Игнитрон Советский патент 1958 года по МПК H01J13/50 H01J13/06 

Недостатком обычно применяемых игнитронов является то, что катодное пятно главного тока перегревает игнайтер и при больших разрядных токах быстро выводит его из строя.

В описываемой конструкции игнитрона указанный недостаток устранен применением вспомогательного катода, изолированного от главного катода. Зажигание катодного пятна осуществляется игнайтером, погруженным в ртуть вспомогательного катода. Это устраняет непосредственное воздействие катодного пятна на игнайтер, благодаря чему увеличивается срок его службы и повышается надежность работы игнитрона.

На фиг. 1 изображен разрез нижней части описываемого игнитрона; на фиг. 2 - схема включения цепей зажигания и подхватывающего анода; на фиг. 3 - заполнение ртутью описываемого игнитрона.

В ртуть вспомогательного катода /, изолированного от главного 2, опущен игнайтер S (см. фиг- 1). Цепь игнайтер 3 - вспомогательный катод / изолирована от цепи подхватывающий анод 4 - главный катод 2 и цепи главного тока (см. фиг. 2). Вспышка игнайтера 3 происходит на вспомогательном катоде /, а катодное пятно появляется ча главном катоде 2 и возбуждается дуга на подхватывающий анод 4. Таким образом, в игнитроне со вспомогательным катодом катодное пятно периодически появляется вдали от игнайтера, что значительно уменьшает тепловое воздействие главного катодного пятна и разрядного тока на игнайтер.

Появление катодного пятна на главном катоде 2 при поджиге игнайтера 3 на изолированном вспомогательном катоде / объясняется следующим образом. При вспышке игнайтера 3 на изолированном вспомогательном катоде / в игнитроне появляется плазма, ионы которой попадают на главный катод 2 и при наличии напряжения между главным катодом 2 и подхватывающим анодом 4 поджигают на главном катоде 2 катодное пятно.

в предлагаемом игнитроне катодное пятно на главном катоде, регулярно появляется при напряжении на подхватывающем аноде 4 порядJvf 115623

ка примерно 30-40 в (по отношению к главному катоду); катодное пятно появляется на главном катоде через несколько микросекунд после вспышки игнайтера 5 на вспомогательном катоде 1, т. е. практически катодное пятно в этом случае возпикает, одновременно со вспышкой игнайтера. Запыление изолятора 5, а также его смачивание загрязненной ртутью не ухудшают, а наоборот, облегчают появление катодного пятна на главном катоде 2. При механическом разрушении изоляции вспомогательного катода /, игнитрон не выбывает из строя, а продолжает работу, как игнптроп обычной конструкции.

Описываемый игнитрон при изготовлении заполняется ртутью таким образом, чтобы главный катод 2 и вспомогательный катод / представляли одно сплошное зеркало ртути. При формовке часть ртути с катодов испаряется и остается на стенках игнитрона, вследствие чего уровень ртути в игнитроне опускается, а главный и вспомогательный катоды становятся изолированными друг от друга (|См. фиг. 3). При работе игнитрона мощное катодное пятно, возникаюш,ее на главном катоде 2, создает непрерывные волнообразные колебания поверхности ртути, вследствие чего ртуть из главного катода 2 заплескивается во вспомогательный катод 1, поэтому вспомогательный катод 1 при работе игнитрона всегда оказывается доверху запо.лненным ртутью.

Предмет изобретения

Игнитрон, ототичающийся тем, что, с целью повышения наделсности его работы и увеличения срока службы игнайтера, в нем применен вспомогательный катод, изолированный от основного катода, и игнайтер погружен в ртуть вспомогательного катода с тем, чтобы плазма, возпикаюш.ая при вспышке игнайтера, ионизировала разрядный промежуток между основным катодом и подхватывающим аподом, обеспечивая возникновение газового разряда.