Изобретение относится к нэмернтельной технике и может быть исполь зовано для контроля толщины полимер ных пленок в процессе их производст ва. Известно устройство для измерени толщины диэлектрических материалов, содержащее два емкостных первичных преобразователя включенных в измер тельную мостовую схему fij . Недостатком известного устройств является невысокая точность Измерени, обусловленная влиянием дрейфа геометрических размер ов электродов первичных преобразователей и изменения диэлектрических свойств подложки при изменении температуры. Известно устройство для измерени толщины диэлектрических пленок, QOдержащее два накладных емкостных первичных преобразователя, закрепле ных на одной диэлектрической подлож ке , включенных в мостовую схему (2j Недостатком Известного устройства является невысокая точность измерения, обусловленная влиянием изменения диэлектрических свойств подложки при изменен и температуры, а также влиянием на результат измерения прочих дестабилизирующих факторов (дрейф параметров элементов, изменение напряжения питания и т.д.) . Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является измеритель толщины Полимерных пленок, содержащий измерительный и образцовый накладные первичные преобразователи, состояац|е каждый из высокопотвнциальиого и низкопотенциального электродов, закрепленных на одной диэлек-грической подложке, два коммутатора входы которых подключены к высокопотенциальным электродам измерительного и образцо вого преобразователей, мостовую схему, измерительные входы которой подключены к выходам коммутаторов, генератор высокой частоты, последр.Ъательно соединенные избирательный усилитель высокой частоты, входом подключенный к выходу мостовой схемы, амплитудный детектор, избира тельный усилитель частоты коммутаци синхронный детектор и регистратор и делитель частоты, вход которого подключен к выходу генератора, а выход - к управляющим входам ,/коммутаторов и Синхронного детектора з . Недостатком данного устройства является невысокая точность -измерения, обусловленная влиянием на результат измерения дестабилизирующих факторов (температуры, влажности, напряжения питания и T.n.J. Цель изобретения - повышение точности измерения. Поставленная цель достигается тем,что измеритель толщины полимерных пленок,содержащий измерительный и образцовый накладные первичные преобразователи, состоящие каждый из высокопотенциального и низкопотенциального электродов,закрепленных на одной диэлектрической подложкр, два коммутатора, входы которых, подключены к Высокопотенциальным электродам измерительного и образцового преобразователей, мостовую схему, измерительные входы которой подключены к выходам коммутаторов, генератор высокой частоты, последовательно соединенные избирательный усилитель высокой частоты, входом подключенный к выходу мостовой схемы, амплитудный детектор, избирательный усилитель Частоты коммутации, синхронный детектор и регистратор и делитель частоты, вход которого подключен к выходу генератора, а выход - к управляющим входам коммутаторов и синхронного детектора, снабжен управляемым делителем напряжения, включенным между генератором высокой частоты и мостовой схемой, дифференциальным усилителем, выход которого подключен к управляющему входу делителя напряжения,стабилизированным источником напряжения, подключенным к первому входу дифференциального усилителя, запоминакмций ячейкой, выход которой подключен ко второму входу дифференциального усилителя, дополнительным коммутатором, информационный вход которого подключен к выходу амплитудного детектора, а первый выход - ко входу запоминающего элемента, и эквивалентной нагрузкой, подключенной ко второму выходу дополнительного коммутатора. Кроме того, измеритель снабжен дополнительными измерительным и образцовым накладными первичными преобразователями, состоящими каждый из высокопотенциального и низкопо,тенциального электродов, закрепленHbix на той же диэлектрической прдлояже, высокопотенциальный электрод дойолнительного измерительного преобразователя и низкопотенциальны электроды дополнительных измеритель ного и образцового преобразователей соед1шены с ниэкопотенциальными электродами основных измерительного и образцового преобразователей, а высокопотенциальный электрод дополнительного образцового преобразователя соединен с измерительным входом мостовой схемы. На чертеже приведена блок-скема измерителя толщины полимерных плено Измеритель содержит измерительны i и образцовый 2 накладные емкостны первичные преобразователи, состоящи из низкопотенциальных 1.J и 2fl и высокопотенциальных 1.2 и 2,2 электродов, закрепленных соответг. ственно на одной диэлектрической подложке 3, накладьшаемые на контро лируемую пленку 4 одной стороной, а с другой стороны размещается обра цовая пленка 5, первый 6, второй 7 коммутаторы, мостовую схему 8, изме рительные входы которой подключены к выходам коммутаторов 6 и 7, ляемьй делитель 9 напряжения, генератор 10 высокой частоты, делитель М частоты, подключенный к выходу генератора 10, и последовательно соединенною избирательный усилитель 12 высокой частоты, амплитудный детектор 13, избирательный усилител 14 частоты коммутации, синхронный детектор 15 и регистратор 16, допоя иительиый коммутатор I7, запоминающую ячейку 18, дифференциальный усилитель 19, стабилизированный источник 20 напряжения, эквивалентную нагрузку 21, а также дополнительные измерительный 22 и образцо. вый 23 первичные емкостные преобразователи, состоящие каждый из низко потенциальных 22,1 и 23,1 и высокопотенциальных 22.2 и 23,2 электродо Измеритель работает следующим образом. Основные измерительный 1 и образцовый 2 емкостные преобразователи накладываются на контролируемую 4 и образцовую 5 пленки. Толщина образцовой пленки 5 выбирается равной, номинальной толщине контролируемой пленки 4. Емкостные преобразователи через первый 6 и второй 7 коммутаторы поочередно подключаются к мостовой измерительной схеме 8, которая через управляемый делитель 9 напряжения питается от высокочастотного генератора 10. Коммутаторы 6 и 7 перекачаются низкочастотным прямгугольным напряжением, формируемым делителем 11 частоты. При переключении высокопотенциальных 1,2, 2.2 и низкопотенциальных 1.1 и 2,I электродов электрическое поле поочередно пронизывает контролируемую 4 и образцовую 5 пленки и непрерьшно пронизывает одни и те же слои диэлектрической подложки 3. При отсутствии пленок начальные емкости преобразователей 1 и 2 одинаковы и их поочередное включение в мостовую схему 8 не вызывает ее разбаланса. Наложение преобразователей на соответствующие пленки вызывает разбаланс мостовой схемы. При положении коммутаторов 6 и 7, указанном на чертеже, высокопотенциальный 2,2 и ннзкопотенцийльный .,1электроды образцового преобразователя 2 включены в мостовую схему 8, а высокопотеяцйальный электрод 1.2измерительного преобразователя 1 соединен с низкопотенциальными электродами 1,1 и 2,1, Напряжение мостовой схемы 8 при этом пропорционально емкости, вносимой образцовой пленкой ,СоК,ио; где S| - чувствительность мостовой схемы; емкость, функционально связанная с толщиной и диэлектрической проницаемостью образцовой пленки; 1 - коэффициент передачи делителя 9 напряжения; напряжение генератора 10 высокой частоты. Выходное напряжение моста усилиается избирательным усилителем 2 высокой частоты и детектируется мплитудным детектором 13. Выходное апряжение детектора описывается ыражением / U2-5,CoK,UoKi-52, де Kj - коэффициент усиления избирательного усилителя I2; 62 - чувствительность амплитудного детектора 13. Напряжение детектора lij через ополнительный коммутатор 17, перет ключаеыый выходшлм напряжением делителя 11 частоты, поступает на ячейку 18, например конденсатор с малой утечкой и истоковым повторит лем, где и запоминается. Напряжени С выхода запоминающей ячейки 18 поступает на первый вход дифференциального усилителя 19, на второй вход которого приложено напряжение стабилизированного источника 20. Усиленное разностное напряжение во действует на управляющий вход делителя 9 напряжения в направлени уменьшения разности напряжения, запоминаемого ячейкой 18, и напряже ния источника 20, т.е. } (i В результате воздействия управл щего напряжения на делитель 9 напряжения его коэффициент передачи становится равным 5,CoUoKje2 При противоположном положении ко мутаторов 6 и 7 высокопотенциальньй электрод 2.2 образцового преобразователя 2 подключается к низкопотенциальиому электроду 2.1, а высокопотекциальный электрод 1.2 измеритель ного преобразователя 1 и его низкопотейциальный электрод 1.1 включает ся в мостовую схему 8. Напряжение небаланса мостовой схемы при этом становится равным U4v5ACo -bC}K,U гделС- дополнительная вносимая, емкость,функционально связан - ная с отклонением толщины контролируемой пленки от номинального значения. Напряжение на выходе амплитудног детектора 13 соответственно принима значение - , ygrS CoiNqK UoKiez. Новое значение выходного напряже ния tig детектора 13 не изменяет величину запомненного напряжения в ячейке 18, так как коммутатор 17 подключен к эквивалентной нагрузке 21. С учетом ранее установленного значения коэффициента передачи делителя 9 напряжения выходное напр жение детектора 13 принимает вид oXCoUaUotg SgU 5,CoUoKi54 Избирательным усилителем 14 частоты коммутации усиливается переменная составляющая вьсходного напряжения амплитудного детектора 13 . 3{Cot.CV ,ЗЬС.. u6° 3-2--2 -cr -Ч -Tc; где К - коэффициент усиления избирательного усилителя 14. Переменное напряжение lig, выпрямляется синхронным детектором 15 и подается на регистратор 16. Так как относительные изменения емкости ьС/Сд пропорциональны относительным изменениям толщины контролируемой пленки от ее номинального значения, то шкала регистратора 16 с нулем посередине может быть отградуирована в процентах отклонения толщины пленки от заданного значения a,Vtk4- iOOt%, постоянный коэффициент , пропорциональности; В и ь6 -соответственно толщина пленки и ее абсолютное отклонение. Из полученного выражения видно, что непостоянства чувствительности мостовой схемы (SO , напряжения питания моста (i/o), коэффициента усиления высокочастотного усилителя ( 2)( чувствительности амплитудного детектора (S) не влияют на результат измерения. Для исключения погрешностей от изменения геометрических размеров электродов в смежное плечо мостовой схе-мы 8 подключены дополнительные измерительный 22 и образцовый 23 емкостные преобразователи, выполненные идентично основным преобразователям 1 и 2. При этом электроды измерительного преобразователя 22 контактируют с контролируемой пленкой 4, а электроды образцового преобразователя 23 не касаются образцовой пленки 5. При указанном соединении электродов преобразователей 22 и 23 в смежное плечо мостовой схемы 8 постоянно включена начальная емкость образцового преобразователя 23. Благодаря непрерывному контакту диэлектрической подпожки 3 с контролируемой пленкой 4 через электроды измерительных преобразоватьлей I и 22 температура во всех точках основных и дополнигтельных преобразователей всегда одинакова. Поэтому баланс мостовой схем 8 по начальным емкостям не нарушается при изменении температуры. Разбаланс. 1МОСТОБОЙ схемы при этом определяется только рабочими емкостями, вносимыми контролируемой или образцовой пленками, и не зависит о 88 температурных Изменений геометрических размеров электродов и дизлектрич ческих свойств общей подложки накладных емкостных преобразователей, Изобретение позволяет повысить точность измерения за счет компенсаций влияния на результат измерения изменений под действием дестабилизирующих факторов параметров элементов измерителя.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Измеритель толщины полимерных пленок | 1981 |
|
SU966488A1 |
Измеритель толщины полимерных пленок | 1980 |
|
SU892201A1 |
Измеритель толщины полимерных пленок | 1982 |
|
SU1158857A1 |
Измеритель толщины диэлектрических материалов | 1981 |
|
SU958846A1 |
Измеритель толщины диэлектрических материалов | 1982 |
|
SU1017907A1 |
Устройство для измерения толщины экструзионных диэлектрических пленок | 1986 |
|
SU1318784A1 |
Устройство для измерения диэлектрическихпАРАМЕТРОВ МАТЕРиАлОВ | 1979 |
|
SU851285A1 |
Устройство для контроля толщины диэлектрических материалов | 1985 |
|
SU1298518A1 |
Устройство для контроля толщины диэлектрического покрытия на диэлектрической основе | 1984 |
|
SU1186935A1 |
Устройство для определения проницаемости материалов неэлектропроводными жидкостями | 1980 |
|
SU949424A1 |
I. ИЗМЕРИТЕЛЬ ТОЛЩИНЫ ПОЛИМЕРНЫХ ПЛЕНОК,содержащий измерительный и образцовый накладные первичные преобразователи, состоящие каждый. из высокопотенциального и низкопотенциального электродов, закрепленных на одной диэлектрической подложке, два коммутатора, входы которых подключены к высокопотенциальным электр.одам измерительного и образцового преобразователей, мостовую схему, измерительные входы которой подключены к выходам коммутаторов, генератор высокой частоты, последовательно .соединенные избирательный усилитель высокой частоты, входом подключенный к выходу мостовой схемы, амплитудный детектор, избирательный усилитель частоты коммутации, синхронныйдетектор и регистра:-, тор и делитель частоты, вход которого подключен к выходу генератора, а выход - к управляющим входам коммутаторов и синхронного детектора, о тличающийся тем, что, с целью повьппения точности измерения, он снабжен управляемым делителем напряжения, включенным между генератором высокой частоты и мостовой схемой, дифференциальным усилителем, выход которого подключен к управляющему входу делителя напряжения, стабилизированным источником.напряжения, подключенным к первому входу дифференциального усилителя, запоминающей ячейкой, выход которой подключен ко второму входу дифференциального усилителя, дополнительным коммутатором, информационный вход которого подключен к выходу амплитудного детектора, а первый выход - ко входу запоминающего элемента, и 0) эквивалентной нагрузкой, подключенной ко второму выходу дополнительс ного коммутатора. 2. Измеритель толщины полимерных пленок по п. 1, отличающийс я тем, что он снабжен дополнительт ными измерительным и образцовым. накладными первичными преобразователями, состоящими каждый из высоко -, потенциального и низкопотенциального электродов, закрепленных на той же диэлектрической подложке, высокопотенциальный электрод дополнительного sl измерительного преобразователя и 00 низкопотенциалЬные электроды дополнительных измерительного и образцового преобразователей соединены с низкопотенциальными электродами основных измерительного и образцового преобразователей, а высокопотенциальный электрод дополнительного образцового преобразователя соединен с измерительным входом мостовой схемы.
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
УСТРОЙСТВО для КОНТРОЛЯ толщины плоских | 0 |
|
SU344260A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1984-11-15—Публикация
1983-02-21—Подача