Теневая маска для цветного кинескопа Советский патент 1985 года по МПК H01J29/07 

Изобретение относится к.телевизио ной технике и- может быть использова в цветных кинескопах, в которых используется теневая маска. Известны теневые маски для цветных кинескопов, содержащие множество отверстий. Сходящиеся электрон ные лучи проецируются через многоап турную теневую маску на мозаичный экран. Пути прохождения лучей таков что каждый из них возбуждает только один вид цветоизлучающего люминофор на экране. Теневая маска прикреплена к жесткой рамке, которая, в свою очередь, крепится к баллону кинеско па Известные маски вьптолняются практически плоскими или по форме экрана Li J« . . Однако такая маска имеет недоста точную самоудерживающ5по прочность или жесткость.. Одним из способов обеспечения такой прочности или жес кости является помещение майски под механическое напряжение. Методы механического напряжения .связаны с нежелательными большими расходами на рамы. Наиболее близким к изобретению является теневая маска, содержащая множество отверстий и вьшолненная с гофрами, параллельными одной из сторон маски С2. Однако правильная волнистая форма с преимущественно синусоидаль ным поперечным сечением может оказаться неоптимальным контуром. Например, в кинескопе, имеющем волнис тую маску, зазор между двумя аперту рами и ширина апертуры меняется в функции зазора между маской и экранрм и относительного угла, образованного электронным лучем и маской. Требуемое изменение ширины апертуры создает дополнительные проблемы травления апертур до получения маски, что усложняет технологию, изготовления или не позволяет получить высокого качества изображения. Поскольку требуемые колебания явля;1отся максимальными на краях маски необходимо или уменьшить колебания между маской.и экраном или уменьiiniTb угол луч-маски на этих краях. Целью изобретения является повыщенйб качества изображения и упрощение технологии изготовления за счет сокращенийдиапазона изменеИйя размеров отверстий в маске. 2J Указанная цель достигается тем, что в теневой маске для цветного кинескопа, содержащей множество отверстий и выполненной с гофрами, параллельными одной из сторон маски, гофры выполнены с затухающей интенсивностью изменения огибающей линии волны от центра маски к ее периферии. Затухающими могут быть также или амплитуда, или частоты волны. На фиг. 1 схематически показан цветной кинескоп с таневой маской; на фиг. 2-4 варианты выполнения гофрированной маски. . Цветной кинескоп (фиг. 1) содержит вакуумированную стекляннзто колбу 1 с прямоугольным плоским экраном 2, раструбом 3 и горловиной 4. Трехцветный люминесцентный экран закреплен:.на внутренней поверхности 5 панели экрана. Блок 6 электронньтх пушек, размещенный в горловине 4, содержит три электронные пушки: по одной на каждый из трех фосфоресцирующих слоев на экране 2. В колбе 1, рядом с экраном 2, расположена, теневая маска 7 с прямоугольными отверстиями. Апертурная маска 7 имеет гофрированную форму, искривленную вдоль горизонтальной оси, и большое количество удлиненных отверстий, расположенных параллельными вертикальными столбцами. Зазор между столбцами меняется в соответствии с размерами зазора между маской и экраном, с тем чтобы фосфоресцирующие элементы на экране располагались равномерно относительно друг друга. Изобретение усовершенствует кон-, струкцию маски, имеющей гофрированную форму, путем обеспечение изменений амплитуды и/или частоты волны гофров. В варианте изобретения, представленном на фиг. 2, амплитуда волны в маске 7 уменьшается от центра мас ки К ее краю. Такую конфигурацию маски можно использовать в тех случаях, когда требования жесткости, предъявляемые к краям маски, меньше, чем в ее центре. Например, бока маски М.ОЖНО жестко удерживать с помощью или гибкой, динамической жесткой рамки, тем самым снижая необходимость в амплитуде гофриро

1. ТЕНЕВАЯ МАСКА ДЛЯ ЦВЕТНОГО КИНЕСКОПА, содержащая множество отверстий и вьтолненная с гофрами, параллельными одной из сторон маски, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества изображения маски и упрощения технологии ее изготовления за счет сокращения диапазона изменения размеров отверстий в маске, гофры выполнены с затухающей интенсивностью изменения огибающей линии волны от центра маски к ее -периферии. 2.Маска по п. 1,.о т л и ч а ющ а я с я тем, что гофры выполнены с затухакмдей a шлитyдdй волны. 3.Маска по пп. 1 и 2, отличающаяся тем, что гофры выполkn нены с затухающей частотой волны.