Усилитель СВЧ Советский патент 1984 года по МПК H03F3/60 

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в радиоприемных устройствах СВЧ. Известен усилитель СВЧ содержащи помещенные в герметизированный корпу усилительные каскады и охлаждаемый термоэлектрическим теплообменником, холодная.сторона которого обращена внутрь герметизированного корпуса LII Наиболее близким техническим реше нием к изобретению является усилител СВЧ, содержащий помещенные в герметизированный корпус полевой транзистор, включенный н разрыв микрополоскопой линии передачи, и термоэлектри ческий микроохладитель с холодной и горячей поверхностями 2. Недостатками обоих известных устройств являются большая потребляемая мощность и габариты. Цель изобретения - снижение потребляемой мощности и уменьшение габаритов. Цель достигается тем, что в усили теле СВЧ, содержащем помещенные в герметизированный корпус полевой транзистор, включенньй в разрыв микрополосковой линии передачи, и термо злектрический микроохладитель с холодной и горячей поверхностями, исто полевого транзистора размещен на холодной поверхности термоэлектрического микроохладителя, установленной с зазором относительно основания микро полос ковой линии передачи, при этом клемма питания истока полевого транзистора размещена на горячей поверхности термоэлектрического микроохладителя, а внутренняя полость герметизированного корпуса вакуумирована. На фиг.1 приведена конструкция усилителя СВЧ} на фиг.2 - то же, вид сверху; Усилитель СВЧ содержит герметизированный корпус 1, полевой транзисто 2 со стоком 3, истоком 4 и затвором 5, микрополосковую линию 6 передачи, термоэлектрический микроохладитель 7 с холодной и горячей поверхностями, включающий в себя ползтроводниковые элементы 8, перемычки 9 полупроводни ковых элементов 8, перемычку 10, на которой установлен полевой транзистор 2, изоляционные платы 11, радиатор 12. Холодная поверхность электрического микроохладителя 7 установлена с зазором 13 относительно основания 14 микрополосковой линии 6 передачи. Подключение цепей питания истока 4, стока 3 и затвора 5 осуществляется через клеммы 15-17 соответственно. Внутренняя полость 18 герметизированного корпуса 1 вакуумирована. Вход и вькод усилителя подключен к входному 19 и выходному 20 разъемам. Усилитель СВЧ ра ботает следующим образом. Зазор 13 относительно основания14 микрополосковой .пинии 6 передачи представляет собой разделительный конденсатор с вакуумной изоляцией, который и осуществляет связь по сверхвысокой частоте истока 4 полевого транзистора 2 с основанием 14 микрополосковой линии 6 передачи. Таким образом, СВЧ сигнал со входа усилителя проходит через микрополосковую линию 6 передачи и зазор 13 к затвору 5 и истоку 4 полевого транзистора 2, усиливается последним и через зазор 13 и микрополосковую линию 6 передачи проходит на выход усилителя. В усилителе СВЧ осуществлено охлаждение непосредственно полевого транзистора 2, который в основном и определяет шумовые свойства усилителя, при этом сведена к минимуму утечка тепла через микрополосковую линию 6 передачи за счет введения зазора 13 с вакуумной изоляцией. Исключена также утечка тепла по цепи питания истока 4 полевого транзистора 2 путем подключения клеммы 15 цепи питания истока 4 к тепловьщеляющему концу одного из полупроводниковых элементов В.. Предлагаемьй усилитель СВЧ за счет снижения требований к термоэлектрическому микроохладителю по холодопроизводительности имеет значительно меньшие габариты и примерно в 5 раз меньшую потребляемую мощность по сравнению с известным устройством.

иг.2

УСИЛИТЕЛЬ СВЧ, содержащий помещенные в герметизированный корпус ///J/ /// / fff V ff V / N //////////////j/. полевой транзистор, включенный в разрыв микрополосковой линии передачи, и термоэлектрический микроохладитель с холодной и горячей поверхностями, отличающийся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и уменьшения габаритов, исток полевого транзистора размещен на холодной поверхности термоэлектрического микроохладителя, установленной с зазором относительно основания микропо- лосковой линии передачи, при этом клемма питания истока полевого транзистора размещена на горячей поверхности термоэлектрического микроохладителя, а внутренняя полость герметиff ko зированного корпуса вакуумирована. f ./. 20 / j 23 Хч// 6 /« /J у / / ;D 30 Ki vi