Устройство для изменения фокусного расстояния Советский патент 1983 года по МПК G02F1/29 

1.1 Иэобретен 1е относится к оптигке, в частности к устройствам цпя изменения фокусного расстояния оптических сиотем. Известно устройство цпя изменения фокусного расстояния, соцержащее| . ппоскопаралпельную попупровоцникоьуго пластину из германия с двумя контактам и областями повышенной скорости рекомб1шации, помешенную в струбцину l Нецостатком устройства явгшется низкая точность фокусировки изпучения. Наибопее близким к прецпагаемому по технической сущности и аостигае- эффекту является устройство измеиения фокусного расстояния, соцер- жащее попупровоцниковую пластину с контактами, источник электрического .напряжения и магнит 2 . Недостатками устройства гшляются уэкий диапазон изменения фокусного расстояния и низкая точность фокустфов Цепь изобретения - расширение циа- пазона изменения фок сного расстояния и увепиче ше точности фокусировки. Поставленная цель достигается тем, что в устройстве цпя изменения фокуоного расстояния, содержащем попупровоц виковую пластину с контактами, источник электрического напряжения и мвгвдт, магнит снабжен средством цпя изменения напряж.екности магнитного Г1оля,контактьп вьшопнены такой формы, что расстояние меж-ду ними изменяется по пшейному закону и ппастина содержит области с высок скоростью рекомбинации на обеих, лсдаерк ностях, распопоженнь:е между электро нами параллельно магнитным силовым пиниям, На чертеже показана конструюдия уст ройства. Устройство содержит источник электромагнитного излучения полупроводв:иковую пластину 1 с электрическими KOHTan тами 2, магнит 3. Пластина 1 имеет области 4 с повышенной скоростью рекомбинации. Контакты 2 ппастины поцк.. пючены к источнику 5 электрического НЕШряжения. Устройство работает следующим обра эом. На полупроводниковую пластину 1 с помощью электрическик контактов накпацыБвют градиентное электрическое поле и оцнороцное управляемое магннтное по™ . пе, Еспи поток носителей заряда по направлению совпадает с возрастанием си« ды Лоренца, то наблюдается эффект исто 482 щения вспецствие того, что на носители заряда действует сила Лоренца, разгагчная по толщине пластины 1, и носители, находящиеся в попе действия более сильной сипы Лоренца быстрее поставляются к поверхности 4 пластины 1 и там рекомбинируют, чем носители, находяи.1иеся в попе действия более слабой силы Лоренца, Еспи направление носителей заряда не совпадает с направлением увеличения силы Лоренца, то вследствие набегания электронов друг на друга наблюдается эффект обогащения, который уменьщает ся уменьшением сипы Лоренца. Значит в первом случае проводимость попупровоцниковок пластины уменьшается , а во втором увеличивается. Таким образом, в результате перераопрецеления электро шо цырочнык пар по толщине пластины 3. возникает градиент концентрации; направленный к центру пластины при обогащении или к верхнему илн нижнему основаниям при истощении. Изменение концентрации свободных носи- тепей заряца вецет к изменению показателя преломления, т, е. к градиенту показателя ):реломления противоположно иапр.авпенного по сравнению с градиентом ко11центр.ации свободных носителей заря™ . f - gco- n 1 где EOQ . циэпектрическая проницаемость полупроводника п концентрация свободных носи тепей эйряда; А - константа, зависящая от пара«;метров полу.провоцника и дг1И- мы волнь электромагнитного изпучения. .При пропускании спабопоггеоща-емого света т, е. такого изучения, .энергия квамта которого меньше щиризп) запрещенной зоны полулровощшка, в налравпе«, НИИ OZ (см. .чертеж), отклоняются в направлении роста градиента показате пя преломления и, таким образом, фокусируются (при истощении) игш рассеиватся (при обогащении). Измерения проводят- на поп упровод1гиКОБОЙ пластине, выполненкой из е . Размеры кристалла 2 мм, Йу 8 мм, 2 4 мм. Равновесная концентращгяэлектронов и цырок |И.|лл. 3102см--. Температура окружающей среды Т Ко Н0лряженност| магнитного поля меняется от 0,1 до 1,0 Тп, Источник свата С02 лазер ( Д 1О,б мкм) мощ310484484

HocTbfo 1 Вт. При напряженности магнит-пробою что ограничивает прецепы и точного ПОЛЯ 0,,8 Тп и эпектри ческамкость фокусировки. / попе 25 В/см фикусное расстояние составляет 0,5 м, В то же время цпя цостиж&-Таким образом прецложенное устройство ir кия такого же расстояния в известнык 5обпацает бопьшими прецепами изменения устройствах требовалось приложить по-фокусного расстояния при высокой 300 В/см, способные привести кности фокусировки.

УСТРОЙСТВО ДЛЯ teMEНЕНИЯ ФОКУСНОГО РАССТОЯНИЯ, содержащее попупровс(цниковую ппастину с контактами, источник эпектрическо го напряжения и магнит, о т п и ч аю щ е .е с я тем, что, с цепью расши рения диапазона изменения фокусного расстояния и увепичения точности фокусировки, магнит снабжен средством для изменения напряженности магнитного потш, контакты выпоянены такой формы, что расстояние между ними по топшине пластины изменяется по пикейному закону, пластина содержит области с высокой скоростью рекомбинации на обеих поверхностях, расположенные между эпектроцами параллельно магнитным силовым пиниям. с: (Л