Электронно-оптическая система для приемных и просвечивающих электронно-лучевых трубок Советский патент 1985 года по МПК H01J29/46 

Изобретение относится к электронной технике, в частности к конструкциям электронно-оптических систем (ЭОС) приемных электронно-лучевых трубок (ЭЛТ) с малым током луча.

Известна ЭОС для приемных ЭЛТ, содержащая катод, модулятор, ускоряющий электрод, два дополнительных электрода, вырезающую диафрагму и анод 1.

В такой ЭОС отверстия в электродах и диафрагмах имеют форму круга с центром на оси системы.

Наличие вырезающей диафрагмы предполагает различную крутизну модуляционных характеристик тока катода и тока луча, т. е. зависимость тока луча от напряжения модулятора является нелинейной. Начало характеристик тока катода и тока луча совпадают, так как при уменьшении луча угол расхождения электронного пучка уменьщается, и вблизи точки запирания весь пучок электронов проходит, не срезаясь диафрагмами, а модуляционная характеристика имеет значительную нелинейность.

Для получения неискаженного сигнала в ЭЛТ с малым током луча, например ЭЛТ со стекловолоконными экранами, сублиматэкранами, с люминофорными экранами типа «Л, работающих как в режиме без отсечки, так и в режиме с 90-градусной отсечкой, важна линейность модуляционной характеристики тока луча. В силу указанных выще причин линейность не достигается, что особенно сильно сказывается для ЭЛТ, работающих при малых яркостях.

Чтобы выбрать рабочую точку на линейном участке модуляционной характеристики тока луча при работе в режиме без отсечки отверстие в вырезывающей диафрагме выбирается малым. При этом требуемый ток луча обеспечивается при больщом напряжении модуляции, т. е. при больщой токовой нагрузке на катод. При работе в режиме с 90градусной отсечкой выходной сигнал, амплитуда которого изменяется, оказывается искаженным, уменьщается количество передаваемых градаций яркости.

Для улучшения линейности модуляционной характеристики и улучшения градаций яркости используют специальные устройства, размещенные вне ЭЛТ, что усложняет аппаратуру, требует введения дополнительных источников питания указанных устройств, специальных процессорных устройств.

Наиболее близкой по технической сущности является ЭОС для приемных и просвечивающих ЭЛТ, содержащая последовательно расположенные по оси системы катод, модулятор, ускоряющий электрод, две диафрагмы, отверстия которых смещены относительно оси системы, вырезающую диафрагму, антидинатронный электрод и анод 2.

ЭЛТ с такой ЭОС имеет нелинейную модуляционную характеристику тока луча. При работе в режиме с 90-градусной отсечкой

амплитуда и форма выходного сигнала при малых токах луча искажается. Чтобы выйти на линейный участок модуляционной характеристики и устранить искажение сигнала при работе без отсечки (180-градусная отсечка), отверстие в вырезающей диафрагме уменьшают, что требует увеличения тока катода и приводит к возрастанию нагрузки на катод.

Цель изобретения - повышение точности воспроизведения сигнала при малых токах луча за счет повышения линейности зависимости яркости от напряжения модуляции. Указанная цель достигается тем, что в ЭОС, содержащей последовательно расс положенные по осн системы катод, модулятор, ускоряющий электрод, две диафрагмы, отверстия которых смещены относительно оси системы, вырезающую диафрагму, антидинатронный электрод и анод, отверстие вырезающей диафрагмы смещено относительно оси системы.

Вырезающая диафрагма может быть выполнена с двумя и более неперекрывающимися отверстиями, центры которых смещены от оси системы на неравные расстояния в пределах рабочей области поверхности

диафрагмы.

На фиг. 1 показана схема ЭОС; на фиг. 2 и 3 - варианты выполнения отверстий в вырезающей диафрагме.

ЭОС содержит последовательно расположенные по оси системы катод 1, модулятор 2, ускоряющий электрод 3, первую 4 и вторую 5 диафрагмы со смещенными относительно оси 6 отверстиями, вырезающую диафрагму 7, центр 8 которой совпадает с осью 6, а отверстия 9 диафрагмы размеJ щены на разных расстояниях от центра 8. После диафрагмы расположены антидинатронный электрод 10 и анод 11. Электронный луч 12 с кроссовером 13 за вырезающей диафрагмой 7 образован элементарными пучками 14 и 15, форма сечений которых

0 повторяет форму отверстий 9. На фиг. 2 показана вырезающая диафрагма 7 с отверстиями 9 круглой формы, на фиг. 3 - с отверстиями треугольной формы. Расстояния 16 и 17 смещения отверстий 9 от оси 6 системы не равны между собой.

ЭОС работает следующим образом.

Электроны, эмиттированные катодом 1, формируются иммерсионным объективом, образованным электродами 1, 2 и 3, в электронный луч 12 с кроссовером 13. При измеQ нении потенциала на диафрагмах 4 и 5 со смещенными отверстиями с помощью образованных линз центр электронного луча 12 совмещается с центром 8 вырезающей диафрагмы- 7 и осью 6 системы. Электронный луч 12, пройдя через отверстия 9, центры

5 которых смещены относительно оси 6 и расположены на разном расстоянии от нее, образует элементарные пучки 14 и 15, которые подфокусируются с помощью линзы, образо

1. ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСК СИСТЕМА ДЛЯ ПРИЕМНЫХ И ПРОС ЧИВАЮЩИХ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВ ТРУБОК, содержащая последовательно 13 8 Ч 12 5 6 7 10 W 11 ./ положенные по оси системы катод, модулятор, ускоряющий электрод, две диафрагмы, отверстия которых смещены относительно оси системы, вырезающую диафрагму, антидинатронный электрод и анод, отличающаяся тем, что, с целью повыщения точности воспроизведения сигнала при малых токах луча за счет повыщения линейности зависимости яркости от напряжения модулятора, отверстие вырезающей диафрагмы смещено относительно оси системы. 2. Система по п. 1, отличающаяся тем, что вырезающая диафрагма выполнена по крайней мере с двумя неперекрывающимися отверстиями, центры которых смещены от оси системы на неравные расстояния в пределах рабочей области поверхности диафрагмы.