Фундамент Советский патент 1983 года по МПК E02D27/02 

«JL

фиг.1

(/)

J. О (

:о

N0 t

Изобретение относится к строи- тельству, а именно к конструкциям фундаментов мелкого заложения.

Известен фундамент мелкого заложения, включающий заглубленную в грунт и заполненную сыпучим материалом вертикальную оболочку и опорный блок, установленный на сыпучем материале l . .

Недостатком этого фундамента является его ограниченная несущая способность.

Наиболее близким к изобретению является фундамент, включающий за-. глубленную в грунт и заполненную сыпучим материалом вертикальную оболочку , опорный блок, установленный на с.ыпучем материале и выполненный с углублением в центральной части его подошвы, и короткую сваю, верхНИИ конец которой заведен в углубление подошвы опорного блока, а нижний - заглублен в сыпучий материал 2 .

Недостатком этого фундамента явля ется невозможность регулирования несущей способности фундамента.

Целью изобретения является обеспечение регулирования несущей способности фундамента.

Поставленная цель достигается тем, что фундамент, включающий заглубленную в грунт и заполненную сыпучим материалом вертикальную оболочку, опорный блок, установленный на сыпучем материале и выполненный с углублением в центральной части его подошвы, и короткую сваю, ве, -:,;.й конец которой заведен в углубление подошвы опорного блока, а

нижний - заглублен в сыпучий материал, снабжен вдавливающим fexaнизмoм взаимодействующим с верхним торцом короткой сваи.

На фиг. 1 изображен фундамент, общий вид; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.

Фундамент состоит из опорного блока 1 с раположенной вокруг него по периметру ограждающей конструкцией оболочкой 2. В теле блока вмонтирована короткая свая 3, имеющая возможность перемещения в вертикальной плоскости вдоль вертикальной оси фундамента. Сверху над короткой сваей 3 располагается вдавливающий механизм , доступ к которому осуществляется через технологические отверстия 5.

При внедрении короткой сваи 3 в грунт засыпки оболочки 2 происходит вытеснение грунта, вызывающее сдвиги в основании и приводящее к изменению его напряженного состояния и плотности. Волна сжатия грунта, образование которой связано с .процессом внедрения сваи, распространяясь в основан 1и, отражается от стенок оболочки 2, препятствующих боковому расширению грунта. В результате столкновения прямой и обратной волн сжатия в грунтовом основании возникает сложное напряженное состояние, увеличивающее сцепление между частицами грунта, а в отдельных случаях и измене-: ние плотности. Происходит как бы предварительное обжатие грунта, образование уплотненного основания со средним модулем деформации, превышающим модуль деформации неуплотненного грун та. Такое искусственное основание обладает .повышенной несущей, способностью и уменьшает возможность осадки фундамента. В зависимости от степени внедрения сваи в основание можно добиваться различной .степени обжатия грунта, изменяя несущую способность основания и осадку фундамента в некотором диапазоне.

Применение фундамента позволяет регулировать несущую способность фундамента и грунта основания путем изменени я его напряженного состояния.

ФУНДАМЕНТ, включающий заглубленную в грунт и заполненную j сыпучим материалом вертикальную оболочку, опорный блок, установленный на сыпучем материале и выполненный с углублением в центральной части его подошвы, и короткую сваю, верхний конец которой заведен в углубление подошвы опорного блока, а нижний - заглублен в сыпучий материал, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулирования несущей способности фундамента, он снабжен вдавливающим механизмом, взаимодействующим с верхним торцом короткой сваи. .