Оптоэлектронный датчик перемещений Советский патент 1983 года по МПК G01B21/00 

4

Од

ел

Изобретете относится к контрольноизмерительной технике и может быть

яспопьэоваяо в следящих устройствах автоматвкн, маишностроенвя в вычиспт тельной технике в качестве оптоэлектро Ш)го двухкоординатного позипионно«-чувст«

, вительЕюго датлика.

Известен оптоэл троншлй датчик п&«

ремешений, содержащий источщк света и уставоавлевные 1юслед «ательво по ходу светового луча диафрагму со щелью, связыва&лую с контролируемым объектом, и фотореэистор с тремя проводящими , электродами, при этом щель выполнена в виде протяженного отверсттш вдоль одной из координат l.

Недостаткслл датчика являются узкие функциональные воамокности, так как не обеспечивается измерение перемещения одновременно по кёхуы. координатам.

Целыб изобретения является расширение функциональных возможностей.

Поставленшя цель достигается тем, что в оптоэлектронном датчике перемещений, содержащем источник света и уставовлениые последовательно по ходу све тового луча диафрагму со щелью, связываемую с контроаируо«1ым объекте, и фоторезистор с тремя проводящими электродами, фоторезистор выполнен квадратным и снабжен Г-образным электродом, расположенным вдоль двух смежных сто рон квадрата фоторазистора, первый электред расположен на биссектрисе угла образованного смежными сторонами с расположенным вдоль них Г-образным электродам, второй и третий электроды распопожёвы параллельно смежным сторонам Г-обрвзйого электрода, а щель диафрагмы выпопиена Г-образной и ориентирована относительно фоторезистора так, что каж. дая из ее сторон перпендикулярна соответствующей сторо1Ш Г-образного электрода.

На чертеже изображена схема датчика.

Датчик состоит из источника 1 света, диафрагмы 2 с щелью, фоторезистора с диэлектрическим 3 и фотопроводящим 4 слоями, проводящими электродами 5-7 и Г-юбразнь1М электродом 8.

Датчик работает следующим образом.

При попадании светового зонда 9 от Г-образной щели диафрагмы 2 на фотопроводящий слой 4 ток от внешнего источника напряжения (юфи напряжении U(j:) поступает на проводящий электрод 6, разветвляется через засвеченные учас ки фотопровод ящего 4 слоя, поступает на электроЩ) 5 и 7 затем с; них через засвечеиные участки (нагрузочные) фотопроводящего 4 слоя поступает на электрод 8 и с него на другой,полюс источника питания, при этом ток создает соответствующие падения напряжения Ux в иа участках (нагрузоч|а 1х) фотопроводящего 4 слоя, заключенных между электродами 5 и 8, 7 и 8, которые иопользуются в качестве выходных нагру. зочных сопротивлений. При перемещении 2, связываемой с исследуемьАъ{ объектом, вдоль коордииатных осей изменяются длины засвеченных учасков фотопроводящего 4 слоя, заключены между элёктродами 5,6 и 6,7 что приводит к пропорциональному H vt нению выходнь1х напряжений U х сг 1) .

Таким образсхд, за счет снабжения датчика Г-образным электроде и его соответствующетхэ расположения относительно других электродов фоторезистора, а также за счет выполнения щели Г-оёразной, обеспечивается возможность получения информации о пере мещенив объекта по двум координатам и, следовательно, расширяются его функциональные возможнсюти.

ОПТОЭЛЕКТРОНЙЫЙ ДАТЧИК ПЕРЕМЕЩЕНИЙ, содержащий источник света в згставбвпеввые поспедовательво по яо«у сйетовогч луча диафрагму со , свя{зыва0у(ую с ковтролируемым oGtieitroM, и фоторвэистор с тргала провсщящШи дпектрода, о т л и ч а НУ; Ш и И с я т&л, что, с цепью расширевиа его фувкциовальвык возможностей,{фото резистор выпоЛвен квадратвым и Г-образвым электродом, расположешшм ВДОЛЬ двух смежных сторов квадрата фоторезистора, первый электрод распол жев ва биссектрисе угла, образоваввого смежвыми сторовами фотч резистора с рас1юложеввык1 ВДОЛЬ вих Г-образвым / ; злектродом, второй и третий,электроды расположен параллельво смежвым сто ровам Г-б бразноРо электрода, а шель дшфраты ВБшолвева Г-ч бразш й и евтироваВа отвосш льво фоторезистора так, что каждая из -. сторов перювДВкулярва соответствующей сторове Г-о&разво1Ч) электрода. §