Фотоэлектрический потенциометрический датчик Советский патент 1959 года по МПК G01R17/20 

. Известные потенциометрические датчики с полупроводниковым фоочувствительным слоем создают постоянное сонротивление. В предлагаемом датчике полупроводниковый фоточувствительный слой расположен между слоями сопротивления и проводника. Слои находятся в контакте между собой, что дает возможность изменять сопротивление потенциометра перемещением светового луча. На фиг. 1 изображена конструкция предлагаемого устройства; на фиг. 2-схема включения фотопотенциометра, как обычного потенциометра; на фиг. 3 - схема включения фотопотеициометра по мостовой схеме. На изоляционной основе / нанесен слой 2 сопротивления, включенный между зажимами 3 и 4 (фиг. 1). На некотором расстоянии от слоя сопротивления нанесен слой 5 проводника, соединенный с зажимом 6. Нромежуток между слоями 2 и 5 заполнен полупроводниковым фоточувствительным слоем 7, меняющим свое сопротивление под воздействием светового луча 8 от источника света. Световой луч 8 от источника света с помощью специальпого приспособления (не показанного на чертеже) может перемещаться вдоль фоточувствительного слоя, меняя при этом сопротивление между слоем 2 и 5. В результате напряжение на зажиме 6 по отношению к зажиму 4 (фиг. 2) будет изменяться по тому же закону, что и перемещение светового луча. На фиг. 2 изображена схема обычного потенциометра, в котором взамен переменного сопротивления включено фотосопротивление (фоточувствительный слой). На фиг. 3 приводится мостовая схема потенциометра, одним из плеч . которого служит переменное фотосопротивление 7.