Детекторная секция Советский патент 1983 года по МПК G01R21/12 

; Изобретение относится к радиотехнике, в частности к технике СВЧ. Известны детекторные секции, в которых полупроводниковый диод устанавливается на диэлектрической подложке в зазрре щелевой линии, а под ложкакрепится в пучности напряженности электрического поля по/централ ной оси отрезка прямоугольного волновода, замкнутого с одной стороны короткозамыкающим поршнем. Одна из проводящих линий, образующих щелевую линию, изолирована от широкой стенки отрезка прямоугольного волновода и гальванически соединена с токосъем ником .13-. Недостатком известной детекторной секции является наличие утечки СВЧ мощности в зазоре между широкой стенкой волновода и изолированн:ым от нее проводником щелевой линии, что приводит к неравномерности амплитуд но-частотной характеристики детекторной секции. Цель - уменьшения неравномерности а1 /1плитудно-частотной характеристики Цель достигается тем, что в детекторной секции, содержащей коротко замкнутый на одном конце отрезок прямоугольного волновода, внутри, ко торого параллельно узкой стенке рас положен отрезок щелевой линии, на одной поверхности диэлектрической Подложки которой между первым, проводящим слоем, гальванически соединенным с одной из широких стенок, отрез ka прямоугольного волновода, и изолированным от нее вторым проводящим слоем включен полупроводниковый диод на второй поверхности диэлектрической подложки напротив второго проводящего слоя нанесен проводник и гальванически соединен с другой широ кой стенкой отрезка прямоугольного волновода, при этом оба проводящихслоя выполнены с плавными скосами, смещенными относительно друг друга на четверть длины волны в отрезке прямоугольного, волновода, а вдоль узкой стенки установлен поглотиогель с, плавным скосом к незамкнутому концу отрезка прямоугольного волновода На фиг.1 представлена конструкция предлагаемого устройства; на фиг.2 разрез AwA на фиг,1; на фиг.З, график зависимости f / /О. Детекторная секция выполнена в виде отрезка прямоугольного волново да 1, в котором установлена диэлектрическая подложка 2, имеющая на одной поверхности проводящие слои 3 и 4, образующие щелевую линию. На второй поверхности диэлектрической подложки напротив второго проводящего слоя 3 установлен проводник 5, повторяющий конфигурацию проводящего слоя 3, Первый проводящий слой 4 и проводник 5 гальванически соединены с широкой стенкой волновода. Между первым и BTOpiJiM проводящими слоями-; щелевой линии расположен полупроводниковый диод 6. Вдоль .узкой стенки отрезка -прямоугольного волновода установлен объемный поглотитель 7, имеющий плавный скос к, внешней нагрузк-е волновода. Проводящие слои 3 и 4 на подложке также имеют скосы, начала которых в щелевой линии- смещены друг относительно друга на четверть длины волны, распространяющейся в волноводе. Вывод продетектировэнного сигнала осуществляется через токосъемник 8, Устройство работает следующим образом, СВЧ мощность поступает из внешней высокочастотной линии передачи через конусные переходы в щелевой линии на полупроводниковый диод 6, продетектированный сигнал снимается с токосъемника 8, СВЧ колебания не распространяются между проводящим слоем 3 и широкой стенкой волновода из-за налииия блокировочной емкости, образованной проводящим слоем 3 и проводником 5, замкнутым на широкую стенку волнов.ода. Активное и реактивное сопротивление диода согласовано плавными скосами в щелевой линии и в объемном поглотителе. Детекторнаясекция (фиг,1) с раз-.i мерами Ь/а 0,44; . 0,37; Ь./а 0,21; 8н/а 0,38; 0,78; Из/а .2,4; ./а 1,4; 0,035, hVa 0,11; t/a 0,00,w/a 0,07. имеет амплитудно-частотную характеристику, изображенную на фиг.З. В Ней использован полупроводниковый диод типа ЗА 112А при подаче на него постоянного смещения 0,55 В и входной мощности СВЧ Pf, 20 мВт. Из фиг, 3 следует, что в диапазоне длин волн порядка 43% неравн.омерность амплитудно-частотной характеристики не превышает 0,8 дБ.

вых.В

0.12 0J08 0,0

1,2 /,3 /,« 1,5 1 и 1,8

фиг. 2 фиг,

ДЕТЕКТРРНАЯ СЕКЦИЯ, содержащая короткозамкнутый на одном конце отрезок прямоугольного волновода, внутри которого пардиплельно узкой стенке расположен отрезок щелевой линии, на одной поаврхности диэлектрической подложки которой между первым проводящим слоем, гальванически соединенным с одной из широких стенок отрезка прямоугольного /« волновода, и изолированным от нее вторым проводящим слоем включен полупроводниковый диод, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения неравномерности амплитудночастотной характеристики, на второй поверхности диэлектрической подложки напротив второго проводящего слоя нанесен проводник и гальванически соединен с другой широкой стенкой отрезка прямоугольного волновода, при этом оба проводящих слоя вьшолнены с плавными скосами, смещенными относительно друг друга на четверть длины волны в отрезке прямоугольного волновода, а вдоль узкой стенки установлен поглотитель с плавным скосом. § к незамкнутому концу отрезка прямоугЪльного волновода. S М М