Способ определения ширины запрещенной зоны полупроводников, основанный на облучении образца монохроматическим электромагнитным излучением и регистрации спектральной зависимости реакции образца на облучение, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения ширины запрещенной зоны халькогенидных стеклообразующих полупроводников, облучение образца производят модулированным по интенсивности излучением, регистрируют спектральную зависимость упругой фотодеформации образца и по величине пика спектральной зависимости фотодеформации определяют ширину запрещенной зоны.
