Фотополупроводниковый материал для электрофотографирования Советский патент 1958 года по МПК G03G5/05 

:;/(()СГаТИЧ;.СК()Г()И3(()1 Н/КСП ИЯ дс аетси 11)актичос: и ДВ(;ч ;о/К ы:-д Это (;бс1()ятс:11)С1 ао ус. aiiiiaрат ру д.1я удсктрО(|)ОТ(и|)а()1П;. ;:;-. как д.тя сообикмгпя заряда (iJOTOiio;i oeiiaiJUMii-io г;,1ектрО()гра(1) ) ,5apH/: a O U r тП) к иеточником leKipoHinaiiiiH ;д.еоко- ;ei ГО аПрЯлЧС11 1Я. : Д :Ч:;Ь:С ПДКа:Д Те i VOi ГЧЮДуЦрО::::.: ,:iK;.iooro . Н .с1дп такого c.iiX л;о:-1 ;Г 11рш;01 д днэ,1ект; лк, : ачгсс: МЬ И а,: П(иср ;|;;ст;- лстад ич чдсс; .TCiHiji } .така иди же. а;::о ;п1Иевая .Ьо,-дд-;: i iiaiu)eiiTК поверхности слоя Ф, на котором осаждены отринате.чьпыс э.юктрнчсские заряды.

Таким образом, но.Пчастся свособразны снира.и.ио сисрихты; i;oiiдепсатор, в к())ом с.тои paciio.iaсаются в стсдуюшсГ: 1К)с,тсдо15атс.1ьiiociTi;

Ф - М - Д - Ф - Л1 - Д .- 0 -.., л/ - Л и Т-. д.

Е рсзу.чьтатс между двумя с;единснпымн между собою мстадлическимп обкладками Л1 находится два ди-л1ектрика: слон Ф и слон Д. При iiTOM между данной нарой мета.млнческих обк.1адок образуются два пара,i/ie.ibHo включенных конденсатора; не ми и 1---С емкостью Ci, o6pa:iOiUiiHibiii с.юем Ф, обк.тадкои .М н IpaHHueii между двумя диу.чектрнкамн. и BTopc)ii- с емкостью С-., образованны тако же rpaiiiiueii, д1-У,.тектриком Л и (хж.тадко М.

1:1мкость конденсато|1а CL выи1е емкости конденса.тора Ci счет того, что диулектричеекая нроиицаемос.ть матерна.та с/юя Д нодб 1рается libHHe днэ.тектрнческой нроницаемостн матерна.та с.тоя Ф и c.Toii Л делается тоньн1е нолуг1ровод1Н1К()вого слоя Ф, Одиоврсмеино материал диу.пектрика Л выбирается со значите.тьно бо,те( высоким уде.тьиым объемным сонр(г|-ивлением, чем объемное темновое соиротнв.тени.е матер иа.т а фотоно.тун.роводииковогч слоя Ф.

При соб.тюдеиии этих ус.товий разрядка конденсатора С будет нроисходить знач1п-ельно медленнее разрядкн конденсатора d, и :- начител11ная час1h .1ектроста,тнческого заряда сосредоточится па емкости, обр.-tзоваано Н(. (мс-та.т.1нческая .тента Л(), ди-;.1ектриком Л и i верхностьк; (iioToiKxT TipOBO,U HKOBoro с.юя Ф, В резу.илате рехс/кИ ная н.тенка (в свер11 т(;м виде) может Д.тнтелык.е время д,ержнрдпт на своей нс)верхност -лтектро статнче-ские заряды.

Фогоио.ту проводин ковы и матер и а,т Д.1Я .Teiviро(|)О7ографнро15а11Ня, состояи1Н11 из С.ЮЯ cvic.Tbi с дис 1 ргировамНЫМИ Ча.С1НЧКаМИ ||к;ТС; О. Пр01 ОДННкового мате|)иа.1а, нанесеиногс) на гибкук; метал.тическую иод.южкх о Т л и ч а ю И1 и с я ем, что, с с це.мыо д.титс.Гьнеяч) с хранс1 ия электрических зарядов. осажд,ениых известными мeт( iia но15е()хиос1ь фо|оио.тунр()-,одннкового С.10Я. на под.тожку с обр;;тиоГ1 стороны ц.ннесен дн-л1ектр1И а (например нолистиро.та). имеюн1его диэлектрическую иронн.цаемость н объемное уде.тьиое сопротив.тение выше, чем в фотоио.туироводниковом с.тое. с тем, чтобы при сворачивании заря/кениой нденк -. значите,т ьна я часть -лтектрического заряда сосредоточива.тась иа емкости, образоBai-tHoii 11од.тожко1 |, ди.тектриком и iioBepXHOcTbfo но.тунрокодлнкового с.,тоя.