Способ регистрации электромагнитного излучения в ИК, СВЧ и терагерцовом диапазонах длин волн Российский патент 2025 года по МПК G02B27/42 G01J1/04 B82Y20/00 

Изобретение относится к измерительной технике и касается нового способа регистрации электромагнитного излучения в ИК, СВЧ и терагерцовом диапазоне частот (0,3-10 ТГЦ) и может быть использовано в высокочувствительных приемниках электромагнитного излучения в различных диапазонах.

Для регистрации электромагнитного излучения в ИК, СВЧ диапазонах, включая терагерцовый, используются как радиотехнические способы, так и способы, применяемые в оптическом диапазоне.

Известны способы регистрации электромагнитного поля, использующие непрерывные среды, заключающиеся в том, что специальные среды (жидкие кристаллы, люминофоры, биолюминесцентные бактерии и т.д.) изменяют свои оптико-физические свойства (окраска, показатель преломления, коэффициент прохождения и т.д.) при воздействии энергии электромагнитного излучения и регистрации оптических характеристик специальных сред.

В качестве чувствительных элементов могут применяться жидкие кристаллы (Долгов В.М., Лихолетова Л.Г. О применении термооптических эффектов в жидких кристаллах для визуализации электромагнитных полей // Изв. Высших учебных заведений «Радиофизика», т. ХХVII, № 4, 1979, с. 480-487; Giannini F, Maltese P., Sorrentino R. Liquid crystal technique for field detection in microwave integrated circuitry // Alta Frequensa, vol. 46, N 4, pp. 170-178, 1977), получая тепловой рельеф, образованный вследствие поглощения некоторой части энергии соответствующим слоем термоиндикатора.

Для регистрации электромагнитного излучения поля применяют чувствительные элементы на основе из кристаллофосфоров, люминофоров (Бажулин А.П., Ирисова Н.А., Сасоров В.А., Тимофеев Ю.П., Фридман С.А. Радиовизор – прибор для визуального наблюдения и регистрации полей ИК-СВЧ излучения // Вестник АН СССР, 1973, № 12, с. 122-132; Бажулин А.П., Виноградова Е.А., Ирисова Н.А., Митрофанова Н.В., Тимофеев Ю.П., Фридман С.А., Щаенко В.В. Применение температурно чувствительных кристаллофосфоров для регистрации электромагнитного излучения // Известия АН СССР сер. Физическая, т. 35, № 7, 1971, с. 1450). Чувствительность таких приемников излучения определяется температурной чувствительностью люминофоров, условиями поглощения регистрируемого СВЧ излучения и отводом тепла с экрана.

Известен способ регистрации ИК-СВЧ излучения (Патент РФ № 486226) с помощью размещаемого в термостате экрана из люминофора с тепловым тушением, который одновременно облучают постоянным ультрафиолетовым и исследуемым ИК-СВЧ излучением.

Известен способ пространственного распределения плотности потока энергии СВЧ излучения (Патент РФ 1128198), заключающийся в воздействии на пленочный датчик, на котором индуцируют изотерму, снимают изотерму на фотопленку и определяют плотность потока энергии СВЧ излучения в границах изотермы.

Известен способ определения воздействия электромагнитного излучения с помощью биолюминесценции бактерий (патент РФ № 2291196), включающий регистрацию физических параметров данного объекта до и после внешнего воздействия, по сравнению которых судят о степени воздействия, и в качестве физического параметра используют величину светового потока от них, отличающийся тем, что осуществляют воздействие электромагнитным излучением частотой 42 ГГц, а в качестве тест-системы используют бактерии Photobacterium leognathi, штамм 54, которые при увеличении времени экспозиции изменяют характер свечения.

В данных способах чувствительным элементом является специальная среда, помещенная в специальное устройство, обеспечивающее условия функционирования специальной среды. Вместе чувствительный элемент и специальное устройство образуют приемник электромагнитного излучения.

Недостатками способов регистрации электромагнитного излучения, использующих непрерывные среды, являются их низкие чувствительность и быстродействие.

Исходя из способов действия, приемники электромагнитного излучения могут быть разделены на три характерные группы (Кубарев В.В. Детекторы терагерцового излучения // Сб. трудов Первого рабочего совещания «Генерация и применение терагерцового излучения», Новосибирск, 24-25 ноября 2005 г., Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера, 2006 – 35-40 с.). Первая группа – это детекторы теплового типа (термопары, термодатчики и основанные на них калориметры, пироэлектрические детекторы, оптико-акустические детекторы, микроболометры, охлаждаемые и сверхпроводящие болометры).

Способ их действия заключается в передаче тепла от широкополосного поглотителя, возникающего при облучении его электромагнитным излучением, к различным чувствительным элементам. Характерной особенностью этих приемников является широкий диапазон длин волн и, за исключением специальных микроконструкций, низкое или среднее временное разрешение.

Детекторы теплового типа (термопары и полупроводниковые датчики), несмотря на сравнительно низкую чувствительность и временное разрешение, могут работать в широком спектральном диапазоне: от 1 мкм до 1000 мкм и более. Сигнал с этих детекторов пропорционален температуре. Отечественная промышленность выпускала калориметры ИМО-2, ИМО-4С.

Термоэлементы представляют собой термопару с малой теплоемкостью и малой поверхностью, чтобы значительно изменять свою температуру при поглощении падающего излучения. При этом возникает термо э.д.с., которая прямо пропорциональна приращению температуры и, следовательно, поглощенной мощности.

Пироэлектрические детекторы [Техника субмиллиметровых волн. Колл. авторов под ред. Р.А. Валитова - М.: Советское радио, 1969, 480 с., с. 123-158] основаны на пироэффекте – зависимости спонтанной поляризации некоторых кристаллов (ТГС, LiTaO₃, LiNiO₃, BaTiO₃ и др.) от температуры. Нагрев кристалла внешним излучением вызывает перетекание зарядов с его внешних металлических электродов через нагрузочное сопротивление. Отечественная промышленность выпускает малогабаритные детекторы МГ-30 и МГ-33 с приемным элементом 1×1 мм². Хотя по паспорту детекторы сертифицированы до длин волн 20 мкм, они обладают хорошей чувствительностью и в субмиллиметровом диапазоне длин волн. За рубежом такие детекторы (но с большей приемной площадкой) выпускаются рядом фирм, например фирмой Molectron Detector Inc.

Обычно чувствительный элемент детектора имеет вид дисков, стержней, пластинок. Плоскости чувствительного элемента металлизируют, получая электроды для снятия заряда. Чувствительный элемент может размещаться на торце волновода или на торце рупорной антенны.

Несколько более высокую чувствительность и лучшую неселективность, чем пироприемники, имеют оптико-акустические детекторы. Оптико-акустический приемник работает на принципе расширения газа при его нагреве [Техника субмиллиметровых волн. Колл. авторов под ред. Р.А. Валитова - М.: Советское радио, 1969, 480 с., с. 123-158]. Электромагнитная энергия поглощается алюминиевой пленкой, тепло которой передается малому объему газа, находящемуся в камере с подвижной зеркальной мембраной, которая изгибается при нагреве. Оптический луч, направленный на отражающий излучение слой мембраны, отражается и регистрируется. Изменение освещенности фотоэлемента приводит к появлению сигнала. Недостатком таких детекторов является относительно низкое быстродействие, большая чувствительность к различным перегрузкам, увеличение габаритов детектора. Отечественная промышленность выпускает детекторы типа ОАП-7. Эти же детекторы за рубежом продаются фирмой QMC Instruments Ltd.

Принцип действия болометров основан на изменении сопротивления тонкой металлической нити или тонкой пленки при нагревании поглощенной электромагнитной энергии. Чувствительный элемент болометра может располагаться на торце рупорной антенны или торце волновода.

Резкий скачок в увеличении чувствительности болометров дает его охлаждение до температур жидкого гелия и ниже. Хорошо известным представителем этого класса приборов являются Si-болометры фирмы Infrared Lab., которые за рубежом используются в экспериментах со слабым терагерцовым излучением фемтосекундных лазеров. В сверхпроводящих болометрах используется сильная нелинейность сопротивления сверхпроводника при выходе из сверхпроводящего состояния (Кубарев В.В. Детекторы терагерцового излучения // Сб. трудов Первого рабочего совещания «Генерация и применение терагерцового излучения», Новосибирск, 24-25 ноября 2005 г., Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера, 2006 – 35-40 с.; Техника субмиллиметровых волн. Колл. авторов под ред. Р.А. Валитова - М.: Советское радио, 1969, 480 с.).

Способ действия второй группы приемников электромагнитного излучения основан на эффекте фотопроводимости (Кубарев В.В. Детекторы терагерцового излучения // Сб. трудов Первого рабочего совещания «Генерация и применение терагерцового излучения», Новосибирск, 24-25 ноября 2005 г., Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера, 2006 – 35-40 с.) (фотопроводимость на мелких примесных уровнях, эффекты нагрева свободных электронов в зоне проводимости, резонансная фотопроводимость на переходах между уровнями Ландау полупроводника в магнитном поле). Эта группа характеризуется хорошей чувствительностью и лучшим временным разрешением. Однако ее существенным недостатком является необходимость охлаждения до гелиевых температур.

Детекторы на основе фотопроводимости имеют немного меньшую чувствительность, но гораздо лучшее временное разрешение, чем охлаждаемые болометры. Эти детекторы перекрывают диапазон длин волн от инфракрасного до сантиметрового. Для этого используются эффекты собственной и примесной фотопроводимости, фотопроводимость «горячих» электронов в зоне проводимости. В дальнем инфракрасном и миллиметровом диапазонах хорошо работает n-InSb детектор на «горячих» электронах в зоне проводимости. При наложении магнитного поля этот детектор приобретает узкополосность из-за квантования энергетических уровней (уровни Ландау). Смещать пик чувствительности детектора по длинам волн можно изменением величины магнитного поля.

Чувствительный элемент детектора – кристалл полупроводникового материала InSb, к которому припаиваются выводы и помещается в гелиевый криостат. Падающее излучение через прозрачное окно криостата и световод направляется на чувствительный элемент [Техника субмиллиметровых волн. Колл. авторов под ред. Р.А. Валитова - М.: Советское радио, 1969, 480 с., с. 123-158].

В третью группу можно выделить самые быстродействующие детекторы, основанные на диодах Шотки микронного и субмикронного размера. Эти малогабаритные детекторы работают обычно при комнатной температуре. Основные недостатки этой группы – неустойчивость микродиодов к различным перегрузкам и довольно средняя чувствительность в низкочастотном диапазоне сигнальной частоты из-за фликкер-шумов.

Детекторы на основе диодов Шоттки имеют граничную частоту до ≈5-6 ТГц (Кубарев В.В. Детекторы терагерцового излучения // Сб. трудов Первого рабочего совещания «Генерация и применение терагерцового излучения», Новосибирск, 24-25 ноября 2005 г., Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера, 2006 – 35-40 с.) и среднюю чувствительность в режиме видеодетектора. Детектор этого типа не работоспособен без какой-либо антенны, собирающей заметную долю падающего излучения.

Известен способ регистрации электромагнитного излучения (Патент РФ № 1478918), заключающийся в освещении подзатворной области полевого транзистора с р-n переходом или диодом Шоттки, регистрированным излучением, оценку интенсивности и временных характеристик по току.

Для регистрации СВЧ излучения используются детекторы с точечным контактом (Техника субмиллиметровых волн. Колл. авторов под ред. Р.А. Валитова - М.: Советское радио, 1969, 480 с., с. 123-158), например Д-407. Полупроводниковые диоды с точечным контактом являются весьма чувствительными, простыми и быстродействующими детекторными устройствами. Эти диоды используются в качестве видеодетекторов и смесителей до длин волн примерно 0,3 мм. Чувствительным элементом детектора является контакт между заостренной металлической иглой и поверхностью полупроводника. Малая площадь контакта обеспечивает малую емкость перехода. Чувствительный элемент располагают в отрезке волновода. Одним из недостатков обычных точечных диодов является нестабильность их характеристик и чувствительность к перегрузкам.

Рассмотренные способы регистрации электромагнитного излучения в ИК, СВЧ, включая терагерцовый диапазон длин волн имеют низкую чувствительность, обусловленную неэффективностью преобразования электромагнитной энергии на чувствительный элемент приемника.

В качестве ближайшего аналога выбран способ регистрации электромагнитного излучения в ИК, СВЧ и терагерцовом диапазонах длин волн по патенту РФ 2655714, включающем направление электромагнитного излучения на чувствительный элемент приемника излучения, преобразование в тепловую или другой вид энергии, и осуществление его регистрации, при этом перед чувствительным элементом приемника, со стороны падающего на него излучения, размещают диэлектрическое устройство, формируют непосредственно на его выходе локальную область сконцентрированного электромагнитного поля с поперечными размерами порядка λ/3 – λ/4, где λ – длина волны падающего излучения, помещают в эту область чувствительный элемент приемника.

Данный способ реализован, например, в детекторной головке (Патент РФ 2624608), в матричном квазиоптическом приемнике электромагнитного излучения (Патент РФ 169300), в волноводном детекторе миллиметрового и терагерцового диапазона длин волн (Патенты РФ 169302, 2692933), в оптико-акустическом приемнике (Патент РФ 170388), в пироэлектрическом детекторе миллиметрового излучения (Патент РФ 207821).

Повышение чувствительности приемников излучения достигается за счет более эффективного взаимодействия электромагнитного поля в волноводе с детекторным СВЧ-диодом. Это достигается за счет локализации электромагнитного поля в поперечном размере порядка λ/3 и длиной (1-4)λ.

Недостатком данного способа является низкая чувствительность приемников излучения, реализующих способ, обусловленная низкой эффективностью фокусировки электромагнитной энергии в области формируемой «фотонной струи» – локализации электромагнитного поля в поперечном размере порядка λ/3 и длиной (1-4)λ.

Задачей, решаемой предлагаемым способом, является повышение чувствительности приемника электромагнитного излучения, за счет повышения концентрации электромагнитного излучения на чувствительном элементе приемника, формируемого зеркальной (отраженной) «фотонной струей» в режиме на «отражение».

Технический результат, который может быть получен при выполнении заявленного способа, – повышение чувствительности и быстродействия приемников электромагнитного излучения.

Поставленная задача решается благодаря тому, что в способе регистрации электромагнитного излучения в ИК, СВЧ и терагерцовом диапазонах длин волн, включающем направление электромагнитного излучения на чувствительный элемент приемника излучения, преобразование его в тепловую или другой вид энергии и осуществление его регистрации, размещения перед чувствительным элементом приемника, со стороны падающего на него излучения, диэлектрическое устройство и формируют непосредственно на его выходе локальную область сконцентрированного электромагнитного поля с поперечными размерами порядка λ/3 – λ/4, где λ – длина волны падающего излучения, помещают в эту область чувствительный элемент приемника, новым является то, что непосредственно за чувствительным элементом приемника размещают отражающий излучение экран, на освещенной стороне которого расположена мезоразмерная диэлектрическая частица, формирующая зеркальную «фотонную струю», в области которой находится чувствительный элемент приемника.

Все известные устройства формирования «фотонной струи» работают в режиме на «пропускание» излучения, т.е. область формирования «фотонной струи» находится с противоположной стороны диэлектрической частицы относительно источника излучения (Boris S. Luk’yanchuk, Ramón Paniagua-Domínguez, Igor Minin, Oleg Minin, and Zengbo Wang. Refractive index less than two: photonic nanojets yesterday, today and tomorrow // Optical Materials Express Vol. 7, Issue 6, pp. 1820-1847 (2017)).

Впервые на возможность формирования зеркальной «фотонной струи» от плоского зеркала c расположенной на нем диэлектрической мезоразмерной частицы указано в работах (И.В. Минин, О.В. Минин. Фотоника изолированных диэлектрических частиц произвольной трехмерной формы – новое направление оптических информационных технологий // выпуск «Вестник НГУ. Серия: Информационные технологии». Т. 12, вып.4. 2014, с.59-70; I.V. Minin, O. V. Minin, V. Pacheco-Peña, and M. Beruete, Localized photonic jets from flat, three-dimensional dielectric cuboids in the reflection mode // Opt. Lett., vol. 40, no. 10, pp. 2329–2332, 2015). При этом формирование зеркальной «фотонной струи» происходит в направлении на встречу падающего излучения. Диэлектрическая мезоразмерная частица может быть выполнена в виде кубоида, усеченной сферы, усеченного цилиндра, сферы и т.п. (Патенты РФ 155915, 160834, 182549; I.V. Minin, O. V. Minin, N.A.Kharitoshin Localized high field enhancements from hemispherical 3D mesoscale dielectric particles in the reflection mode // 16th Int. Conf. on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices EDM 2015 IEEE; Liyang Yue, Bing Yan, James N. Monks, Rakesh Dhama, Zengbo Wang, Oleg V. Minin, and Igor V. Minin. Photonic jet by a near-unity-refractive-index sphere on a dielectric substrate with high index contrast // Annalen der Physik, 530(6), [1800032], DOI: 10.1002/andp.201800032; Yu-Jing Yang, Bao-Rong Yang, De-Long Zhang, Ning Yuan. A new method of Terajet shaping by hollow reflection screen // Optics & Laser Technology, Volume 180, January 2025, 111467). В качестве отражающей поверхности могут использоваться металлические материалы или диэлектрические материалы с высоким показателем преломления. Форма отражающей поверхности может быть плоской (I. V. Minin, C. Y. Liu, Y. C. Yang, K. Staliunas, and O.V. Minin, Experimental observation of flat focusing mirror based on photonic jet effect // Sci. Rep. 10 (2020) art. no. 8459; Cheng-Yang Liu, Yu-Chih Yang, Jin-Yi Lai. Experimental of controllable flat focusing mirror excited by surface plasmon polaritons // Optics Communications Volume 480, 1 February 2021, 126462; Igor V. Minin, Oleg V. Minin, and Igor S. Nefedov Photonic jets from Babinet's cuboid structures in the reflection mode. // Optics Letters Vol. 41, Issue 4, pp. 785-787, (2016)) или вогнутой, например, цилиндрической (Wen Yang, Rong Gao, Yimin Wang, Song Zhou & Juchen Zhang. Reflective photonic nanojets generated from cylindrical concave micro-mirrors // Appl. Phys. A 126, 717 (2020). https://doi.org/10.1007/s00339-020-03918-3) или полусферической (Ksenia A. Sergeeva , Alexander A. Sergeev, Oleg V. Minin and Igor V. Minin. A Closer Look at Photonic Nanojets in Reflection Mode: Control of Standing Wave Modulation // Photonics 2021, 8, 1, 54. https://doi.org/10.3390/ photonics8020054).

Зеркально-отражательная «фотонная струя» представляет собой особый тип электромагнитной субволновой пространственной локализации ближнего поля, возникающей из-за конструктивной интерференции прямых и обратно распространяющихся электромагнитных волн, сфокусированных прозрачной диэлектрической микрочастицей, расположенной на отражающем электромагнитное излучение зеркале. Характеристики зеркальной «фотонной струи» близки к характеристикам «фотонной струи» формируемой в режиме «пропускания» излучения. Интенсивность электромагнитного поля в формируемой зеркальной «фотонной струи» может превышать почти в два раза интенсивность в «фотонной струе», формируемой в режиме на «просвет» (Yury E Geints, Alexander A Zemlyanov, Igor V Minin, Oleg V Minin Overcoming refractive index limit of mesoscale light focusing by means of specular-reflection photonic nanojet // Opt Lett. 2020 Jul 15;45(14):3885-3888. doi: 10.1364/OL.398367).

На Фиг. 1 приведены примеры формирования «фотонной струи» в режиме на «просвет» (а) и в режиме на «отражение» (б) мезоразмерной диэлектрической частицы в форме сферы и плоского отражающего излучение экрана; распределение интенсивности электромагнитного излучения для мезоразмерного диэлектрического кубоида с размерами λ×λ×0,4λ (в) и распределение относительной интенсивности электромагнитного поля для полусферической частицы с R=0,8λ (г) на плоском отражающем экране.

На Фиг. 2 приведена блок схема устройства реализующего предлагаемый способ.

Обозначения: 1 – источник электромагнитного излучения, 2 – диэлектрическое устройство, формирующее «фотонную струю» в режиме на «прохождение», 3 – область концентрации электромагнитного поля с субволновыми размерами фокусировки – «фотонная струя», 4 – чувствительный элемент приемного устройства, 5 – регистрирующее устройство, 6 – зеркальная «фотонная струя», 7 – мезоразмерная диэлектрическая частица, 8 – отражающий электромагнитное излучение экран.

Устройство, реализующее способ, работает следующим образом. Источник электромагнитного излучения 1, соответствующего диапазона длин волн, излучает электромагнитное излучение в направлении диэлектрического устройства 2, выполненного, например, в форме шара или кубоида или усеченного цилиндра или усеченной сферы и выполненных из материала с относительным коэффициентом преломления, находящимся в диапазоне примерно от 1,2 до 1,8, и характерным размером не менее длины волны падающего излучения. Диэлектрическое устройство 2 преобразует и концентрирует падающую электромагнитную волну со сходящимся сферическим волновым фронтом или плоским волновым фронтом в локальную область, формируемую непосредственно у внешней границы диэлектрического устройства 2 по направлению распространения электромагнитного излучения 3, с поперечными размерами порядка λ/3 – λ/4 («фотонной струи» в режиме на «прохождение»). За счет дополнительной концентрации электромагнитного поля в этой области повышается интенсивность излучения на 7-10 дБ, для диэлектрического устройства с характерным размером не менее λ. При больших размерах диэлектрического устройства концентрация электромагнитного излучения увеличивается еще сильнее. Чувствительный элемент приемного устройства 4 размещается в области максимальной концентрации излучения 3. Часть электромагнитного излучения рассеивается и проходит за пределы чувствительного элемента 4 и попадает на мезоразмерную диэлектрическую частицу 7, проходит через нее и отражается от экрана 8. Электромагнитное излучение снова проходит через мезоразмерную диэлектрическую частицу 7 и в результате дифракции и интерференции электромагнитной волны непосредственно на освещенной стороне частицы 7 формируется зеркальная «фотонная струя», которая дополнительно концентрирует электромагнитную волну на чувствительном элементе приемного устройства 4. При взаимодействии «фотонных струй» в режиме на «прохождение» 3 и на «отражение» 6 могут возникать стоячие волны. В этом случае чувствительный элемент размещается в пучностях волны.

Чувствительным элементом 4 осуществляется преобразование падающего электромагнитного излучения, сформированного источником излучения 1, в тепловую или другой вид энергии, и осуществляется его регистрация устройством регистрации 5, например, вольтметром.

Пример выполнения предлагаемого способа. Экспериментальные исследования проводились на волноводном детекторе миллиметрового диапазона длин волн (Патент РФ 169302), состоящем из прямоугольного волновода с короткозамыкателем на одном из его торцевых концов и расположенного внутри волновода перпендикулярно к широким стенкам детекторного СВЧ-диода. На конце волновода, противоположного короткозамыкателю была установлена диэлектрическая частица, формирующая «фотонную струю» при падении на нее электромагнитного излучения и облучающая СВЧ-диод.

При размещении на освещенной металлической плоской поверхности короткозамыкателя мезоразмерной диэлектрической частицы в форме кубоида с показателем преломления 1,51 и толщиной 0,3λ дополнительно формируется зеркальная «фотонная струя», которая освещает чувствительный элемент детектора. Повышение уровня локальной концентрации электромагнитного поля на чувствительном элементе детектора приводит к увеличению чувствительности детектора. Увеличение сигнала на волноводном детекторе дополнительно составило 1,5-1,8 раз на частоте электромагнитного излучения 98 ГГц.

Использование предлагаемого технического решения позволяет просто создавать системы регистрации электромагнитного излучения в ИК, СВЧ и терагерцовом диапазонах длин волн с высокой чувствительностью, уменьшить размеры чувствительных элементов, а значит, и повысить быстродействие приемников электромагнитного излучения.

Использование: для регистрации электромагнитного излучения в ИК, СВЧ и терагерцовом диапазонах длин волн. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют направление электромагнитного излучения на чувствительный элемент приемника излучения, преобразование его в тепловую или другой вид энергии и осуществление его регистрации, размещения перед чувствительным элементом приемника, со стороны падающего на него излучения, диэлектрического устройства и формируют непосредственно на его выходе локальную область сконцентрированного электромагнитного поля с поперечными размерами порядка λ/3 - λ/4, где λ - длина волны падающего излучения, помещают в эту область чувствительный элемент приемника, при этом непосредственно за чувствительным элементом приемника размещают отражающий излучение экран, на освещенной стороне которого расположена мезоразмерная диэлектрическая частица, формирующая зеркальную «фотонную струю», в области которой находится чувствительный элемент приемника. 2 ил.

Способ регистрации электромагнитного излучения в ИК, СВЧ и терагерцовом диапазонах длин волн, включающий направление электромагнитного излучения на чувствительный элемент приемника излучения, преобразование его в тепловую или другой вид энергии и осуществление его регистрации, размещения перед чувствительным элементом приемника, со стороны падающего на него излучения, диэлектрического устройства и формируют непосредственно на его выходе локальную область сконцентрированного электромагнитного поля с поперечными размерами порядка λ/3 - λ/4, где λ - длина волны падающего излучения, помещают в эту область чувствительный элемент приемника, отличающийся тем, что непосредственно за чувствительным элементом приемника размещают отражающий излучение экран, на освещенной стороне которого расположена мезоразмерная диэлектрическая частица, формирующая зеркальную «фотонную струю», в области которой находится чувствительный элемент приемника.