Известны устройства для измерения коэффициентов отражения и прозрачности диэлектрических образцов в замкнутых системах (в волноводных и коаксиальных линиях) и в свободном пространстве в диапазоне сантиметровых волн. Недостаток подобных устройств заключается в невоз.можности их иcпOv ьзoвaния для измерения параметров малых образцов па сравнительно длинных, например метровых, волнах.
В описываемом устройстве этот недостаток устраняется тем, что искусственное сжатие пучка электромагнитной энергии производится при помощи линии передачи поверхностной волны, снабженной, зазором, в который вводится исследуемый образец материала, пли линии без зазора, проходящей через отверстие в исследуемом образце.
На фиг. 1 показано устройство для измерения параметров исследуемого образца при помощи лннии поверхностно волны с зазором; на фиг. 2-вариант устройства с линией, проходящей через исследуемый образец.
Высокочастотные колебания, создаваемые генератором /, в качестве которого может быть использован, например, отражательный клистрон, поступают в отрезок СВЧ тракта, снабженный калиброванным аттенюатором 2, служащим для регулировки уровня мощности, подаваемой в линию передачи. Для контроля уровня СВЧ сигнала, подаваемого в линию, часть СВЧ энергии из тракта через направленный ответвитель 3 подают на детекторную секцию 4, усиливают усилителем 5 и измеряют измерительным прибором 6. Линия передачи поверхностной волны 7 служит для искусственного сжатия пучка электромагнитной энергии, которая распространяется вдоль ее поверхности. Линию выполняют в виде круглого или прямоугольного стержня из органического стекла или искусственного диэлектрика. В разрыв лннии передачи по.ещаюг исследуемый образец 8. Часть энергии отражается от образца 8 и возвращается обратпо по линии 7. При помощи направленного ответвптеля 9 отраженный сигнал подается на детекторную секцию 10, усилива „ ГГ/р зи п Т/еТЛг Р™« св. к„™6ан„„, по лини. 7. оканчивающейся Йектор о/Ткше ,
7яЦоГ;Г..;™ «ЛГГ4- «z™;ss ™ r - - ™
прямой „ отраженный сигналы могуг бы годаньГн Г™™ еле е ;еГиГо р ГГ Г зГГ «™ --™-° -rsroej. Г - гтнГд - ы
Предмет изобретения сгкд р™сГх г™оТл „ :а « -Р° 1 - °rrr;-j i.t й ™S:
через omepSL в образде « пропущенная
. . /
