Устройство для определения толщины волокнистых материалов Советский патент 1983 года по МПК G01B7/06 

I Изббо тение относится к измерительной технике и может быть исполь зовано для измерения толщины волок чистых материалов. Известно устройство для контроля толщины волокнистых материалов, содержащее источник света, фотоприемник и блок обработки измерительного сигнала Г 1 1« Недостатки известного устройства невысокая надежность и низкая чувствительность. Наиболее близким к предлагаемому является устройство для определения толщины вoлoкнV1cтыx материалов, содержащее источник питания, первый транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор подключен к выходу источника питания, эмиттер соединен с общим проводом непосредственно,а база - через второй резистор, второй транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор, а эмиттер через второй ре зистор соединен с выходом источника питания, а база подключена к кол лектору первого транзистора, светодиод, включенный между эмиттером вт рого транзистора и общим проводом, и фоторезистор, включенный между бааой первого и коллектором второго транзисторов 2 Недостатками устройства являются невысокая чувствительность и неширокий диапазон измерения, Цель изобретения - повышение чув ствительности и расширение диапазона измерения. Поставленная цель достигается тем, что устройство для определения толщины волокнистых материалов, содержащее источник питания, первый транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор подключен к выходу источника питания, эмиттер соединен с общим проводом непосредственно, а база через второй резистор, второй транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор, а эмиттер через второй резистор сое динены с выходом источника питания, а база подключена к коллектору переого транзистора, светодиод, включенный между эмиттером второго тран зистора и общим проводом, и фоторезистор, включенный между базой первого и коллектором второго транзис 10JТОРОВ, снабжено третьим транзистором с Двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор, а эмиттер через второй резистор соединены с выходом источника питания, а база соединена с коллектором второго транзистора и дополнительным светодиодом, включенным.между эмиттером третьего транзистора и общим проводом. На чертеже приведена электрическая схема предлагаемого устройства. Устройство содержита первый транзистор 1 с двумя резисторами 1.1 и 1.2, второй транзистор 2 с двумя резисторами 2.1 и 2,2, третий транзистор 3 с. двумя резисторами 3.1 и 3.2. светодиод i, включенный между эмиттером транзистора 2 и общим проводом, дополнительный светодиод S, включенный между эмиттером транзистора 3 и общим проводом, фоторезистор 6 и источник 7 питания. Устройство работает следующим образом. При подключении устройства к источнику 7 питания первый транзистор 1 закрыт из-за большого темнового сопротивления фоторезистора 6 обратной связи. Второй транзистор 2 открыт. Через светодиод k протекает ток, вызывающий свечение светодиода , Под действием потока излучения светодиода k проводимость фоторезистора 6 начинает увеличиваться. Koi- да сопротивление фоторезистора 6 достигает определенной величины, соответствующей порогу отпирания первого транзистора 1, транзистор 1 отпирается, и вследствие этого второй транзистор 2 запирается. Светодиод гаснет. Теперь сопротивление .фоторезистора 6 спадает. Когда величина проводимости фоторезистора 6 достигает соответствующей величины напряжения запирания транзистора 1, транзистор 1 запирается, и вследстие этого отпирается второй транзистор 2 . Светодиод снова начинает излучать, и цикл повторяется. Уровень темновой проводимости фоторезистора 6 смещается в зависимости от интенсивности потока излучения, поступающего на фоторезистор 6 от дополнительного светодиода 5 через контролируемый объект. При изменении толщины материала изменяется интенсивность прошедшего потока и, следовательно, изменяется часj ,4

тота колебаний на выходе устройства.1 чески связан с первым светодибдом ,

Небольшие .изменения значения темно-срыва генерации не происходит. Вывой проводимости фоторезистора при-бором определенной величины тока

.водят к значительным изменениям ча-светодиода 5 обеспечивается необстоты повторения импульсов, генери-j ходимый диапазон измерения,

руемых генератором, что обеспечива-Изобретение позволяет повнгемть

ет высокую чувствительность устрой-чувствительность и расширить диапаства. Так как фоторезистор 6 опти-зон измерений.

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ВОЛОКНИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащее источник питания, первый транзистор с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор подключен к выходу источника питания, эмиттер соединен с общим проводом непосредственно, а база через второй резистор, второй транзистор с двумя резисторами, коллектор которого мерез Первый резистор, а эмиттер через второй резистор соединены с выходом источника питания, а база подключена к коллектору первого транзистора, светодиод, включенный между эмиттером второго транзистора и общим проводом, и фоторезистор, выключенный между базой первого и коллектором второго транзисторов, от ли ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения чувствительности и расширения диапазона измерения, оно снабжено третьим транзистором с двумя резисторами, коллектор которого через первый резистор, а эмИттер через второй резистор соединены с выходом источника питания, а базе соединена с коллектором второго транзистора и дополнительным светодиодом, включенным между эмиттером третьего транзистора и общим проводом. оо 01