Способ формирования субмикронного Т-образного затвора Российский патент 2020 года по МПК H01L21/28 H01L21/338 

Описание патента на изобретение RU2724354C1

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения СВЧ монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений типа AIIIBV, в частности, к созданию гетероструктурных СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов.

Блок формирования затвора является одним из ключевых этапов технологического процесса производства полупроводниковых приборов, в том числе СВЧ транзисторов с высокой подвижностью электронов. Для приборов, работающих в СВЧ диапазоне, изготавливают затворы Т-образной формы с субмикронной длиной основания, обладающие меньшим сопротивлением и емкостью. Для создания Т-образных затворов используются многослойные системы резистов, топологический рисунок в которых формируется известными литографическими методами.

Известен способ формирования субмикронного Т-образного затвора (Е.V. Erofeev, V.A. Kagadei, Е.V. Anishchenko, K.S. Nosaeva, S.V. Ishutkin / T-gate fabrication // International Conference of Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), Proceedings, pp. 146-149, 2011), по своей сущности наиболее близкий к предлагаемому техническому решению и выбранный нами за прототип. В данном способе на поверхности полупроводниковой структуры методами высокоразрешающей электронно-лучевой литографии производится формирование многослойной резистивной маски. Далее методом электронно-лучевого испарения в вакууме производится напыление тонких пленок затворной металлизации на основе Ti/Mo/Cu, где Ti является барьеробразующим слоем, Мо - слой диффузионного барьера, а Cu - проводящий слой.

Основным недостатком данного способа является то, что его разрешающая способность обусловлена главным образом энергией электронов в пучке, которая для получения затворов с субмикронной длиной основания должна находиться в диапазоне 50-100 кэВ. Сложность достижения таких энергий при формировании электронных пучков минимального сечения (порядка 2 нм) приводит к высокой стоимости литографического оборудования, а также низкой производительности технологических процессов высокоразрешающей электронно-лучевой литографии.

Основной технической задачей предложенного способа является одновременное повышение разрешающей способности и производительности технологических процессов формирования субмикронного Т-образного затвора.

Основная техническая задача достигается тем, что в способе формирования субмикронного Т-образного затвора, включающего очистку поверхности полупроводниковой пластины с эпитаксиальной гетероструктурой, формирование многослойной резистивной маски методами низкоразрешающей оптической литографии, напыление тонких пленок затворной металлизации в вакууме, удаление резистивной маски, отличающийся тем, что формирование многослойной резистивной маски производится литографическими методами низкого разрешения с последующим созданием вторичной маски высокого разрешения в результате последовательного напыления тонких пленок оксида алюминия толщиной 5-1000 нм под углами Ф1 и Ф2 относительно нормали к поверхности пластины методами электронно-лучевого испарения в вакууме.

В частном случае формирование первичной маски низкого разрешения производят методами лазерной литографии.

В частном случае в качестве материала вторичной маски высокого разрешения могут использоваться пленки нитрида кремния (SiNx), оксида кремния (SiO2), оксида гафния (HfO).

В частном случае напыление пленок вторичной маски высокого разрешения производится методами термического испарения в вакууме и/или магнетронного распыления.

В частном случае после напыления пленок затворной металлизации производят жидкостное и/или плазмохимическое травление материала вторичной маски высокого разрешения.

Предлагаемый способ заключается в следующем. На поверхность полупроводниковой пластины с эпитаксиальной гетероструктрурой (поз. 1, фиг. 1) методами центрифугирования производится последовательное нанесение нижнего (поз. 2а, фиг. 1) и верхнего (поз. 2b, фиг. 1) слоев резистов. Далее производится экспонирование сформированной фоторезистивной маски лазерным излучением с длиной волны λ=405 нм с последующим проявлением в селективном проявителе. В результате чего на поверхности полупроводниковой пластины формируется двухслойная фоторезистивная маска низкого разрешения (фиг. 1).

Для формирования вторичной маски высокого разрешения полупроводниковая пластина с сформированной фоторезистивной маской низкого разрешения ориентируется под углом Ф1 относительно нормали к поверхности пластины (фиг. 2) после чего загружается в установку напыления тонких пленок в вакууме, где методом электронно-лучевого испарения в вакууме при остаточном давлении менее р=5×10-6 торр производится осаждение первой пленки вторичной маски высокого разрешения на основе оксида алюминия толщиной 1-500 нм (поз. 3а, фиг. 2). Далее пластина с сформированной фоторезистивной маской низкого разрешения ориентируется под углом Ф2 относительно нормали к поверхности пластины (фиг. 3), после чего загружается в установку напыления тонких пленок в вакууме, где методом электронно-лучевого испарения в вакууме при остаточном давлении менее р=5×10-6 торр производится осаждение второй пленки вторичной маски высокого разрешения на основе оксида алюминия толщиной 1-500 нм (поз. 3b, фиг. 3). Затем пластина с сформированной твердой маской высокого разрешения ориентируется под углом 0 град, относительно нормали к поверхности пластины после чего загружается в установку напыления тонких пленок в вакууме, где производится последовательное осаждение тонких пленок затворной металлизации на основе Ti, Pt (поз. 4а, фиг. 4) и Au (поз. 4b, фиг. 4) с толщинами 10-500 нм (фиг. 4). Далее с поверхности полупроводниковой пластины производится удаление первичной фоторезистивной маски низкого разрешения.

В частном случае формирование первичной маски низкого разрешения производят методами лазерной литографии.

В частном случае в качестве материала вторичной маски высокого разрешения могут использоваться пленки нитрида кремния (SiNx), оксида кремния (SiO2), оксида гафния (HfO).

В частном случае напыление пленок вторичной маски высокого разрешения производится методами термического испарения в вакууме и/или магнетронного распыления.

В частном случае после напыления пленок затворной металлизации производят жидкостное и/или плазмохимическое травление материала вторичной маски высокого разрешения.

Пример.

Пример демонстрирует технический результат, достигаемый по предлагаемому способу, относительно способа прототипа.

Транзистор на основе полупроводникового соединения и, в частности, гетероструктурный транзистор с высокой подвижностью электронов был сформирован на псевдоморфных структурах GaAs/AlGaAs/InGaAs, полученных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. После формирования изоляции транзистора с помощью травления меза-структур, на поверхности пластины формировалась двухслойная резистивная маска, в которой вскрывались окна с отрицательным углом наклона стенок. Перед осаждением металлизации с целью очистки поверхности и удаления собственных оксидов мышьяка и галлия полупроводниковые пластины обрабатывалась в водном растворе соляной кислоты в течение t=60 секунд, а затем промывалась в деионизованной воде и сушилась в потоке азота. Далее на поверхности пластин литографическими методами формировалась резистивная маска в окна которой производилось напыление металлизации омического контакта на основе металлизации Ni/Ge/Au/Ni/Au методом электронно-лучевого исправления и вакууме. После извлечения пластин из вакуумной камеры производилось удаление резистивной маски с последующей термической обработкой металлизации омического контакта в среде очищенного азота при температуре T2=410°С в течение t=60 секунд.

Далее на первой пластине, изготавливаемой по способу-прототипу, методом центрифугирования формировалась трехслойная маска на основе резистов 950PMMA/LOR 5В/495 РММА. Каждый слой резиста наносился на подложку методом центрифугирования, с последующей сушкой при температуре Т=180°С в течение t=5 минут. Экспонирование производилось с помощью системы электронно-лучевой нанолитографии Raith-150TWO с энергией электронов 30 кэВ. Проявление верхнего слоя резиста типа 495РММА осуществлялось в растворе метилизобутилкетона (МИБК) с изопропиловым спиртом (ИПС) (1:1) в течение t=60 с, нижнего слоя LOR5B с последующей промывкой в изопропиловом спирте и сушкой в потоке азота. Проявление нижнего слоя резиста типа 950РММА осуществлялось в растворе метилизобутилкетона (МИБК) с изопропиловым спиртом (ИПС) (1:3) в течение t=120 с. Далее производилось напыление тонких пленок металлизации Т-образного затвора на основе Ti/Pt/Au (30/25/400 нм) методом электронно-лучевого исправления в вакууме при остаточном давлении менее р=5×10-6 торр. После извлечения пластины из вакуумной камеры производилось удаление резистивной маски, что приводило к формированию на поверхности полупроводниковой пластины субмикронного Т-образного затвора транзистора.

На вторую пластину, изготавливаемую по предлагаемому способу, для формирования первичной маски низкого разрешения методом центрифугирования последовательно наносились фоторезисты LOR5B и AZ1505 общей толщиной hm=1.1 мкм, с последующей сушкой каждого слоя при температуре Т=180°С в течение t=5 мин и Т=100°С в течение t=1 мин. Экспонирование фоторезистивной маски осуществлялось лазерным лучом с длиной волны λ=405 нм с последующим жидкостным проявлением резистов. Далее полупроводниковая пластина ориентировалась под углом Ф1=23 град, относительно нормали к поверхности пластины с последующим напылением тонкой пленки на основе Al2O3 толщиной 100 нм методом электронно-лучевого испарения в вакууме. Затем полупроводниковая пластина ориентировалась под углом Ф2=25 град, относительно нормали к поверхности пластины с последующим напылением тонкой пленки на основе А12О3 толщиной 100 нм методом электронно-лучевого испарения в вакууме. Затем пластина с сформированной твердой маской высокого разрешения ориентировалась под углом 0 град. относительно нормали к поверхности пластины с последующим напылением металлизации Т-образного затвора на основе пленок Ti/Pt/Au (30/25/400 нм) методом электронно-лучевого исправления и вакууме при остаточном давлении менее р=5×10-6 торр. После извлечения пластины из вакуумной камеры установки напыления производилось удаление резистивной маски низкого разрешения, что приводило к формированию на поверхности полупроводниковой пластины субмикронного Т-образного затвора транзистора.

Электрические параметры транзисторов по постоянному току исследовались с помощью измерителя характеристик полупроводниковых приборов НР4156А, а исследование S-параметров производилось на приборе ZVA-40.

На фиг. 5 показана расчетная зависимость разрешающей способности предлагаемого способа формирования субмикронного Т-образного затвора от угла поворота пластины (Ф1) относительно нормали к ее поверхности. Видно, что изменение угла поворота пластины относительно нормали к ее поверхности в узком диапазоне позволяет в широком диапазоне управлять размером окна в сформированной вторичной маске высокого разрешения на поверхности полупроводниковой пластины т.е. длиной основания (Lg) Т-образного затвора транзистора.

На фиг. 6 и 7 представлены результаты измерения электрических параметров транзисторов по постоянному току и СВЧ сигналу, полученных по способу-прототипу и предлагаемому способу.

Из результатов видно, транзисторы с Т-образными затворами, сформированными как по способу-прототипу, так и предлагаемому методу имеют сходные электрические характеристики, как по постоянному току, так и СВЧ сигналу. При этом в предлагаемом методе формирования субмикронного Т-образного затвора не используются технологические операции низкопроизводительной дорогостоящей электронно-лучевой литографии, что свидетельствует о высокой практической ценности данного метода.

Похожие патенты RU2724354C1

название год авторы номер документа
Способ формирования Т-образного затвора 2017
  • Ерофеев Евгений Викторович
RU2686863C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ T-ОБРАЗНОГО ГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЗАТВОРА В ВЫСОКОЧАСТОТНОМ ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ 2020
  • Торхов Николай Анатольевич
  • Брудный Валентин Натанович
  • Брудный Павел Александрович
RU2746845C1
Способ изготовления СВЧ полевого мощного псевдоморфного транзистора 2016
  • Егоров Константин Владиленович
  • Ходжаев Валерий Джураевич
  • Сергеев Геннадий Викторович
  • Шутко Михаил Дмитриевич
  • Иванникова Юлия Викторовна
RU2633724C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОГО НИТРИД-ГАЛЛИЕВОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА 2017
  • Торхов Николай Анатольевич
RU2668635C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО Y-ОБРАЗНОГО ЗАТВОРА СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОГО ТРАНЗИСТОРА 2019
  • Васильевский Иван Сергеевич
  • Виниченко Александр Николаевич
  • Номоев Сергей Андреевич
  • Каргин Николай Иванович
RU2729510C1
Способ увеличения управляющего напряжения на затворе GaN транзистора 2017
  • Ерофеев Евгений Викторович
RU2669265C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ 1991
  • Самсоненко Б.Н.
  • Сорокин И.Н.
  • Сигачев А.В.
  • Паутов А.П.
SU1811330A1
Способ изготовления Т-образного затвора 2016
  • Федоров Юрий Владимирович
  • Галиев Ринат Радифович
  • Павлов Александр Юрьевич
RU2624600C1
СПОСОБ УВЕЛИЧЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ ОТПИРАНИЯ GaN ТРАНЗИСТОРА 2016
  • Ерофеев Евгений Викторович
RU2642495C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ТРАНЗИСТОРА С НАНОМЕТРОВЫМИ ЗАТВОРАМИ 2014
  • Торхов Николай Анатольевич
RU2578517C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 724 354 C1

Реферат патента 2020 года Способ формирования субмикронного Т-образного затвора

Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения СВЧ монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений типа AIIIBV, в частности к созданию гетероструктурных СВЧ-транзисторов с высокой подвижностью электронов. Способ формирования затвора является одним из ключевых этапов технологического процесса производства полупроводниковых приборов, в том числе СВЧ-транзисторов с высокой подвижностью электронов. Для приборов, работающих в СВЧ-диапазоне, изготавливают затворы Т-образной формы с субмикронной длиной основания, обладающие меньшим сопротивлением и емкостью. Для создания Т-образных затворов используются многослойные системы резистов, топологический рисунок в которых формируется известными литографическими методами. Изобретение обеспечивает одновременное повышение разрешающей способности и производительности технологических процессов формирования субмикронного Т-образного затвора. 4 з.п. ф-лы, 7 ил.

Формула изобретения RU 2 724 354 C1

1. Способ формирования субмикронного Т-образного затвора, включающего очистку поверхности полупроводниковой пластины с эпитаксиальной гетероструктурой, формирование многослойной резистивной маски методами низкоразрешающей оптической литографии, напыление тонких пленок затворной металлизации в вакууме, удаление резистивной маски, отличающийся тем, что формирование многослойной резистивной маски производится литографическими методами низкого разрешения с последующим созданием вторичной маски высокого разрешения в результате последовательного напыления тонких пленок оксида алюминия толщиной 5-1000 нм под углами Ф1 и Ф2 относительно нормали к поверхности пластины методами электронно-лучевого испарения в вакууме.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что формирование первичной маски низкого разрешения производят методами лазерной литографии.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве материала вторичной маски высокого разрешения могут использоваться пленки нитрида кремния (SiNx), оксида кремния (SiO2), оксида гафния (HfO).

4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что напыление пленок вторичной маски высокого разрешения производится методами термического испарения в вакууме и/или магнетронного распыления.

5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после напыления пленок затворной металлизации производят жидкостное и/или плазмохимическое травление материала вторичной маски высокого разрешения.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2020 года RU2724354C1

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С УПРАВЛЯЮЩИМ ЭЛЕКТРОДОМ СУБМИКРОННОЙ ДЛИНЫ 1991
  • Баранов Б.А.
RU2031481C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С Т-ОБРАЗНЫМ УПРАВЛЯЮЩИМ ЭЛЕКТРОДОМ СУБМИКРОННОЙ ДЛИНЫ 2000
  • Валиев К.А.
  • Горбацевич А.А.
  • Кривоспицкий А.Д.
  • Окшин А.А.
  • Орликовский А.А.
  • Семин Ю.Ф.
  • Шмелев С.С.
RU2192069C2
Способ изготовления Т-образного затвора 2016
  • Федоров Юрий Владимирович
  • Галиев Ринат Радифович
  • Павлов Александр Юрьевич
RU2624600C1
US 20080026519 A1, 31.01.2008
US 5334542 A, 02.08.1994.

RU 2 724 354 C1

Авторы

Ерофеев Евгений Викторович

Даты

2020-06-23Публикация

2019-11-27Подача