Оптоэлектронный генератор Советский патент 1985 года по МПК H03K3/42 

1 Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при разработке иьтульсных устройств автоматики миллисекундного и шнyтнoгo диапазонов в интегральном исполнешш. Цель изобретения - расширение частотного диапазона в сторону инфранизких частот за счет использования процесса спада тока через фоторезистор оптрона после прекращения действия светового потока с его светодиода и путем управления с помощью этого тока состоянием полевого транзистора. На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства. Оптоэлектронный генератор содержит биполярный 1 и полевой 2 транзисторы, первый оптрон с фоторезистором 3 и светодиодом 4, второй оптрон со светодиодом 5 и фоторезистором 6, резисторы 7-11. Затвор транзистора 2 через резистор 7 подключен к первой питающей шине 12 и через фоторезистор 6 к вто рой питающей шине 13, с которой соединены эмиттер транзистора 1 и вывод резистора 8, другой вывод которого соединен с базой транзистора 1, подключенной к стоку транзистора 2 через резистор 10 и к шине 12 через фоторезистор 3. Светодиоды 4 и 5 включены в проводящем направлении последоватепьно с резистором 9 между коллек тором транзистора 1 и шиной 12, с которой соединен исток транзистора 2. Резистор 11 включен параллельно светодиоду 5. Оптоэлектронный генератор работает сяедукщим образом. При подаче напряжения питания на шину 12 через открытый канал п-типа 3 . транзистора 2 и резистор 10 в базу транзистор, 1 потечет ток, и когда падение напряжения на резисторе 8 превысит - напряжение срабатывания бистабильной схемы, вьтолненной на транзисторе 1, светодиодах 4 и 5, резисторах 9 и 11 и фоторезистрре 3, бистабильная схема включится и светодиод 5 начнет излучать световой поток. При этом сопротивление фоторезистора 6 уменьшится, а сопротивление канала транзистора 2 увеличится, так как на резисторе 7 и соответственно на затвора транзис-, тора 2 появится запирающее напряжение. Когда падение напряжения на резисторе 8 станет меньше Uf,5b бистабильная схема выключится и .светодиод 5 перестанет излучать световой поток. Когда транзистор 2 перейдет в исходное состояние (сопротивление его канала уменьшится), падение напряжения на резисторе 8 станет больше и и процесс повторится снова. Длительность цикла зависит от сопротивления резистора 7 и постоянной времени спада тока фоторезистора 6. Причем, чем больше сопротивление резистора 7, тем больше длительность процесса. Так как входное сопротивление транзистора 2 велико (десятки МОм), то максимальное сопротивление резистора 7 может быть соизмеримо с ним. Это дает возможность, изменяя сопротивление резистора 7, изменять частоту следования импульсов от миллисекундного до минутного диапазонов. Кроме того, изменяя сопротивление резистора 11, можно изменять время свечения светодиода 5,а следовательно - длительность импульсов.

ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ГЕНЕРАТОР Содержащий биполярный и полевой транзисторы, два фоторезисторных о трона и пять резисторов, причем ис ток полевого транзистора соединен с первой питающей шиной, к которой через первый резистор подключен затвор полевого транзистора и чере фоторезистор первого оптрона подкл чены первый вывод второго резистора и база биполярного транзистора, эмиттер которого соединен с вт.орой питающей шиной, а в цепь, соединяющую коллектор биполярного транзистора с первой питающей шиной, включен третий резистор, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона в сторону инфранизких частот, светодиодЫ первого и второго оптронов включены последовательно с третьим резистором в коллекторную цепь биполярного транзистора в прямом по отношению к- источнику питания направлении, фоторезистор второго оптрона включен между второй питакщей щиной и затвором полевого транзистора, сток которого подключен к базе биполярного транзистора через четвертый резистор, второй вывод второго резистора соединен с второй питающей шиной, а пятый резистор включен параллельно светодиоду второго оптрона.