Генератор импульсов с милливольтовым напряжением питания Советский патент 1985 года по МПК H03K3/02 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в радиотехнических устройствах различного назначения, например, в вычислительной технике, технике связи, телеметрии и т. д.

По основному авт. св. № 1066428 известен генератор импульсов с милливольтовым напряжением питания, содержащий транзистор, трансформатор, первая обмотка которого включена между первой шиной источника питания и коллектором транзистора, вторая обмотка трансформатора включена между первой шиной источника питания и базой транзистора, эмиттер которого подсоединен к второй шине источника питания, причем первая и вторая обмотки трансформатора подключены к первой шине источника питания разноименными полюсами 1.

Недостаток устройства - низкая частота повторения выходных импульсов.

Цель изобретения - повышение частоты повторения выходных импульсов.

Поставленная цель достигается тем, что между эмиттером основного транзистора и второй шиной источника питания введен дополнительный транзистор, коллектор которого соединен с эмиттером основного транзистора, база через резистор соединена с первой шиной источника питания, а эмиттер - с второй шиной источника питания.

На чертеже представлена принципиальная схема генератора.

Схема генератора импульсов содержит основной транзистор 1, между коллектором и базой которого включены соединенные согласно две обмотки трансформатора 2. В цепь эмиттера основного транзистора 1 коллектором подключен дополнительный тразистор 3, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база через резистор 4 подключена к источнику питания. Питание к коллектору и базе основного транзистора 1 подведено через об1мотки трансформатора 2, а выходной сигнал снимается через конденсатор 5.

Генератор работает следующим образом.

В момент подачи на схему низкого (порядка десятых долей вольта) напряжения питания, транзистор 3 открыт, так как к его базе относительно эмиттера приложено положительное смещение от источника питания через резистор 4, а транзистор 1 начинает

лавинообразно закрываться в силу того, что возникающий в обмотках трансформатора 2 в начальный момент времени ток вызывает появление ЭДС самоиндукции, которая в отрицательной полярности приложена к базе

и коллектору транзистора 1. Момент максимальной ЭДС самоиндукции, наводимой в обмотках трансформатора соответствует формированию фронта импульса на коллекторе транзистора 1. Одновременно начинают

заряжаться емкости переходов коллектор- эмиттер и база-эмиттер транзистора 1 и емкость коллектор-эмиттер транзистора 3. В процессе заряда указанных емкостей переходов на коллекторе транзистора 1 формируется вершина импульса. По мере убывания

ЭДС самоиндукции в обмотках трансформатора и заряда емкостей переходов транзистор 1 открывается, что соответствует формированию спада импульса. Таким образом описанные процессы приводят к тому,

что на коллекторе транзистора 1 формируется импульс напряжения положительной полярности.

После открывания транзистора I начнется разряд перечисленных выше емкостей

переходов и время, необходимое для разряда, будет определять собой паузу между генерируемыми импульсами, т. е. период их повторения.

Увеличение частоты повторения импульсов, генерируемых генератором, объясняется

тем, что емкости переходов коллектор- эмиттер транзисторов 1 и 3 соединены последовательно и,следовательно, результирующая емкость меньше, чем у одного транзистора, как это имеет место в прототипе, поэтому время разряда ее уменьшится, а

частота повторения импульсов будет выше. Предлагаемое устройство может работать не только в автоколебательном режиме, но и в режиме усиления синусоидальных колебаний или генерирования пачек импульсов,

для чего необходимо на базу транзистора 3 подавать соответственно либо синусоидальное напряжение, либо прямоугольное импульсное.

Предлагаемый генератор по сравнению с прототипом обеспечивает повышение частоты повторения выходных импульсов на порядок и выше.

ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСОВ С МИЛЛИВОЛЫОВЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ПИТАНИЯ по авт. св. № 1064428, отличающийся тем, что, с целью повышения частоты повторения выходных импульсов, между эмиттером основного транзистора и второй шиной источника питания введен дополнительный транзистор, коллектор которого соединен с эмиттером основного транзистора, база через резистор соединена с первой шиной источника питания, а эмиттер - с второй шиной источника питания.