Патентон — пантеон патентов

(19)

SU

(11)

1 176 777

(13)

A1

(51)

МПК

H01L21/268(1995-01-01)

(21) (22)

Заявка

3691461/25, 1984-01-10

(22)

дата подачи заявки

1984-01-10

(45)

опубликовано

1995-05-10

(72)

авторы

Вахтель В.М.Гитли В.Р.Еремин С.А.Ивакин А.Н.Кадменский С.Г.Лобов И.Е.Фетисова С.В.Замотайлов Ю.Г.

(56)

Документы, цитированные в отчете о поиске

Экспресс-информацияСер.Электроника, М.: ВИНИТИ, 1983, N 15, с.6-10.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ Советский патент 1995 года по МПК H01L21/268 

Описание патента на изобретение SU1176777A1

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления МДП-БИС.

Цель изобретения упрощение технологии и повышение точности подгонки.

П р и м е р. Для отработки способа была изготовлена опытная партия МДП транзисторов с N-каналом. Опытные образцы были выполнены в виде N-канальных МДП-БИС по стандартной технологии с начальным пороговым напряжением Uo до 1,8 ± 0,3 В. После формирования Al разводки на тестовом транзисторе МДП-БИС при помощи 3-х зондовой установки проводился первичный контроль начального порогового напряжения Uo. Затем структура облучалась на установке РУМ 17 рентгеновскими лучами с энергией рентгеновских квантов 20, 80 и 200 кэВ. Доза рассчитывалась исходя из необходимого ΔU с контролем полученного порогового напряжения.

Un 0,6 В. Для стабилизации параметров полученных приборов производился кратковременный отжиг (10-15 мин) при температуре порядка 200оС. Последующие испытания с наложением рабочих напряжений на электроды прибора и с дополнительным длительным нагревом (до 500 ч при температуре 80-100оС) показали стабильную работу изготовленных на основе МДП транзисторов БИС.

Похожие патенты SU1176777A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС 1991
  • Гитлин В.Р.
  • Ивакин А.Н.
  • Кадменский С.Г.
  • Остроухов С.С.
 RU2017265C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ 1986
  • Вахтель В.М.
  • Гитлин В.Р.
  • Ивакин А.Н.
  • Кадменский А.Г.
  • Кадменский С.Г.
  • Мокшин А.Н.
  • Остроухов С.С.
 RU1499614C
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС 1985
  • Гитлин В.Р.
  • Кадменский С.Г.
  • Вахтель В.М.
  • Ивакин А.Н.
  • Остроухов С.С.
 SU1384106A2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС 1990
  • Гитлин В.Р.
  • Ивакин А.Н.
  • Кадменский С.Г.
  • Левин М.Н.
  • Остроухов С.С.
  • Татаринцев А.В.
 SU1762688A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ 2002
  • Андреев В.В.
  • Барышев В.Г.
  • Бондаренко Г.Г.
  • Масловский В.М.
  • Столяров А.А.
  • Ткаченко А.Л.
  • Улунц Г.А.
 RU2206141C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС 1987
  • Ачкасов В.Н.
  • Вахтель В.М.
  • Гитлин В.Р.
  • Ивакин А.Н.
  • Кадменский С.Г.
  • Левин М.Н.
  • Остроухов С.С.
 RU1519452C
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ 1986
  • Гитлин В.Р.
  • Кадменский С.Г.
  • Ивакин А.Н.
  • Левин М.Н.
  • Колесников В.Ф.
  • Кадменский А.Г.
  • Остроухов С.С.
 SU1452398A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ 2002
  • Андреев В.В.
  • Барышев В.Г.
  • Бондаренко Г.Г.
  • Масловский В.М.
  • Масловский М.В.
  • Столяров М.А.
  • Ткаченко А.Л.
  • Улунц Г.А.
 RU2206142C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ 1987
  • Вахтель В.М.
  • Гитлин В.Р.
  • Евсеев И.И.
  • Ивакин А.Н.
  • Кадменский С.Г.
  • Левин М.Н.
  • Остроухов С.С.
  • Стоянов А.И.
 SU1419418A1
СПОСОБ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ БИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНД НА СТОЙКОСТЬ К ЭФФЕКТАМ ЕДИНИЧНЫХ СБОЕВ ОТ ВОЗДЕЙСТВИЯ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА 2011
  • Качемцев Александр Николаевич
  • Киселев Владимир Константинович
  • Торохов Сергей Леонидович
 RU2495446C2

Формула изобретения SU 1 176 777 A1

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонки порогового напряжения, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения точности подгонки, подгонку порогового наряжения производят после формирования металлической разводки путем облучения структуры рентгеновским излучением дозой

где D доза облучения, Р;
E3 ширина запрещенной зоны диэлектрика, эВ;
ε относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;
m массовый коэффициент поглощения диэлектрика, см2/г;
r плотность диэлектрика, г/см3;
d толщина диэлектрика, см;
DU величина подгонки порогового напряжения, В;
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение производят при энергии рентгеновских квантов 20-200 кэВ.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года SU1176777A1

Экспресс-информация
Сер.Электроника, М.: ВИНИТИ, 1983, N 15, с.6-10.

SU 1 176 777 A1

Авторы

Вахтель В.М.

Гитли В.Р.

Еремин С.А.

Ивакин А.Н.

Кадменский С.Г.

Лобов И.Е.

Фетисова С.В.

Замотайлов Ю.Г.

Даты

1995-05-10—Публикация

1984-01-10—Подача

read Похожие патенты