоя переноса электронов на удалении от слоя органического материала, и

формируют катодный слой на стороне инжекции электронов на удалении от слоя переноса электронов.

8. Способ по п.7, в котором формирование слоя электродов считывания касания в органическом светоизлучающем слое содержит этапы, на которых:

формируют слой электродов считывания касания между анодным слоем и слоем инжекции дырок, или

формируют слой электродов считывания касания между слоем инжекции дырок и слоем переноса дырок, или

формируют слой электродов считывания касания между слоем переноса дырок и слоем органического материала, или

формируют слой электродов считывания касания между слоем органического материала и слоем переноса электронов, или

формируют слой электродов считывания касания между слоем переноса электронов и слоем инжекции электронов или

формируют слой электродов считывания касания между слоем инжекции электронов и катодным слоем.

9. Способ по п.8, дополнительно содержащий этап, на котором

формируют изолирующий слой между слоем электродов считывания касания и структурой слоя, смежной со слоем электродов считывания касания.

10. Способ по любому из пп. 6-9, в котором слой электродов считывания касания является конденсатором самоиндукции.

11. Электронное устройство, содержащее:

процессор и

память для хранения инструкций, выполняемых процессором,

причем электронное устройство дополнительно содержит подложку устройства отображения, содержащую:

основание,

тонкопленочный транзистор, сформированный на стороне основания,

органический светоизлучающий слой, сформированный на стороне тонкопленочного транзистора на удалении от основания, и

слой электродов считывания касания, сформированный в органическом светоизлучающем слое.