Преобразователь поверхностных акустических волн Советский патент 1983 года по МПК H03H9/145 H03H9/42 H03H9/64 

1(1эобретение относится к радиоэлек тронике и может быть использовано в устройствах обработки сгигналов на по верхностных акустических волнах (ПАВ Известен преобразователь ПАВ/ в котором взвешивание интенсивности возбуждения ПАВ встречно-штыревыми электродами осуществляется путем изменения величины резистивной связи этих электродов с контактными площад ками. Этот преобразователь содержит пьезоподложку и расположенные на ее поверхности две электродные структуры - основную, состоящук из двух разнополярных групп электродов и дополнительную структуру в виде одной группы электродов, выполненных из резистивного покрытия, при этом каждый электрод дополнительной структуры с одной стороны гальванически сое динен с первой контактной площадкой, другой стороны гальванически соедине с соответствующим электродом одной из разнополярных групп электр дов, а электроды второй разнополярно группы основной структуры гальванически связан - со второй контактной площадкой 11. . Недостатками указанного устройств являются технологические трудности изготовления и невысокий процент выхода годных изделий. Наиболее близким к предлагаемому является преобразователь ПАВ, содержащий пьезоподложку и расположенные на ее поверхности в параллельных аку тических каналах две электродные структуры , каждая из которых содержит контактные площадки и две разнополярные группы перекрывающихся штыревых .электродов, причем штыревые электроды одной из групп обеих электродных структур гальванически соединены между собой, штыревые электро ды другой группы соединены гальванически с соответствующей контактной площадкой, а перекрытие штыревых электродов в одной из электродных структур выполнено неравномерным С23 Недостатком известного преобразователя является наличие значительных искажений (АЧХ) амплитудно-частотной характеристики в полосе пропускания, возникающие из-за наличия паразитных емкостей между группами электродов, которые особенно проявляются в облас ти с малыми перекрытиями электродов. Цель-изобретения - уменьшение искажений АЧХ преобразователя. Поставленная цель достигается тем что в преобразователе ПАВ, содержаще пьезоподложку и расположенные на ее поверхности в параллельных акустичес ких каннах две электродные структуры, каждая из которых содержит контактные, площадки и две разнополярные группы параллельных перекрывающихся электродов, причем штыревые электрод одной из групп обеих электродных структур гальванически соединены между собой, штыревые электроды другой группы соединены гальванически с соответствующей контактной площадкой, а перекрытие штыревых электродов, в первой электродной структуре выполнено неравномерным, между электродами первой электродной структурй расположено резистивное покрытие. На чертеже показана структурная схема предлагаемого преобразователя ПАВ. Преобразователь содержит пьезоподложку 1 и расположенные.на ее поверхности в области 2 две электродные структуры 3 и. 4, каждая из которых содержит контактные площадки 5 и б и две разнополярные группы параллельных штыревых электродов 7, 8 и 9, 10 соответственно. В структуре 3, по меньшей мере, часть электродов имеет перекрывающиеся участки разной величины. Все электроды 9 и 10 в структуре 4 имеют перекрытия равной протяженности. При этом расстояние между центрами смежных электродов в различных группах могут быть выбраны различными. В пространстве между электродами 7 и 8 размещено резистивное покрытие 11. Электроды 10 гальванически соединены с контактной площадкой 6, а электроды 9 отделены от нее зазором и гальванически соединены с электродами 8. Электроды 7 гальванически соединены с контактной площад- . кой 5, электроды 8 отделены от нее зазором. Кс1ждый электрод 9 электрически связан с контактной площадкой 5 посредством емкостно-резистивной связи, которая образована электродами Б и резистивным покрытием 11. Величина этой емкостно-резистивной связи зависит от величины перекрытияэлектродов 9 и 10 и удельного с о противления резистивного покрытия и варьируется по длине преобразователя в соответствии с законом изменения перекрытия Электродов 7 и 8. Указанный закон определяется по импульсному отклику устройства. Устройство работает следующим об-разом. При подаче высокочастотного сигнала от генератора 12 на контактные площадки 5 и 6, между электродами 9 и 10 структуры 4 возникает знакопеременная разность потенциалов. Напряжение между электродами и, следовательно, величина заряда на каждом из электродов 9 и 10 зависит от величины перекрытий электродов структур 3 и 4, а также величины удельного сопротивления резистивного покрытия. В результате в материале подложки 1 возбуждаются ПАВ. Амплитуда волны, возбуждаемой каждым электродом, пропорциональна величине заряда на них .. t tff, J

5,1015484

И, следовательно, зависит от величи- Использование, изобретения позволяны участков перекрытия электродов 7,ет уменьшить искажения АЧХ устройст-:

8 и 9, 10, а такие величины удельно-ва за счет того, что при соответствуго сопротивления покрытия 11. Такимищем выборе материала резнстивно:

образом, в преобразователе осуществля-покрытия имеется возможность пренеется В8вед1ивание интенсивности вдэ- бречь наличием паразитной емкостной

СХ Двмия ПАВ в соответствии с задан-свяи между электродами из-за наличия

ным импульсным откликом. При этом ПАВ,переходной области 13, необходимой

возбуждаемел структурой 4, имеет рав-для гальванической связи структур 3 , номерный волновой фронт по апертуре Предлагаемый преобразовгСФёль имелуча, так как электроды 9 и 10 имеют 10ет АЧХ с малыми искажениями и техноодинаковые, участки перекрытия.логнчв в изготовлении.

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ГОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН, содержащий пьезоподложку и расположенные на ее поверхности две электродные структуры, каждая из.которых содержит контактные площадки и две разнополярные группы параллельных перекрывахшщхся штыревых эяектродов, причем штыревые злектроды одной из групп обеих элек тродных структур гальванически соединены между собой, штыревые э ектроды другой группы соединешл гальванически с соответствующей контактной площадкой , а перекрытие штыревых электродов в первой электродной структуре выполнено неравномерным, отличающийся тем, что, с.целью уменьшения искажений амплитудно-частотной характеристики, междуэлектродами первой электродной структуры расположено резистивное покрытие.