Способ формирования скрытого электростатического изображения на электрофотографическом носителе с диэлектрическим покрытием Советский патент 1984 года по МПК G03G13/00 

2. Способ по п. 1, отличающий с я тем, что выборочную разрядку осуществляют дозированным осаждением в темноте электрического за.ряда до нулевого потенциала поверхности носителя.

1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СКРЬЬ ТОГО ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ A ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОМ НОСИТЕЛЕ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОКРЫТИЕМ, включающий осаждение в темноте на носитель ; 3 13 iHk,Hureh4 iif электрического заряда, экспонирование и вторичное эквипотенциальное осаждение заряда той же полярности, отличающийс я тем, что, с целью увеличения электростатического контраста изображения, цикл экспонирования и эквипотенциального осаждения заряда многократно повторяют до достижения требуемого контраста, после чего осуществляют выборочную разрядку либо проэкспонированных, либо неэкспонированных участков изображения. (Л :о :о а О5

Изобретение относится к электрографии, в частности к копировальной технике, к технике записи изображений с электроннолучевой трубки, лазерной записи и т.п. Известен способ формирования скры того электростатического изображени на электрофотографическом носителе с диэлектрическим покрытием, включаю щий осаждение в темноте на носитель электрического заряда, экспонирование и вторичное эквипотенциальное осаждение заряда той же полярности l В этом способе экспонирование и заряжение (дозаряжение) не совмещены поэтому возможно использовать как импульсное, так и обычное освещение при экспонировании оптического изображения. Недостаток известного способа значительно меньший электростатический контраст, чем в способах записи где заряжение и экспонирование совмещены. Этот недостаток проявляется при использовании носителя, в котором емкости фотополупроводниковрго и диэлектрического слоев.соизмеримы по величине. Налример, переход на способ записи с раздельным экспониро ванием и заряжением снижает электро статический контраст в 2 раза, если емкости фотополупроводникового и ди электрического слоев носителя равны между собой. Цель изобретения - увеличение электростатического контраста изображения на элекгрофотографических носителях с диэлектрическим покрыти при импульсном экспонировании оптического изображения. Поставленная цель достигается те что согласно способу формирования скрытого электростатического изображения на электрофотографическом нос теле с диэлектрическим покрытием, включающему осаждение в темноте на носитель электрического заряда, экс понирование и вторичное эквипотенци альное осаждение заряда той же по-лярности, цикл экспонирования и эквипотенциального осаждения заряда многократно повторяют до достижения требуемого контраста, после чего ос ществляют выборочную разрядку либо проэкспонированных, либо неэкспонированных участков изображения. При этом выборочную разрядку осуществляют дозированным ораждением в темноте электрического заряда до нулевого потенциала поверхности носителя. На чертеже приведены циклограммы изменения потенциала и заряда на поверхности носителя и падения напряжения на фотополупроводниковом слое показан случай, когда перед первым экспонированием все слои носителя полностью разряжены, а энергии экспозиции достаточно, чтобы полностью разрядить фотополупроводниковый слой). До самого большого напряжения фотополупроводниковый слой заряжают после первой зарядки поверхности носителя до напряжения U., Если обозначить М 1/(1 + Сфп)Сд, где Серп и Сд - емкости фотополупроводникового и диэлектрического слоев, то падение напряжения на фотополупроводнике U( равно MU.J.. При повторном эквипотенциальном осаждении зарядов на носитель при сохранении напряжения заряжения его проэкспонированные участки заряжают до прежнего потенциала U (темные участки не были разряжены и поэтому их потенциал остался равным), Фотополупроводниковый слой на проэкс-.понированных участках заряжается уже до меньшего,чем в первый раз,напряжения (U2 ) и на поверхности носителя формируется при дозарядке зарядный контраст дд,. Поскольку фотополупроводниковый слой на проэкспонированных участках после-повторного осажде-. ния зарядов оказывается заряженным, можно повторить экспонирование того же оптического изображения, в результате чего слой снова полностью разрядится, Что уменьшает потенциал поверхности носителя на U U U . Следующее эквипотенциальное осаждение заряда сопровождается увеличением электростатического осаждения заряда, увеличением электростатического контраста на величину uUf за осаждения зарядов на проэкспонированные участки и соответствующим заряжением фотополупроводникового слоя на этих участках и т.д. в общем случае после п-кратного экспони)Ования и дозаря5кения на носителе формируется зарядный рельеф, который -после равномерного освещения носителя переходит в потенциальный льеф с контрастом ди равным U М(1 - ) . Этот контраст лишь на величину (1 - м), близкую к 1, отличается от контраста, который. может быть сформирован в йроцессе, где заряжение и экспонирование совмещены. После многократного повторе ния циклов экспонирования и эквипотенциап1зного осаждения зарядов той же полярно.сти на поверхности носителя оказывается сформированным зарядный рельеф, однако проявить каче ственно такой рельеф невозможно изза того, что как проэкспонированные так и неэкспонированные участки име ют очень высокий потенциал.В электрографии требуется,чтобы фоновые участки (ими могут быть как проэксп нированные,так и неэкспонированные участки в зависимости от процесса п зитив-поэитив или позитив-негатив) имели потенциал,близкий к нулевому. этому перед равномерным освещением носителя, со сформированным на нем зарядным изображением в соответствии с предлагаемым способом следует раз рядить фоновые участки до потенциала, близкого к нулевому. Эту выборочную разрядку производят путем осаждения заряда обратной полярности на носитель со сформированным зарядным рельефом. При этом в зависимости от степени разрядки можно разрядить до потенциала, близкого к нулевому, либо неэкспонированные, либо проэкспонированные участки изображения Пример. Запись производят на многослойном носителе, в котором селеновый слой толщиной 80 мкм покры диэлектрической лавсановой пленкой 40 мкм1 Поверхность носителя заряжают до потенциала 2 кВ. Плотность поверхностного заряда на носителе после первого заряжения 25 кКл/см, освещенность изображения при записи 500 лк, время импульсного экспонирования 1/30 с. Расчетная величинам для данного носителя равняется 0,5. Измеренные приращения плотности заря да на проэкспонированных участках носителя после каждого цикла экспонирования и эквипотенциального осаждения Заряда той же полярности, т.е. контрасты после первого, второго, третьего, четвертого и пятого циклов, составляют 12, 18,21, 22, 23 кКл/см. Сравнивая контрасты после одного и пяти циклов, видим, что достигнуто увеличение максимального контраста в 1,9 раза по сравнению с расчетным значением 2,0. Если выявление потенциального контраста равномерным освещением носителя со сформированным на нем зарядным изображением производить без разрядки фоновых участков, то потенциал неэкспонированных участков составляет 1,0 кВ, а проэкспонированных участков 1,5 кВ после одного цикла и 1,95 кВ после пяти циклов экспонирования и дозаряжения.Если же в соответствии со способом разряжгцот фоно- . ые участки до нулевого потенциала, выбирая напряжение раз ряжения равным нулю, то после выявления потенциального контраста неэкспонированные участки изображения имеют нулевой потенциал, а проэкспонированные 0,5 и 0,95 кВ при записи с одним и пятью циклами, соответственно. Для того, чтобы разрядить до нулевого потенциала проэкспонированные участки изображения (цикл с 5 - кратным экспонированием и дозаряжением), необходимо использовать напряжение разряжений обратной полярности 0,95 кВ, Предлагаемый crfoco6 обеспечивает возможность активного управления контрастом записываемого изображения. В частности, часть изображения может быть выделена большим или меньшим контрастом по сравнению с остальным изображением. Использование данного способа позволяет применять при зарядке меньш.ге напряжения, за счет чего повышается срок его службы. Кроме того, при записи изображения одинакового контраста можно использовать носители с меньшей толщиной полупроводникового слоя, что улучшает механические и эксплуатационные . характеристики и снижает стоимость носителя.