Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами Российский патент 2018 года по МПК H01L31/14 

Описание патента на изобретение RU2673424C1

Изобретение относится к активным электронным компонентам.

Известен светотранзистор с высоким быстродействием [1], в котором оптопара реализована внутри транзистора между его p-n-переходами. Такой светотранзистор в каскаде передает электрический сигнал, а не оптический.

Цель изобретения — повышение чувствительности при регистрации фотонов.

Это достигается тем, что между собой транзисторы в каскадах связаны через оптоэлектронные пары.

На фиг. 1 изображено фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами.

Конструктивно фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами представляет собой многокаскадную структуру. Первый транзистор каскада представляет собой полупроводниковый прибор, в котором между эмиттером 1 и коллектором 5 находятся фотоприемный n-p-переход из полупроводника n-типа 2 и полупроводника p-типа 3 (эмиттер-база). Светоизлучающий p-n-переход состоит из полупроводника p-типа 3 и полупроводника n-типа 4 (база-коллектор). Аналогична конструкция других транзисторов в каскаде. Нагрузкой коллекторов транзисторов являются резисторы 6.

При попадании фотона на фоточувствительный n-p-переход первого транзистора в каскаде возникнет ток, который будет усилен и вызовет излучение большего числа фотонов на светоизлучающем p-n-переходе, причем, фотоны будут направлены на фоточувствительный n-p-переход следующего транзистора в каскаде. Таким образом, несколько фотонов на входе первого транзистора каскада, в конечном итоге, на последнем выходе каскада сформируют мощный оптический и электрический сигнал.

Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами способно регистрировать как отдельные фотоны, так и интегральную составляющую светового излучения в целом.

Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами изготавливается из фосфида индия (InP), фосфида галлия (GaP), нитрида галлия (GaN), карбида кремния (SiC) или других подобных материалов.

Использование устройства позволит повысить чувствительность фотоприемных устройств с одновременным уменьшением весогабаритных параметров.

Литература

1. Патент РФ №2507632. Светотранзистор с высоким быстродействием / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Нежведилов Т.Д., Юсуфов Ш.А.

Похожие патенты RU2673424C1

название год авторы номер документа
Прецизионный датчик фотонов на полупроводниковом тиристоре с одним фоточувствительным n-p-переходом и двумя светоизлучающими p-n-переходами 2018
  • Челушкина Татьяна Алексеевна
  • Иванченко Александр Александрович
  • Гаджиев Хаджимурат Магомедович
  • Гаджиева Солтанат Магомедовна
  • Козлов Владимир Владимирович
  • Михайлов Анатолий Константинович
RU2673987C1
Биполярный полупроводниковый транзистор с тиристорным эффектом 2018
  • Челушкина Татьяна Алексеевна
  • Иванченко Александр Александрович
  • Гаджиев Хаджимурат Магомедович
  • Павлюченко Елена Ивановна
  • Гаджиева Солтанат Магомедовна
RU2701184C1
Полевой тиристор с неизолированным фоточувствительным оптическим затвором и светоизлучающим p-n-переходом 2018
  • Челушкина Татьяна Алексеевна
  • Иванченко Александр Александрович
  • Гаджиев Хаджимурат Магомедович
  • Павлюченко Елена Ивановна
  • Гаджиева Солтанат Магомедовна
RU2693839C1
Полупроводниковое устройство усиления потока фотонов с фоточувствительными и светоизлучающими p-n-переходами 2018
  • Челушкина Татьяна Алексеевна
  • Иванченко Александр Александрович
  • Гаджиев Хаджимурат Магомедович
  • Павлюченко Елена Ивановна
  • Гаджиева Солтанат Магомедовна
RU2693834C1
СВЕТОТРАНЗИСТОР С ДВУМЯ ИЗЛУЧАЮЩИМИ ПЕРЕХОДАМИ 2014
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Гаджиев Хаджимурат Магомедович
  • Гаджиева Солтанат Магомедовна
  • Челушкин Дмитрий Алексеевич
  • Челушкина Татьяна Алексеевна
RU2593443C2
СВЕТОТРАНЗИСТОР С ВЫСОКИМ БЫСТРОДЕЙСТВИЕМ 2012
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Гаджиев Хаджимурат Магомедович
  • Нежведилов Тимур Декартович
  • Юсуфов Ширали Абдулкадиевич
RU2507632C2
ЭКОНОМИЧНЫЙ СВЕТОВОЙ ТРАНЗИСТОР 2014
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Гаджиев Хаджимурат Магомедович
  • Гаджиева Солтанат Магомедовна
  • Челушкина Татьяна Алексеевна
  • Магомедова Патимат Арсланалиевна
RU2587534C1
СВЕТОТРАНЗИСТОР 2012
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Гаджиев Хаджимурат Магомедович
  • Гаджиева Солтанат Магомедовна
  • Нежведилов Тимур Декартович
  • Челушкина Татьяна Алексеевна
RU2487436C1
СВЕТОТИРИСТОР 2014
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Гаджиев Хаджимурат Магомедович
  • Гаджиева Солтанат Магомедовна
  • Челушкин Дмитрий Алексеевич
  • Челушкина Татьяна Алексеевна
RU2562744C2
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ P -N-ПЕРЕХОД 1991
  • Гордеев А.И.
  • Насейкин В.О.
  • Королев А.Ф.
  • Сандина Н.М.
  • Куц В.А.
  • Андреева Е.Е.
RU2019894C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 673 424 C1

Реферат патента 2018 года Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами

Изобретение относится к активным электронным компонентам. Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами, выполненное в виде каскада полупроводниковых транзисторов, при этом между собой транзисторы в каскадах связаны через оптоэлектронные пары. Изобретение позволит повысить чувствительность фотоприемных устройств с одновременным уменьшением весогабаритных параметров. 1 ил.

Формула изобретения RU 2 673 424 C1


Фотоприемное устройство на каскадных транзисторах со светоизлучающими p-n-переходами и фоточувствительными n-p-переходами, выполненное в виде каскада полупроводниковых транзисторов, отличающееся тем, что между собой транзисторы в каскадах связаны через оптоэлектронные пары.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2018 года RU2673424C1

СВЕТОТРАНЗИСТОР С ВЫСОКИМ БЫСТРОДЕЙСТВИЕМ 2012
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Гаджиев Хаджимурат Магомедович
  • Нежведилов Тимур Декартович
  • Юсуфов Ширали Абдулкадиевич
RU2507632C2
СВЕТОТРАНЗИСТОР 2012
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Гаджиев Хаджимурат Магомедович
  • Гаджиева Солтанат Магомедовна
  • Нежведилов Тимур Декартович
  • Челушкина Татьяна Алексеевна
RU2487436C1
УСТРОЙСТВО ПОДАЧИ МОЮЩЕГО СРЕДСТВА И СТИРАЛЬНАЯ МАШИНА, ИМЕЮЩАЯ ТАКОЕ УСТРОЙСТВО 2013
  • Ким Йонг Квон
  • Дзин Йонгдзие
  • Ли Санг Юп
RU2597534C2
US 4731528 A, 15.03.1988
WO 9900881 A1, 07.01.1999.

RU 2 673 424 C1

Авторы

Челушкина Татьяна Алексеевна

Гаджиев Хаджимурат Магомедович

Иванченко Александр Александрович

Гаджиева Солтанат Магомедовна

Козлов Владимир Владимирович

Михайлов Анатолий Константинович

Даты

2018-11-26Публикация

2018-02-06Подача