Способ получения растрированного электрографического фотоносителя Советский патент 1984 года по МПК G03G5/26 

00 С35

со Изобретение относится к электрофотографии, в частности касается технологии изготовления растрированного носителя информации, применяемо го в системах записи и обработки информации. Известен способ получения растрированного электрографического фотоносителя, содержащего слой фоточувст вительного полупроводника, заключающийся в образовании в фоточувствительном слое периодической электрической неоднородности t1 3. Создание растра с высоким разрешением в виде периодической электрической неоднородности путем дисперги рования в высокоомном фотопроводящем слое однородно распределенных низкоомных участков в виде точек или линии вызьшает значительные технологические трудности и требует больших экономических затрат. Целью изобретения является повышение экономичности получения растрированного электрографического фотоносителя. Поставленная цель достигается тем что согласно способу получения растрированного электрографического фотоносителя, содержащего слой фоточувствительного полупроводника, заключающемуся в образовании в фоточувствительном слое периодической электрической нeoднopoднocfи, послед нкио формируют путем экспонирования на носитель оптической растровой картины при величине экспозиции, достаточной для образования фазовых превращений в слое, причем в качестве материала фоточувствительного слоя используют стеклообразньй халькогенид мьшьяка. Для создания оптической растровой картины используют когерентное излучение с длиной волны в области актив него поглощения, которое при экспонировании вызьшает увеличение электропроводности освещенных мест фотополупроводникового слоя и в нем образуется линейный растр поперечной электропроводности в виде модуляции последней в соответствии с распределением интенсивности в проецируемой интерференционной картине. Указанные необратимые изменения электропроводности вызьгааются фотоструктурными превращениями в полупроводниковом слое, возникающими под действием когерентного излучения, что и ириводит к образованию растра в виде модуляции электропроводности фотополупроводника. Запис-ь растровых изображений в соответствии с предлагаемым способом осуществляют следующим образом. Для получения линейнорастрированного изображения на фототермопластический носитель, содержащий подложку из полиэтилентерефталата, проводящий слой, фоточувствительньй слой из стеклообразного халькогенида мышьяка, термопластический слой, проеЦи1руют интерференционную картину, обIразованную двумя сходящимися когерентными лучами. Длину волны излучения выбирают из интервала значений 0,,7 мкм, соответствующих области активного поглощения фотополупроводника; а экспозицию 0,1-1 Дж/см , достаточную для появления фотоструктурных превращений в фотополупроводнике, приводящих в свою очередь к изменению поперечной электропроводности последнего в местах засветки. Вследствие того, что при интерференции сходящихся волн проецируемое световое поле промодулировано по интенсивности в виде растра, то и распределение областей с пониженной (повьш1енной) электропроводностью в фотополупроводниковом слое будет представлять собой линейный растр. Полученньш образец фототермопластического носителя с модулированным по электропроводности полупроводниковым слоем можно применять для записи оптического изображения, используя последовательный или одновременный способ фототермопластической записи, причем в отличие от обычной записи, когда изображение формируется за счет хаотической морозной или луночной деформации свободной поверхности термопластического слоя, деформирование. поверхности термопластика в соответствии с предлагаемым способом начинается в местах повышенной электропроводности фотополупроводника, отвечающих впечатанному ранее растру. Пример. Запись растрового изображения проводят на носителе, основой которого служит модифицированньй полиэтилентерефталат, толщиной 60 мкм. На основу наносят прово-г;

310

дящее хромовое покрытие проводимостью 5-102 Ом/см . Фоточувствительный слой вьшолнен из материала, содержащего 70% AsjSe-n 30% As,Se, ,As,S,

о .-i 30.5 2 Зд и имеет удельное сопротивление .

7,6 Ю Ом-см, толщину 2,1 мкм И кратность фотоответа . Термопластический слой сополимера БМК-50 выполнен толщиной 1,8 мкм. На пленку проецируют интерференционную картину, образованную когерентными лучами, сходящимися под Q 5°30, что соответствует пространственной частоте линий порядка 300 мин/мм. Величина экспозиции составляет 1 Дж/см. Затем одновременным способом на пленку записывают изображение объекта. При этом напряжение короны выбирают равным 5 кВ,- температура образца при записи 75 G.

Наряду с линейчатым растром описываеньш способ позволяет также производить точечное растрирование изображения. Для этого фототермопластический . носитель помещают в область интерференции двух сходящихся лазерных лучей и подвергают действию экспозиции, равной половине величины экспозиции, необходимой для получени

194

линейчатого растра. Затем образец фототермопластического носителя (или проецируемая интерференционная картина) поворачивают в своей плоскости на некоторый угол оС и вторично подвергают такой же экспозиции. В результате в слое полупроводника образуется два наложенньк линейчатых растра электропроводности со взаимной ориентацией, определяемой углом ot. Если на таком образце последовательным или одновременным способом осуществить фототермопластическую запись оптического изображения, то последнее будет сформировано деформацией поверхности термопластика луночного типа, причем центры лунок, формирующих изображения, располагаются в точках пересечения засвеченных участков двух упомянутых линейных растров. Меняя взаимную ориентацию впечатанных линейных растров можно получить регулярную деформацию термопластического слоя различной геометрии.

Таким, образом, предлагаемым способом создается экономичная технология получения растрированного фотоносителя при высоком разрешении.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РАСТРИ РОВАННОГО ЭЛЕКТРОГРАФИЧЕСКОГО ФОТСи(НОСИТЕЛЯ, содержащего слой фоточзпвствительного полупроводника, заключающийся в образовании в фо очувст I a««,.lk..; вительном слое периодической электрической неоднородности, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности получения носителя, периодическую электрическую неоднородность формируют путем экспонирования на носитель оптической растровой картины при величине экспозиции, достаточной для образования , фазовых превращений в слое, причем в качестве материала фоточувстительного слоя исяользую.т стеклообразный халькогенид мышьяка.