Изобретение относится к технике измерения сопротивления катодов электронных ламп.
Приемно-усилительные лампы в процессе эксплуатации часто выходят из строя вследствие увеличения сопротивления прослойки между подложкой и оксидным покрытием катода.
Наблюдаемое в лампах образование дополнительного промежуточного сопротивления вызывает уменьшение крутизны, а также изменение статических и динамических параметров ламп, которые при этом резко ухудшают свои широкополосные свойства и становятся нестабильными Б работе.
Известное двухчастотное измерение сопротивления промежуточного слоя катодов, заключаюш,ееся в сравнении значений измеренной на низкой и высокой частотах крутизны характеристики лампы, требует вычислений либо применения градуированного потенциометра.
Двухчастотное измерение основано на шунтировании сопротивления прослойки емкостью промежуточного слоя на высокой частоте и поэтому не позволяет измерять малые величины сопротивлений (меньше 10 ом), так как в этом случае шунтирование получается незначительным. Результаты двухчастотного измерения существенно зависят от емкости промежуточного слоя и величины применяемых частот;сами измерения весьма кропотливы и занимают много времени.
Известное импульсное измерение сопротивления промежуточного слоя состоит в том, что прямоугольный импульс, проходящий через лампу, катод которой имеет сопротивление промежуточного слоя, претерпевает искажения, объясняемые наличием емкости промежуточного слоя, шунтирующей измеряемое сопротивление.
Величина и форма этих искажений, наблюдаемых на экране осциллографа дают возможность судить о величинах сопротивления и емкости промежуточного слоя окисдного катода. Импульсное ii3N:epeHHe
№ 111883
требует еще большего времени для измерений и дает ,менее точные результаты, чем двухчастотное.
Описываемый способ одночастотного измерения сопротивления катодов не имеет указанных недостатков и может быть применен ко всем триодам, тетродам и пентолам как прямого, так и косвенного накала.
Способ одночастотного измерения сопротивления катодов электронных ламп обладает следующими преимуществами перед существующими:
а)чувствительность измерений дастигает одного--двух омов, а при измерениях малых приращений сопротивления катода - десятых долей ома;
б)результаты измерений независимы от величины емкости промежуточного слоя;
в)схема упрощается и исключается дополнительная погрентность, связанная с применением второй высокой частоты (5-10 мггц при двухчастотпом методе);
г)измерения просты и занимают мало времени вследствие непосредстзенной стрелочной индикации измеряемой величины сопротивления катода.
Описываемое одночасготное измерение сопротивления оксидных катодов основано па использовании первой сетки испытуемой лампы в качестве зонда. Использование первой сетки возможно вследствие того, что сеточный ток при небольшом положительном напряжении на сетке |Сильпо зависит от потенциала катод-сетка.
Сущность изобретения поясняется чертежом.
В процессе измерения сопротивления катода R,. на первую сетку испытуемый лампы подается положительный потенциал; сеточный ток при этом ограничивается последовательно включенным сопротивлением Rg.
Испытываемая лампа находится в триодном включении и иа ее анод подается положительный потенциал „. Величина последнего определяет величину постоянного анодного тока /д, протекающего через лампу. При подаче па анод испытываемой лампы переменного синусоидального звукового напряжения Ug с частотой порядка 1000 гц, через лампу будет течь переменный анодный ток / -- , , где RI-внутреннее сопротивлепие лампы в триодном включении. Протекая по сопротивлению промежуточного слоя оксидного катода, ток /,, создает на нем падение напряжения UK i RK- Напряжение Uк, действующее между катодом и первой сеткой, повлечет появление переменной составляющей сеточного тока. При включении (последовательно) в цепь катода испытуемой лампы источника добавочного синусоидального напряжения U, равного по величине и противоположного по фазе напряжепию J7;,-, полученное суммарное и действующее между сеткой и катодом синусоидальное напряжение будет равно пулю, а переменная составляющая сеточного тока будет близка к нулю.
Добавочное напряжение Uо, получаемое в результате ущемления синусоидального напряжения, создаваемого сеточным током на сопротивлении Rg, возможно лишь при соблюдении условий, при которых коэффициент усиления будет достаточно большим и усилитель будет обеспечивать поворот фазы напряжения на 180°.
При этих условиях вышеприведенное равенство ,; :облюдаегся автоматически- Напряжение U является, таким образом, мерой сопротивления промежуточного слоя оксидного катода; вследствие этого становится возможным производить измерения общего сопротив
