Основание здания,сооружения Советский патент 1985 года по МПК E02D27/34 

1

Изобретение относится к строительству, д именно к конструкциям искусственных оснований под здания, сооружения.

Целью изобретения является повышение эксплуатационной надежности здания, сооружения при сейсмических воздействиях.

На чертеже изображена- конструктивная схема искусственного основания. .

Искусственное основание под здание, сооружение состоит в плане из участков различной жесткости, образованных вертикальными и наклонными слоями 1,2,...,п,..., т, уложенными на подстилающий грунт котлована горизонтальными прослойками с уплотнением каждой из . При этом в расположенных рядом, слоях п и п+1 используют материалы, отличающиеся друг от друга плотностью (-jph и т )

1915242

и модулем деформации (Е, и Е), неличины которых для двух соседних слоев связаны соотношением

ш

,5

Тп

Тг + 1

Тп

М1.м,9 .

ТП+1

Возведение основания выполняют следующим образом.

Отрывают котлован, в котором поочередно отсыпают призмы слоев 1,2,.., m из материалов, отличающихся по своим техническим характеристикам в соответствии с заданными соотношениями. При этом за счет неоднородности свойств материала слоев достигается повьшение сейсмоизолирующих параметров основания.

ОСНОВАНИЕ ЗДАНИЯ, СООРУЖЕНИЯ, состоящее в плане из участков различной жесткости, отличающееся тем, что, с целью повьшения эксплуатационной надежности при сейсмических воздействиях, отношение к материалов смежных Тп Tn-t-A участков определяется из условий I где E,, ЕГЩ - модули деформации материалов смежных п и (Л участков; пТп+ч плотности материалов смежных п и п+ участков.