Усилитель мощности Советский патент 1984 года по МПК H03F3/42 H03F3/20 

110 Изобретение относится к радиотехнике, и может использоваться в импуль ных усилителях. Известен усилитель мощности, содержащий два последовательно соедивенных через диод транзистора одной структуры, база одного из которых соединена с коллектором другого тран зистора и через резистор смещения с источником питания CU« Однако усилитель имеет сравнитель но малый 1ШД., вследствие рассеивания мощности на резисторе смещения одного транзистора в моменты насыщения другого. Наиболее близким по технической Сущности к предлагаемому является усилитель, мощности, содержащий соеди ненные последовательно по постоянном току входной тразистор, включенный по схеме с общим эмиттером, прямосме щенный диод, выходной транзистор, включенный по схеме с коллекто ром, база которого соединена с коллектором входного транзистора и через резистор смещения с коллектором выходного транзистора, между эмиттером и коллектором которого последовательно Включены конденсатор и резистор нагрузки. При этом входной и выходной транзисторы имеют одну структуру с 2 2. Однако известный усилитель мощг ности имеет также малый КЦД, так как потери выходного транзистора как по напряжению, так и по мощности в насыщении определяются напряжение ; коллектор - эмиттер, которое равно сумме напряжения база - эмиттер выходного транзистора и падению напряжения на резисторе смещения. Для уменьшения потерь необходимо уменьшить величину резистора смещения, од нако в этом случае возрастает мощность рассеивания на этом резисторе в моменты насыщения входного транзистора ( в нерабочий полупериод для выходного транзистора ). Цель изобретения - повышение КЦЦ Поставленная цель; достигается тем что усилитель мощности, содержащий соединенные последовательно по постоянному току входной транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, прямосмещенный диод, выходной транзистор, включенный по схеме с общим коллектором, база которого сое динена с коллектором входного транзистора и через резистор смещения с коллектором выходного транзистора, между эмиттером и коллектором которого последовательно включены конденсатор и резистор нагрузки, при этом входной и выходной транзисторы имеют одну структуру, между точкой соединения конденсатора и резистора нагрузки и базой выходного транзистора введены последовательно соединенные дополнительней резистор и дополнительный транзистор, имеющий другую структуру, включенный по схеме с общей базой. На чертеже представлена принципиальная электрическая схема усилителя мощности.. Усилитель мощности содержит входной транзистор 1, выходной транзистор 2, диод 3, дополнительный транзистор 4, резистор 5 смещения, резистор 6 нагрузки, конденсатор 7, дополнительный резистор 8, источник питания с шинами 9 и to. Усилитель мощности работает следующим образом. В управлякшщй полупериод входного сигнала входной транзистор 1 насыщен и от шины 9 источника питания через резистор 6 нагрузки, конденсатор 7, диод 3 и входной транзистор V протекает ток - происходит заряд конденсатора 7, а на резисторе 6 нагрузки появ4;яется напряжение. Под действием напряжения на резисторе 6 нагрузки и диоде 3 дополнительный и выходной транзисторы 4 и 2 закрыты. В этот момент времени напряжение на резисторе 5 смещения равно напряжению источника питания. В следующий полупериод входного сигнала входной.транзистор 1 закрыт и конденсатор 7 начинает разряжаться., через резистор 6 нагрузки, резистор 5 смещения и переход база - эмит-. тер выходного транзистора 2. Под действием тока разряда выходной транзистор 2 начинает открьшаться и конденсатор 7 дополнительно разряжается через выходной транзистор 2 и резистор 6 нагрузки. В результате на резисторе 6 нагрузки появляется напряжение обратной полярности, дополнительный транзистор 4 открывается и через дополнительный резистор 8, дополнительный транзистор 4 и переход база - эмиттер выходного транзистора 2 также начинает протекать ток

310833404

разряда - выходной транзистор 2 на- транзистора 2). Так как ток через сьщается и все напряжение на конден- резистор 5 смещения обеспечивает саторе 7 прикладывается к резисто- , только начальное отпирание выходного ру 6 нагрузки. Напряжение на ре- транзистора 2, то величина его созисторе 5 смещения в этот момент вре- 5 противления может быть взята на помени равно разности напряжения откры- рядок больше сопротивления дополнитого перехода база - эмиттер, а на- тельного резистора 8. пряжение коллектор - эмиттер насыщен- Таким образом, введение в предланого выходного транзистора 2 близко гаемое устройство дополнительного к нулю..10 транзистора 4 и дополнительного реВеличина сопротивления дополнитель- в выходном транзисторе 2 и значительного резистора 8 выбирается из уело- но снизить рассеиваемую мощность на ВИЯ обеспечения насыщения выходного резисторе 5 смещения, а также повытранзистора 2 по соотношению 8 R6 15 , сить быстродействие переключения вы(.- коэффициент усиления выходнбго ходкого транзистора 2.

,зистора 8 позволило уменьшить потери

УСШШТЕЛЬ меднОСТИ, содер жащий соединённые последовательно ро постоянному току входной транзистор, включенный по схеме с общим эмиттербм, прямосмещенный диод, вы ходной транзистор, включённый по схе ме с общим коллектором, база которого соединена с коллектором входного транзистора и через резистор смещения с коллектором выходного транзистора, между эмиттером и коллектором которого последовательно включены конденсатор и резистор нагрузки, при этом входной и выходной транзисторы имеют одну структуру, о т л и ч а ю щи и с я тем, что, с целью повьшения КПД, между точкой соединения ко1зденсатора и резистора нагрузки и базой выходного транзистора введены последовательно соединеншле дополнительный резистор и дополнительный транзистор, имеющий другую структуру, включенный по схеме с общей базой.