Способ изготовления полупроводникового прибора Российский патент 2023 года по МПК H01L21/283 

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов с пониженным сопротивлением.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5309025 США, МКИ H01L 23/29] путем создания контактов на полупроводниковых кристаллах, имеющих повышенную прочность на отрыв, формированием матрицы из островков металлизации в виде прямоугольных площадок, в которых нижний барьерный слой образован TiN, а верхним проводящим слоем служит AI,Ti или W. Затем на всю площадь контакта напыляется второй проводящий слой AI. В таких приборах из-за не технологичности формирование барьерного слоя образуется большое количество дефектов, которые ухудшают электрические параметры приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5296386 США, МКИ H01L 21/265] путем создания контактов к областям стока/истока в полевых транзисторах, созданием промежуточного контактного слоя Si, обогащенного германием, имплантацией Ge или эпитаксиальным выращиванием твердого раствора Si-Ge.

Недостатками этого способа являются:

- высокие значения контактного сопротивления;

- повышенная дефектность;

- низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается путем последовательного нанесения при температуре 250°С и давлении 2*10^-5Па, слоя германия толщиной 150 нм, со скоростью осаждения 3 нм/с, слоя Ni толщиной 200 нм, со скоростью осаждения 1 нм/с, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 15 мин в атмосфере аргона.

Технология способа состоит в следующем: после формирования активных областей истока, стока, по стандартной технологии, последовательно наносят при температуре 250°С и давлении 2*10^-5Па, слой германия толщиной 150 нм, со скоростью осаждения 3 нм/с, слой Ni толщиной 200 нм, со скоростью осаждения 1 нм/с, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 15 мин в атмосфере аргона.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Таблица Параметры полупроводникового прибора, изготовленного по стандартной технологии Параметры полупроводникового прибора, изготовленного по предлагаемой технологии № плотность дефектов, см^-2 Контактное сопротивление,
R.10^-6 Ом.см² плотность дефектов, см^-2 Контактное сопротивление,
R.10^-6 Ом.см² 1 10,1 5,4 0,9 1,1 2 10,2 3,5 1,2 0,9 3 12,1 5,2 0,8 0,7 4 10,7 5,3 0,9 0,8 5 10,4 6,5 1,5 1,3 6 10,6 5,7 0,8 1,0 7 10,2 5,6 0,8 0,6 8 9,7 6,7 0,7 0,7 9 10,5 5,5 0,8 1,2 10 10,9 5,6 0,9 0,8 11 11,3 6,1 0,7 0,6 12 11,1 5,7 0,9 0,7 13 10,4 6,1 0,8 0,8

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 15,6%.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Технический результат: снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем последовательного нанесения при температуре 250°С и давлении 2*10^-5Па, слоя германия толщиной 150 нм, со скоростью осаждения 3 нм/с, слоя Ni толщиной 200 нм, со скоростью осаждения 1 нм/с, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 15 мин в атмосфере аргона, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов. Способ изготовления полупроводниковых приборов включает процессы формирования активных областей полевого транзистора и контактов к ним. При этом согласно изобретению контакты формируют путем последовательного нанесения при температуре 250°С и давлении 2*10^-5Па слоя германия толщиной 150 нм со скоростью осаждения 3 нм/с, слоя Ni толщиной 200 нм со скоростью осаждения 1 нм/с с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 15 мин в атмосфере аргона. Изобретение позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. 1 табл.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы формирования активных областей полевого транзистора и контактов к ним, отличающийся тем, что контакты формируют путем последовательного нанесения при температуре 250°С и давлении 2*10^-5Па слоя германия толщиной 150 нм со скоростью осаждения 3 нм/с, слоя Ni толщиной 200 нм со скоростью осаждения 1 нм/с с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 15 мин в атмосфере аргона.