Устройство для измерения вольт-фарадных характеристик Советский патент 1983 года по МПК H01L21/66 

Описание патента на изобретение SU1000947A1

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для проведения контроля качества полупроводниковых и МДП-структур в процессе их производства. Известно устройство для контроля пол проводниковых приборов, которое содержит генератор синусовдального напряжения, источник смещения, образцовое сопро тивление, усилитель, выпрямитель и само писец t . Объект измерения (МДП-структура) и образцовое сопротивление образуют емкое тно-омический делитель для синусоидального напряжения. Напряжение на выходе выпрямителя пропорционально значению импеданса измеряемого объекта при . условии, что значение образцового сопротивления много меньше значения импеданса исследуемого объекта. Сложность выполнения данного условия в широком диапазоне измерения параметров исследуемого объекта существенно снижает точность измерения. Наиболее бдазким к предлагаетлому является устройство для измерения вольтфарадных характеристик, содержащее первый сумматор ервый вход которого соединен с выходом источника смещения и первым входом регистрирующего блока, а JTOрой вход подключен к генератору тест-сигнала и через переменный конденсатор к выходу переключателя, выход первого сумматора соединен с одной клеммой для подключена испытуемого прибора, а его другая клемма соединена с входом пер вого операционного усилителя, первым выходом переключателя и первой обкладкой первого образцового конденсатбра, вторая обкладка которого подключена к входу выпрямителя, выход которого соединен с вторым входом регистрирующего блока 2 . К недостаткам данного устройства относится низкая точность измерения за счет наличия погрешности статизма, вызванной конечностью коэффишгенга усиле- ния усилителя. Эта погрешность пропорциональна величине I/К (5 , где К коэАфициенг усиления усилителя, а 3 - коэффициент передачи цепи обратной связи. Так как |% в каждом диапазоне меняется в единицы-десятки раз, а К (при использовании тест-сигнала, меняющегося в ши роком диапазоне частот) невелико, то по решность устройства достаточно велика (до десятков процентов). Цель изобретения - повышение точнос ти измерения. Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения вольтфарадньгх характеристик, содержащее первый сумматор, первый вход которого сое динен с выходом источника смещения и .первым входом регистрирующего блока, второй вход сумматора подключен к гене ратору тест-сигнала и через перемен ный конденсатор к В1 1ходу переключателя выход первого сумматора соединен с одной клеммой для подключения испытуемого прибора, а его другая клемма соединена с входом первого операционного усилителя, первым выходом переключателя и первой обкладкой первого образцового конденсатора, вторая обкладка которого подключена к входу вьшрямителя, выход которого соединен с вторым входом регистрирующего блока, введены вто рой операционный усилитель, второй об- разцовый конденсатор и второй сумматор причем вход второго операционно х усилителя соединен с вторым выходом перек лючателя и первой обкладкой второго образцового конденсатора, вторая обкладка которого соединена с выходом второго операционного усилителя и первым входом второго сумматора, второй вход которого подключен к выходу первого операционного усилителя, а вьгход - к входу выпрямителя. На чертеже представлена структурная схема предлагаемого устройства. Устройство содерхогт источник напряжения смещения, генератор 2 (синусоидального) гест-сигнала, сумматор 3, объект 4 измерения (С), операционный усилитель 5, образцовый конденсатор 6 (С0 ), выпрямитель 7, устройство 8 для обработки информации, переменный конденсатор 9 (Cj), переключатель Ю, второй операционный усилитель 11, второй образцовый конденсатор 12 (CQ ) и второй сукгмогор 1-3. Устройстг.о работает следующим образом. В начальный момент времени переклю чатель II ппходптся в положении I. К сследуемой МДП-структуре 4 прикладыается cyN-iMa синусоидального тест-сигала UQ с выхода генератора, 2 и напряжение смещения Upj от источника I напряжения смещения. Напряжение U g,|x на выходе второго сумматора 13 , .М Zo ивыхГ о кр, где UQ - значение напряжения тестового сигнала на выходе сумматора 3; -значение сопротивления образцового конденсатора 6; -значение сопротивления исследуемого объекта 4 измерения; « 2.к. рс - значение сопротивления переменного компенсируюшего конденсатора 9; .o z.,tz, Изменял значение переменного конденсатора 9 добиваются равенства-нулю напряжения О g,,5 на выходе второго сумматора 13. При равенстве нулю напряжения и gjj, значение 2 Z . После этого переключатель Ю устанавливается в положение 2. Значение напряжения и на выходе операционного усилителя II равно i-z-o v-o -TTiT. где2;Напряжение на выходе операционного усилителя 5 равно . U2-k(Uo-I-z j; . где, Uo-ивы С/; Поставив вьфажение (4) в (3), получимu -- viUo-iJBbiM);;7d из которого с учетом вьфажения (2) и того, что - 8blx4Ll,VU,)(t4i), после несложных преобразова1шй пол5П1ИМ Ра fi 8ЫХ 02;. i.l. XfBi Погрешность коэффициента передачи всего усгройсгва 1 oZ:x 1 + r-:r-f urVi. Kfii ()( kp.,/ после несложных преобразований и пренеб режения вел1 чинами второго порядка малосги приводится к виду -И-/ «fi. 51. Учитывая, что ZQ - Z. , ; выражение (8) приобретает вид . Т. е. погрешность передачи всего устройс ва определяется погрешностью сумматора 13, сниженной в К (5/1 раз. Напряжение ( выпрямляется блоко 7 и регистрируется с помощью самописца 8, Далее, переводя переключатель Ю в положение I, изменяют напряжение смещения на выходе генератора I смещений. При этом изменяется значение сопротивления 2 ) исследуемой структуры4.Изменяя значение сопротивления компенсирующего конденсатора 9 (Zj), добиваются равенства его новому значению сопротивления исследуемого объекта Z. описанным выше образом. После достичения равенсгва L Zy переводят переключатель Ю в положение 2 и фиксируют, с по мощью самописца 8 новое значение U gj,| пропорциональное значению 2i х . Повторя эти измерения, записывают по точкам вольт-фарадную характеристику исследуемой структуры. При этом погрешность по сравнению с устройством-прототипом уменьшается в К j3 раз. При воздействии на исследуемый объект пилообразного напряжения смещения, когда значение компенсирующего соп ротивления выбирается один раз, значение погрешности коэффициента передачи всего устройства зависит от тогч), какое значение компенсирующего сощюгивления Z мы выбираем. При этом погрешность измерения в каждой точке вольт-фарадной характеристики определяется в соответствии с вьфажением (7), откуда видно, что погрешность измерения много меньше, чем в известных устройствах. Формула изобретения Устройство дг1Я измерения вольт-фарадных характеристик, содержащее первый сумматор, первый вход которого соединен с выходом источника смещения и первым входом регистрирующего блока, а второй вход подключен к reHepatxjpy тест-сигнала и через переменный конденсатор к выходу кереключателя, выход первого сумматора соединен с одной клеммой для подключения испытуемого прибора, а его другая клемма соединена с входом первого операционного усилителя, первым выходом переключателя -и первой обкладкой первого образцового конденсатора, вторая обкладка которого подключена к входу выпрямителя, выход которого соединен с вторым входом регистрирующего блока, о тли чающееся тем, что, с целью повышения точности измерения, в него введены второй операционный усилитель, второй образцовый конденсатор и второй сумматор, причем вход второго операционного усилителя соединен с вторым выходом переключателя и первой обкладкой второго образпового конденсатора, вторая обкладка оторого соединена с выходом второго операционного усилителя и nepBbnvi входом второго сумматора, вамзрой вход которого подключен к выходу первого операционного усилителя, а выход - к входу вьшрямителя. Источники информации, принятые во внимание гфи экспертизе 1.Концевой Ю. А. , Купии В. Д. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. М., Энергия, 1973, с. 26. 2.Близин В. И. и др. Прибор для измерения и регистрации вол1,т-фпрадных характеристик полупроводнш овык структур. - Приборы и системы упргшления, 1978, №.7, с. 23 vnpoTonin).

Похожие патенты SU1000947A1

название год авторы номер документа
Устройство для измерения параметров МДП-структур 1983
  • Балтянский Сема Шлемович
  • Зверева Валерия Вадимовна
  • Кузнецов Станислав Алексеевич
  • Мельников Аркадий Алексеевич
  • Михеев Юрий Николаевич
  • Фельдберг Семен Михайлович
  • Чернецов Константин Николаевич
SU1100590A1
Устройство для регистрации вольтфарадных характеристик 1977
  • Балтянский Сема Шлемович
  • Зверева Валерия Вадимовна
  • Кузнецов Евгений Николаеич
  • Лях Станислав Евгеньевич
  • Рыжевский Алексей Гордеевич
  • Фельдберг Семен Михайлович
  • Цыпин Борис Вульфович
  • Чернецов Константин Николаевич
SU658508A1
Устройство для контроля деградации МДП-структур 1990
  • Балтянский Сема Шлемович
  • Зверева Валерия Вадимовна
  • Карпанин Олег Валентинович
  • Лихацкий Леонид Григорьевич
  • Метальников Алексей Михайлович
  • Чернецов Константин Николаевич
  • Шубин Вячеслав Семенович
SU1783454A1
Устройство для регистрации вольт-фарадных характеристик 1989
  • Рыжов Виктор Федорович
  • Рябинин Валерий Иванович
  • Чумаков Александр Александрович
SU1674016A1
Устройство для регистрации вольтфарадных характеристик 1985
  • Каменев Леонид Васильевич
  • Рыжов Виктор Федорович
  • Цыпин Борис Вульфович
  • Чумаков Александр Александрович
  • Шварев Сергей Викторович
SU1269060A1
Устройство для измерения электрофизических параметров МДП структур 1980
  • Мартяшин Александр Иванович
  • Рыжов Виктор Федорович
  • Мельников Аркадий Алексеевич
  • Светлов Анатолий Вильевич
  • Цыпин Борис Вульфович
  • Чайковский Виктор Михайлович
SU905885A1
Устройство для регистрации вольт-фарадных характеристик 1978
  • Путилов Виктор Геннадьевич
  • Рыжов Виктор Федорович
  • Цыпин Борис Вульфович
  • Рябинин Валерий Иванович
SU763821A2
Преобразователь параметров пассивных двухполюсников 1983
  • Мартяшин Александр Иванович
  • Цыпин Борис Вульфович
  • Чайковский Виктор Михайлович
SU1087922A1
Измеритель электрофизических характеристик МДП-структур 1980
  • Мартяшин Александр Иванович
  • Светлов Анатолий Вильевич
  • Цыпин Борис Вульфович
  • Чайковский Виктор Михайлович
SU924635A1
Преобразователь параметров трех-элЕМЕНТНыХ дВуХпОлюСНиКОВ 1979
  • Маланин Владимир Павлович
  • Чернецов Константин Николаевич
SU817608A1

Иллюстрации к изобретению SU 1 000 947 A1

Реферат патента 1983 года Устройство для измерения вольт-фарадных характеристик

Формула изобретения SU 1 000 947 A1

SU 1 000 947 A1

Авторы

Лелявин Виктор Викторович

Михеев Юрий Николаевич

Мельников Аркадий Алексеевич

Морозов Николай Васильевич

Осадчий Евгений Петрович

Рябинин Валерий Иванович

Рыжова Татьяна Николаевна

Чернецов Константин Николаевич

Фельдберг Семен Михайлович

Даты

1983-02-28Публикация

1981-10-13Подача